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Pr^(3+)掺杂铯铅卤钙钛矿量子点的稳定可调色蓝光发射
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作者 徐志梁 栗文斌 +1 位作者 胡鹏 王向华 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2021年第1期47-52,共6页
卤化钙钛矿型发光二极管(PeLED)的窄发射峰有望用于下一代显示器和照明,但是能量转换效率特别是蓝色PeLED的转换效率仍然低于常规无机和有机LED的效率。在这些钙钛矿中用毒性较小的元素(通常是过渡金属和各种镧系元素)取代Pb,可在保持... 卤化钙钛矿型发光二极管(PeLED)的窄发射峰有望用于下一代显示器和照明,但是能量转换效率特别是蓝色PeLED的转换效率仍然低于常规无机和有机LED的效率。在这些钙钛矿中用毒性较小的元素(通常是过渡金属和各种镧系元素)取代Pb,可在保持窄的发射特性的同时提高能源效率。本文介绍了Pr^(3+)掺杂与Cl-Br卤化物交换结合的效果,产生了一系列蓝色发射量子点,峰值波长可在430~490 nm范围内可调,这些蓝色Pr^(3+)-CsPb(Br/Cl)3量子点的光致发光量子产率(PLQY)比未掺杂Pr^(3+)的量子点相比提高了2~3倍。本文还研究了Pr^(3+)掺杂蓝光量子点在365 nm紫外线照射下和高温加热时的稳定性,掺杂后的蓝光量子点的光热稳定性提升。 展开更多
关键词 钙钛矿 蓝光 荧光量子效率 掺杂 光致发光量子产率
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TBA配体修饰CsPbBr3量子点制备及热稳定性研究 被引量:1
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作者 胡鹏 王新军 +2 位作者 徐志梁 陈幸福 王向华 《光电子技术》 CAS 北大核心 2020年第2期119-124,共6页
在热注入法制备全无机钙钛矿CsPbBr3量子点的过程中,增加使用短链的噻吩-3-硼酸,与长链烷基链配体一起形成量子点表面钝化层,被证明是提高量子点稳定性的有效方法。由于噻吩-3-硼酸中S原子与量子点表面Pb之间有更强的范德瓦尔斯力,可以... 在热注入法制备全无机钙钛矿CsPbBr3量子点的过程中,增加使用短链的噻吩-3-硼酸,与长链烷基链配体一起形成量子点表面钝化层,被证明是提高量子点稳定性的有效方法。由于噻吩-3-硼酸中S原子与量子点表面Pb之间有更强的范德瓦尔斯力,可以在全无机钙钛矿量子点表面形成更加稳定的钝化层,从而有效抑制高温环境下CsPbBr3量子点表面缺陷的产生,以及由此引起的非辐射跃迁过程。对比实验表明,在120℃加热70 min的条件下,基于常规的长链配体的CsPbBr3量子点,其荧光强度大幅衰减到初始值的11%,同时PLQY从50.7%下降到4.5%。基于噻吩-3-硼酸配体表面修饰的CsPbBr3量子点,在相同热处理条件下荧光强度衰减到初始值的51%,相应的PLQY从66.7%下降到32.7%。红外光谱证明该新型配体的加入实现了更稳定的量子点表面钝化,从而有效提高了量子点材料的荧光量子效率和热稳定性。 展开更多
关键词 钙钛矿量子点 噻吩-3-硼酸 热稳定性 光致发光 荧光量子产率
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倒置QLED器件中氧化锌电子传输层的镁掺杂效应 被引量:1
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作者 陈幸福 徐志梁 +1 位作者 黄玲玲 王向华 《光电子技术》 CAS 北大核心 2019年第4期269-274,共6页
基于2,7-二辛基[1]苯并噻吩并[3,2-b]苯并噻吩(C8-BTBT)与无机钙钛矿CsPbBr3 量子点构成复合发光层,采用倒置QLED器件结构(ITO/ZnO/EML/CBP/MoO3/Al),研究了氧化锌电子传输层的镁离子掺杂工艺对发光层荧光量子效率及界面稳定性的影响规... 基于2,7-二辛基[1]苯并噻吩并[3,2-b]苯并噻吩(C8-BTBT)与无机钙钛矿CsPbBr3 量子点构成复合发光层,采用倒置QLED器件结构(ITO/ZnO/EML/CBP/MoO3/Al),研究了氧化锌电子传输层的镁离子掺杂工艺对发光层荧光量子效率及界面稳定性的影响规律和机制。镁离子掺杂可以在一定范围内线性调控电子传输层的光学带隙,同时有效改善薄膜的表面形貌,从而提高与发光层之间的界面质量。实验发现,相对于未掺杂的ZnO薄膜,Mg0.09Zn0.91O薄膜的表面粗糙度和表面能显著下降,光学带隙则提高了0.2 eV,相应的以电子漂移为主的电导率显著下降。进一步通过调控复合发光层中的主客体比例,可以调节空穴注入比,改善载流子传输的平衡性。采用Mg0.09Zn0.91O薄膜作为电子传输层的主客体复合发光层具有更高的荧光量子效率和PL荧光寿命。研究为开发相应的倒置结构电致发光器件提供了坚实的实验依据。 展开更多
关键词 倒置结构 MGXZN1-XO 2 苯并噻吩并[3 2-b]苯并噻吩 CsPbBr3
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