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不同基片生长γ′-Fe_4N薄膜的结构及其磁学性能
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作者 刘伟达 陈蕊 +4 位作者 王丽丽 李宏广 安涛 张东辉 徐士翀 《吉林大学学报（理学版）》 CAS 北大核心 2019年第1期156-159,共4页
采用直流磁控溅射方法,保持氩气流量不变,控制氮气的体积分数为10%,12.5%,15%,分别用Si(100)单晶和SrTiO_3(100)单晶基片制备Fe-N薄膜.用X射线衍射(XRD)和振动样品磁强计(VSM)等方法对两种不同基片生长Fe-N薄膜的结构及磁学性能进行表征... 采用直流磁控溅射方法,保持氩气流量不变,控制氮气的体积分数为10%,12.5%,15%,分别用Si(100)单晶和SrTiO_3(100)单晶基片制备Fe-N薄膜.用X射线衍射(XRD)和振动样品磁强计(VSM)等方法对两种不同基片生长Fe-N薄膜的结构及磁学性能进行表征.结果表明:在SrTiO_3(100)单晶基片上得到了单相γ′-Fe_4N薄膜,与Si(100)基片上的样品相比,SrTiO_3(100)更有利于诱导γ′-Fe_4N薄膜的取向性生长;当氮气的体积分数约为12.5%时,制备单相γ′-Fe_4N薄膜的晶粒结晶度较好,且饱和磁化强度较高,矫顽力比Si(100)为基片获得的Fe-N薄膜样品低,软磁性能较好. 展开更多
关键词 FE-N薄膜 基片 微观结构 磁学性能
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