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全铌隧道结的工艺以及dcSQUID研究
被引量：
1
1
作者
杨乾声
陈赓华
+2 位作者
杜寰
赵士平
徐凤枝
《低温工程》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第4期305-309,共5页
用磁控溅射方法及选择铌阳极氧化和选择铌刻蚀工艺制备了 Ｎｂ／ Ａｌ Ａｌ Ｏｘ／ Ｎｂ 全铌隧道结， 给出了工艺要点。根据全铌结的参量， 设计了全铌隧道结ｄｃ Ｓ Ｑ Ｕ Ｉ Ｄ。制成的ｄｃ Ｓ Ｑ Ｕ Ｉ Ｄ的传输函数δ Ｖ／δ～...
用磁控溅射方法及选择铌阳极氧化和选择铌刻蚀工艺制备了 Ｎｂ／ Ａｌ Ａｌ Ｏｘ／ Ｎｂ 全铌隧道结， 给出了工艺要点。根据全铌结的参量， 设计了全铌隧道结ｄｃ Ｓ Ｑ Ｕ Ｉ Ｄ。制成的ｄｃ Ｓ Ｑ Ｕ Ｉ Ｄ的传输函数δ Ｖ／δ～１４ ｍ Ｖ／０，其本征能量分辨率达到２４ ｈ。
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关键词
全铌隧道结
SQUID
直流
超导量子干涉器
全文增补中
题名
全铌隧道结的工艺以及dcSQUID研究
被引量：
1
1
作者
杨乾声
陈赓华
杜寰
赵士平
徐凤枝
机构
中国科学院物理研究所
出处
《低温工程》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第4期305-309,共5页
文摘
用磁控溅射方法及选择铌阳极氧化和选择铌刻蚀工艺制备了 Ｎｂ／ Ａｌ Ａｌ Ｏｘ／ Ｎｂ 全铌隧道结， 给出了工艺要点。根据全铌结的参量， 设计了全铌隧道结ｄｃ Ｓ Ｑ Ｕ Ｉ Ｄ。制成的ｄｃ Ｓ Ｑ Ｕ Ｉ Ｄ的传输函数δ Ｖ／δ～１４ ｍ Ｖ／０，其本征能量分辨率达到２４ ｈ。
关键词
全铌隧道结
SQUID
直流
超导量子干涉器
Keywords
all niobium tunnel junction
dc SQUID
分类号
O511.1 [理学—低温物理]
全文增补中
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
全铌隧道结的工艺以及dcSQUID研究
杨乾声
陈赓华
杜寰
赵士平
徐凤枝
《低温工程》
CAS
CSCD
北大核心
1999
1
全文增补中
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