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Ku波段多通道收发组件设计 被引量:5
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作者 徐森锋 吴亮亮 《电子科技》 2016年第8期36-38,共3页
阐述了一种包含四路接收通道和一路发射通道的Ku波段收发组件的工作原理,并对组成的单元电路和关键技术进行了分析。试验结果表明,在2 GHz带宽和-55^+85℃温度下,发射通道输出功率为(31±1)d Bm,带内功率平坦度≤±0.5 d B,开... 阐述了一种包含四路接收通道和一路发射通道的Ku波段收发组件的工作原理,并对组成的单元电路和关键技术进行了分析。试验结果表明,在2 GHz带宽和-55^+85℃温度下,发射通道输出功率为(31±1)d Bm,带内功率平坦度≤±0.5 d B,开关隔离度≥90 d B;接收通道增益为(30±1)d B,噪声系数≤5.0 d B,通道隔离度≥60 d B。测试结果表明,方案切实可行,满足使用要求。 展开更多
关键词 KU波段 收发组件 多通道 发射通道 接收通道
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多阳极220GHz倍频器单片设计 被引量:1
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作者 徐森锋 宋旭波 +7 位作者 顾国栋 梁士雄 许婧 周幸叶 张立森 郝晓林 林勇 冯志红 《太赫兹科学与电子信息学报》 2023年第9期1080-1085,共6页
介绍了一款基于GaAs肖特基二极管单片工艺的220 GHz倍频器的设计过程以及测试结果。为提高输出功率,倍频器采用多阳极结构,8个二极管在波导呈镜像对称排列,形成平衡式倍频器结构。采用差异式结电容设计解决了多阳极结构端口散射参数不... 介绍了一款基于GaAs肖特基二极管单片工艺的220 GHz倍频器的设计过程以及测试结果。为提高输出功率,倍频器采用多阳极结构,8个二极管在波导呈镜像对称排列,形成平衡式倍频器结构。采用差异式结电容设计解决了多阳极结构端口散射参数不一致问题,提高了倍频器的转换效率和工作带宽。对设计的倍频器进行流片、装配和测试,测试结果显示:倍频器在204~234 GHz频率范围内,转化效率大于15%;226 GHz峰值频率下实现最大输出功率为90.5 mW,转换效率为22.6%。设计的220 GHz倍频器输出功率高,转化效率高,工作带宽大。 展开更多
关键词 倍频器 太赫兹 肖特基二极管 结电容 单片
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基于共面波导传输线的宽频带介电常数提取方法 被引量:1
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作者 徐森锋 赵伟 《计量学报》 CSCD 北大核心 2022年第8期984-988,共5页
提出了一种基于共面波导传输线的宽频带低损耗材料介电常数提取方法。设计5根共面波导传输线作为标准覆盖待测样品介电常数频率范围,采用在片矢量网络分析仪测得各传输线未经修正的S参数,经过多线TRL校准算法提取传播常数;采用quasi-TE... 提出了一种基于共面波导传输线的宽频带低损耗材料介电常数提取方法。设计5根共面波导传输线作为标准覆盖待测样品介电常数频率范围,采用在片矢量网络分析仪测得各传输线未经修正的S参数,经过多线TRL校准算法提取传播常数;采用quasi-TEM模型计算传输线的单位长度电阻R和单位长度电感L;最终求得0.1~50 GHz GaAs材料的介电常数。相比于传统的腔体法只能点频测试,且需设计待测样品腔体结构,该测试方法支持宽频带介电常数的连续测试,且测试效率更高;测试结果与谐振腔法偏差±2.5%,满足工程实践需要。 展开更多
关键词 计量学 介电常数 共面波导 传输线 多线TRL
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不同直径InP晶锭混合加工技术
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作者 索开南 杨洪星 +4 位作者 张伟才 史艳磊 徐森锋 孙聂枫 刘惠生 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第5期390-395,408,共7页
通过改进InP晶锭加工流程的设计,明显提高了直径不均匀或者含有多晶或孪晶晶锭的出片量。与传统半导体材料晶锭加工流程相比,采用本加工技术加工晶锭的最终出片面积至少能够提高20%,在某些情况下能达到50%以上。为了验证该加工流程对晶... 通过改进InP晶锭加工流程的设计,明显提高了直径不均匀或者含有多晶或孪晶晶锭的出片量。与传统半导体材料晶锭加工流程相比,采用本加工技术加工晶锭的最终出片面积至少能够提高20%,在某些情况下能达到50%以上。为了验证该加工流程对晶片参数的影响,研究了InP晶锭表面起伏对晶片厚度一致性、翘曲度、弯曲度等几何参数的影响。实验结果表明,在切割参数相同的情况下,采用本加工技术获得的晶片厚度一致性较差,造成参数恶化的原因是晶锭表面起伏使钢线在接触晶锭表面时可能出现位移。通过在晶锭表面粘接特殊的板补偿晶体表面起伏,改善了晶片厚度一致性。本方法可以在保证生产质量合格的成品晶片的同时,大幅度提高晶锭最终出片面积。 展开更多
关键词 INP 激光切割 混合加工技术 标准直径 出片面积
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磷化铟晶体中孪晶形成机理的研究进展 被引量:1
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作者 王书杰 孙聂枫 +4 位作者 徐森锋 史艳磊 邵会民 姜剑 张晓丹 《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第8期593-601,669,共10页
孪晶可以降低化合物半导体单晶的成品率,是目前半导体材料领域研究的热点之一。针对InP及相关极易产生孪晶的半导体材料,系统介绍了孪晶形核的各类物理模型,归纳了材料属性、晶体生长放肩角度、温度梯度、生长速率、小平面、半导体极性... 孪晶可以降低化合物半导体单晶的成品率,是目前半导体材料领域研究的热点之一。针对InP及相关极易产生孪晶的半导体材料,系统介绍了孪晶形核的各类物理模型,归纳了材料属性、晶体生长放肩角度、温度梯度、生长速率、小平面、半导体极性及生长系统稳定性等因素对孪晶形成的影响。借助多晶硅中孪晶现象和形核机理解释了InP多晶中孪晶形核现象。同时,总结了掺杂剂及杂质元素对孪晶形成的影响。最后,对InP生长过程中孪晶形成及抑制方法进行了展望。InP单晶中孪晶的抑制将会大幅降低InP单晶衬底的成本,推动InP微电子及光电子领域的发展。 展开更多
关键词 孪晶 半导体材料 磷化铟(InP) 多晶硅 晶体生长
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