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利用CF_4等离子体制作高开口率TFT-LCD(英文)
被引量：
3
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作者
金奉柱
崔瑩石
+4 位作者
劉聖烈
張炳鉉
柳在一
李禹奉
李貞烈
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第5期409-413,共5页
为了获得高的开口率,有必要优化设计参数和工艺容差。通常的过孔刻蚀工艺采用SF6基气体进行刻蚀,但是这种方法在金属和钝化层之间的选择性太小,因此,必须增加过孔的尺寸才行。为了克服上述问题,在本研究中用CF4气体代替SF6气体进行刻蚀...
为了获得高的开口率,有必要优化设计参数和工艺容差。通常的过孔刻蚀工艺采用SF6基气体进行刻蚀,但是这种方法在金属和钝化层之间的选择性太小,因此,必须增加过孔的尺寸才行。为了克服上述问题,在本研究中用CF4气体代替SF6气体进行刻蚀,结果在FFS 5 .16(2 .03 in)像素结构中,开口率提高了60 %。
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关键词
TFT—LCD
开口率
刻蚀
CF4等离子体
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职称材料
获得精细通孔图形的光刻技术改进(英文)
2
作者
宋泳锡
劉聖烈
+3 位作者
柳在一
張炳鉉
李禹奉
李貞烈
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第5期447-450,共4页
为了获得更高性能的TFT—LCD面板，在光刻时保证精细的图形成像十分重要，其中，如何制作出尺寸更小的通孔图形是主要的问题之一。本文提供的研究中，我们只简单地改变了一下烘烤工艺，而不需要改变Eop和显影时间，就可以将通孔图形的...
为了获得更高性能的TFT—LCD面板，在光刻时保证精细的图形成像十分重要，其中，如何制作出尺寸更小的通孔图形是主要的问题之一。本文提供的研究中，我们只简单地改变了一下烘烤工艺，而不需要改变Eop和显影时间，就可以将通孔图形的尺寸减小20％～25oA。在后续的刻蚀工艺中，通孔的尺寸能显著减小。
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关键词
TFT—LCD
光刻
通孔图形
尺寸
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职称材料
题名
利用CF_4等离子体制作高开口率TFT-LCD(英文)
被引量：
3
1
作者
金奉柱
崔瑩石
劉聖烈
張炳鉉
柳在一
李禹奉
李貞烈
机构
京东方科技集团股份有限公司中央研究院
出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第5期409-413,共5页
基金
Supported by Key Itemof Beijing Scientific and Technical Project(No . D0304002)
文摘
为了获得高的开口率,有必要优化设计参数和工艺容差。通常的过孔刻蚀工艺采用SF6基气体进行刻蚀,但是这种方法在金属和钝化层之间的选择性太小,因此,必须增加过孔的尺寸才行。为了克服上述问题,在本研究中用CF4气体代替SF6气体进行刻蚀,结果在FFS 5 .16(2 .03 in)像素结构中,开口率提高了60 %。
关键词
TFT—LCD
开口率
刻蚀
CF4等离子体
Keywords
TFT-LCD
aperture ratio
etching
CF4 plasma
分类号
TN873.93 [电子电信—信息与通信工程]
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
获得精细通孔图形的光刻技术改进(英文)
2
作者
宋泳锡
劉聖烈
柳在一
張炳鉉
李禹奉
李貞烈
机构
京东方科技集团股份有限公司中央研究院
出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第5期447-450,共4页
文摘
为了获得更高性能的TFT—LCD面板，在光刻时保证精细的图形成像十分重要，其中，如何制作出尺寸更小的通孔图形是主要的问题之一。本文提供的研究中，我们只简单地改变了一下烘烤工艺，而不需要改变Eop和显影时间，就可以将通孔图形的尺寸减小20％～25oA。在后续的刻蚀工艺中，通孔的尺寸能显著减小。
关键词
TFT—LCD
光刻
通孔图形
尺寸
Keywords
TFT-LCD
photolithography
via hole image
size
分类号
TN873.93 [电子电信—信息与通信工程]
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
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1
利用CF_4等离子体制作高开口率TFT-LCD(英文)
金奉柱
崔瑩石
劉聖烈
張炳鉉
柳在一
李禹奉
李貞烈
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2006
3
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职称材料
2
获得精细通孔图形的光刻技术改进(英文)
宋泳锡
劉聖烈
柳在一
張炳鉉
李禹奉
李貞烈
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2006
0
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