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AgGa_(1-x)In_xSe_2单晶体生长及结构性能研究
被引量：
1
1
作者
黄毅
赵北君
+5 位作者
朱世富
赵国栋
朱伟林
徐承福
万书权
何知宇
《四川大学学报（工程科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第2期107-110,共4页
采用改进Bridgman法生长出外观完整的尺寸为Φ15 mm×35 mm的AgGa1-xInxSe2(x=0.2)单晶锭。其晶格常数为a=0.60125 nm,c=1.10243 nm,为黄铜矿结构,与标准PDF卡片(No.35-1095)吻合。X射线粉末衍射谱图的谱峰尖锐,无杂峰,表明得到的Ag...
采用改进Bridgman法生长出外观完整的尺寸为Φ15 mm×35 mm的AgGa1-xInxSe2(x=0.2)单晶锭。其晶格常数为a=0.60125 nm,c=1.10243 nm,为黄铜矿结构,与标准PDF卡片(No.35-1095)吻合。X射线粉末衍射谱图的谱峰尖锐,无杂峰,表明得到的AgGa1-xInxSe2(x=0.2)单晶锭的结晶状态好。对晶锭沿自然显露面解理取样后经X射线衍射发现晶体的自然显露面为(101)面,并观测到{101}晶面族的四级衍射峰,其回摆峰尖锐且半峰宽窄,表明晶体的结晶性完好并且结构完整,同时证实沿(101)晶面自然显露是AgGa1-xInxSe2(x=0.2)晶体生长习性的一种体现。DSC-TG分析表明晶体的熔点和凝固点分别为822.67℃和801.58℃,总失重约为2.027%。
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关键词
硒铟镓银
红外非线性光学晶体
单晶锭
黄铜矿
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职称材料
气源分子束外延生长的InAs/InP(100)量子点激光器
2
作者
杨海东
李世国
+3 位作者
陈朋
高山
徐承福
龚谦
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第9期871-873,共3页
利用气源分子束外延(GSMBE)技术,在InP(100)衬底上生长InAs量子点激光器。有源区包含5层InAs量子点,每层量子点的平均尺寸是2.9 nm和76 nm,面密度在1010cm-2左右,势垒层为InGaAsP。室温下量子点的光致发光中心波长在1.55μm,发光峰半高...
利用气源分子束外延(GSMBE)技术,在InP(100)衬底上生长InAs量子点激光器。有源区包含5层InAs量子点,每层量子点的平均尺寸是2.9 nm和76 nm,面密度在1010cm-2左右,势垒层为InGaAsP。室温下量子点的光致发光中心波长在1.55μm,发光峰半高宽为108 meV。通过化学湿法腐蚀制备双沟道8μm宽脊条激光器,在20℃连续波工作模式下,腔长为0.7 mm的激光器的阈值电流为143 mA(2.5 kA/cm2),器件的激射中心波长在1.55μm。由于量子点尺寸的非均匀性,在大电流注入,激光器的激射谱展宽。器件单端面最大输出功率为27 mW,功率斜率效率为130 mW/A。
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关键词
激光器
自组织
量子点
光谱
气源分子束外延
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职称材料
题名
AgGa_(1-x)In_xSe_2单晶体生长及结构性能研究
被引量：
1
1
作者
黄毅
赵北君
朱世富
赵国栋
朱伟林
徐承福
万书权
何知宇
机构
四川大学材料科学与工程学院
出处
《四川大学学报（工程科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第2期107-110,共4页
基金
教育部博士点基金资助项目(20040610024)
文摘
采用改进Bridgman法生长出外观完整的尺寸为Φ15 mm×35 mm的AgGa1-xInxSe2(x=0.2)单晶锭。其晶格常数为a=0.60125 nm,c=1.10243 nm,为黄铜矿结构,与标准PDF卡片(No.35-1095)吻合。X射线粉末衍射谱图的谱峰尖锐,无杂峰,表明得到的AgGa1-xInxSe2(x=0.2)单晶锭的结晶状态好。对晶锭沿自然显露面解理取样后经X射线衍射发现晶体的自然显露面为(101)面,并观测到{101}晶面族的四级衍射峰,其回摆峰尖锐且半峰宽窄,表明晶体的结晶性完好并且结构完整,同时证实沿(101)晶面自然显露是AgGa1-xInxSe2(x=0.2)晶体生长习性的一种体现。DSC-TG分析表明晶体的熔点和凝固点分别为822.67℃和801.58℃,总失重约为2.027%。
关键词
硒铟镓银
红外非线性光学晶体
单晶锭
黄铜矿
Keywords
AgGa1-xInxSe 2
infrared nonlinear optical crystal
single crystal
chalcopyrite
分类号
O782.5 [理学—晶体学]
O731 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
气源分子束外延生长的InAs/InP(100)量子点激光器
2
作者
杨海东
李世国
陈朋
高山
徐承福
龚谦
机构
中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第9期871-873,共3页
基金
国家自然科学基金资助项目(60721004
60976015)
文摘
利用气源分子束外延(GSMBE)技术,在InP(100)衬底上生长InAs量子点激光器。有源区包含5层InAs量子点,每层量子点的平均尺寸是2.9 nm和76 nm,面密度在1010cm-2左右,势垒层为InGaAsP。室温下量子点的光致发光中心波长在1.55μm,发光峰半高宽为108 meV。通过化学湿法腐蚀制备双沟道8μm宽脊条激光器,在20℃连续波工作模式下,腔长为0.7 mm的激光器的阈值电流为143 mA(2.5 kA/cm2),器件的激射中心波长在1.55μm。由于量子点尺寸的非均匀性,在大电流注入,激光器的激射谱展宽。器件单端面最大输出功率为27 mW,功率斜率效率为130 mW/A。
关键词
激光器
自组织
量子点
光谱
气源分子束外延
Keywords
laser
self-organize
quantum dot
lasing spectra
gas-source molecular beam epitaxy （GSMBE）
分类号
TN248.4 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
AgGa_(1-x)In_xSe_2单晶体生长及结构性能研究
黄毅
赵北君
朱世富
赵国栋
朱伟林
徐承福
万书权
何知宇
《四川大学学报（工程科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
1
在线阅读
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职称材料
2
气源分子束外延生长的InAs/InP(100)量子点激光器
杨海东
李世国
陈朋
高山
徐承福
龚谦
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010
0
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职称材料
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