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Al-Cu-Mg-Ag合金Ω相价电子结构与沉淀硬化能力的关系 被引量:2
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作者 屈华 徐巧至 +3 位作者 刘伟东 齐健学 娄琦 蒋新宇 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第12期12110-12113,共4页
基于固体与分子经验电子(Empirical electron theory of solids and molecules,EET)理论,计算了Ω相的价电子结构,分析了主键络的空间分布形态,研究了最强共价键与位错运动、共价电子密度与析出相强度、成键能力与析出相稳定性的关系。... 基于固体与分子经验电子(Empirical electron theory of solids and molecules,EET)理论,计算了Ω相的价电子结构,分析了主键络的空间分布形态,研究了最强共价键与位错运动、共价电子密度与析出相强度、成键能力与析出相稳定性的关系。结果表明:Ω相共价主干键络呈三维“梅花”状分布,“花心”由Cu-Cu原子最强共价键连接;基体α最强共价键的键合力n1α为0.20857,Ω相的n1Ω为0.49056,基体{111}晶面上析出的Ω相使{111}晶面上位错滑移的阻力增加135.20%;从共价电子密度看,Ω相强度比S、θ′相的分别大2.67%和15.83%;从成键能力看,Ω相的稳定性比S和θ′相的分别大91.31%和291.92%;从共价电子结构看,{111}晶面析出的Ω相的沉淀硬化能力比{001}晶面析出的S、θ′相强。 展开更多
关键词 AL-CU-MG-AG合金 Ω相 EET理论 价电子结构 沉淀硬化
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