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Sn膜硫化合成SnS薄膜及其性能研究
被引量：
2
1
作者
彭少朋
程树英
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第A04期1516-1518,共3页
用热蒸发法技术在ITO透明导电玻璃上沉积一层Sn膜，将其装入石墨盒里后，放在真空炉里面硫化处理，硫化温度在150-350℃之间。通过对在不同温度下硫化的薄膜进行结构、成分和表面形貌分析，表明退火温度在230-250℃之间时所制得的薄膜...
用热蒸发法技术在ITO透明导电玻璃上沉积一层Sn膜，将其装入石墨盒里后，放在真空炉里面硫化处理，硫化温度在150-350℃之间。通过对在不同温度下硫化的薄膜进行结构、成分和表面形貌分析，表明退火温度在230-250℃之间时所制得的薄膜为正交结构的SnS多晶薄膜，其均匀性和对基片的附着力都较好，具有（111）方向优先生长，薄膜粒径在200-800nm。通过测量薄膜样品的反射和透射光谱，计算得到其直接禁带宽度Eg=1．38eV，在基本吸收边附近的吸收系数大于10^4／cm，用霍尔测量系统测得其导电类型为P型，适合应用于太阳能电池的吸收层材料。
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关键词
SnS薄膜
两步法
光电性能
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职称材料
题名
Sn膜硫化合成SnS薄膜及其性能研究
被引量：
2
1
作者
彭少朋
程树英
机构
福州大学电子科学及应用物理系
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第A04期1516-1518,共3页
基金
基金项目：福建省科技厅基金资助项目（2006F5062）
福建省教育厅基金资助项目（JB06032
JB06036）
文摘
用热蒸发法技术在ITO透明导电玻璃上沉积一层Sn膜，将其装入石墨盒里后，放在真空炉里面硫化处理，硫化温度在150-350℃之间。通过对在不同温度下硫化的薄膜进行结构、成分和表面形貌分析，表明退火温度在230-250℃之间时所制得的薄膜为正交结构的SnS多晶薄膜，其均匀性和对基片的附着力都较好，具有（111）方向优先生长，薄膜粒径在200-800nm。通过测量薄膜样品的反射和透射光谱，计算得到其直接禁带宽度Eg=1．38eV，在基本吸收边附近的吸收系数大于10^4／cm，用霍尔测量系统测得其导电类型为P型，适合应用于太阳能电池的吸收层材料。
关键词
SnS薄膜
两步法
光电性能
Keywords
SnS films
two-step process
optical and electrical properties
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
Sn膜硫化合成SnS薄膜及其性能研究
彭少朋
程树英
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
2
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