磁约束磁控溅射源的工作特性测试 被引量：2

1

作者 弥谦 雷琳娜 袁建奇 《西安工业大学学报》 CAS 2010年第1期17-20,共4页

为了提高靶材利用率，将磁约束原理应用在磁控溅射技术中，设计了一款直流矩形平面磁控溅射源．测量了磁约束磁控溅射源原理样机靶面磁场强度，研究了不同工作真空度下的伏安特性以及磁控溅射电源工作在不同模式下靶电压与工作真空度之... 为了提高靶材利用率，将磁约束原理应用在磁控溅射技术中，设计了一款直流矩形平面磁控溅射源．测量了磁约束磁控溅射源原理样机靶面磁场强度，研究了不同工作真空度下的伏安特性以及磁控溅射电源工作在不同模式下靶电压与工作真空度之间的关系，确定了磁控溅射源正常工作时的最佳工艺参数，为磁约束磁控溅射源原理样机的结构改进提供依据．实验表明：磁控溅射靶稳定工作的电压范围是300-700V，靶电流可达到1．2A，最高工作真空度为2Pa． 展开更多

关键词 磁约束 磁控溅射源 靶源特性测试 靶材利用率

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氧分压对电弧源制备TiO_2薄膜光学性能和表面形貌的影响 被引量：1

2

作者 弥谦 李刘晨 +1 位作者 惠迎雪 徐均琪 《西安工业大学学报》 CAS 2012年第6期451-454,487,共5页

为了寻求更加有效的方法和途径来制备高质量的光学薄膜,以直流磁过滤电弧源(УВНИПА?1-001型等离子体镀膜机)技术作为制备方法镀制TiO2光学薄膜,通过在不同氧分压的条件下制备TiO2光学薄膜.利用椭圆偏振光谱仪研究TiO2薄膜的光学性... 为了寻求更加有效的方法和途径来制备高质量的光学薄膜,以直流磁过滤电弧源(УВНИПА?1-001型等离子体镀膜机)技术作为制备方法镀制TiO2光学薄膜,通过在不同氧分压的条件下制备TiO2光学薄膜.利用椭圆偏振光谱仪研究TiO2薄膜的光学性能,TayloyHobson轮廓仪研究TiO2薄膜的厚度和表面形貌.研究结果表明:制备出的TiO2薄膜随着氧分压的不断提高,在400～1 000nm的波长范围内折射率变化较大,在1 000～1 600nm的波长范围内折射率变化较为平稳;其消光系数在10-3数量级上;TiO2薄膜的吸收较小;TiO2薄膜的厚度和粗糙度呈现出先增大后减小的趋势.在氧分压为1.0Pa时,薄膜的表面未观察到明显的孔洞、裂纹等缺陷,所制备的薄膜致密且稳定性较好. 展开更多

关键词 电弧离子镀(AIP) TIO2薄膜 折射率 消光系数

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非平衡磁控溅射TiC_xN_(1-x)薄膜微结构及性能分析 被引量：1

3

作者 弥谦 王庆喜 惠迎雪 《西安工业大学学报》 CAS 2008年第1期1-5,9,共6页

为了研究不同沉积条件下TiCxN1-x(0≤x≤1)薄膜的相结构、显微硬度及摩擦性能的影响因素,用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪分析薄膜的形貌和相结构,用HXD-1000数字式显微硬度计、MCMS-1摩擦磨损仪测试薄膜的硬度和摩擦系数.研究结果... 为了研究不同沉积条件下TiCxN1-x(0≤x≤1)薄膜的相结构、显微硬度及摩擦性能的影响因素,用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪分析薄膜的形貌和相结构,用HXD-1000数字式显微硬度计、MCMS-1摩擦磨损仪测试薄膜的硬度和摩擦系数.研究结果表明:TiN,TiC薄膜显示出〈111〉择优取向生长趋势,Ti(C,N)有较强的〈200〉取向,Ti(C,N)衍射峰涵盖了TiN峰和TiC峰,薄膜存在TiN和TiC两相共存.与TiN,TiC相比,Ti(C,N)薄膜具有更高硬度,当C原子含量x=0.582时,Ti(C,N)薄膜硬度达到最大值为33.6 GPa,且表现出更低的摩擦系数和更好的耐磨性能. 展开更多

关键词 非平衡磁控溅射(UBMS) TiCxN1-x薄膜 硬度 摩擦系数

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电弧离子镀阴极靶材起弧控制电路的设计及仿真 被引量：1

4

作者 弥谦 苏朝辉 《西安工业大学学报》 CAS 2015年第4期265-270,共6页

为了清除电弧离子镀接触式引弧容易造成引弧针与靶材粘连的问题,文中采用新式的引弧针非接触式高压脉冲引弧方式优化了阴极靶材的起弧结构.论述了控制电路的实现方案,进行了绝缘栅双极型晶体管的驱动电路、多谐振荡器、电压比较电路的设... 为了清除电弧离子镀接触式引弧容易造成引弧针与靶材粘连的问题,文中采用新式的引弧针非接触式高压脉冲引弧方式优化了阴极靶材的起弧结构.论述了控制电路的实现方案,进行了绝缘栅双极型晶体管的驱动电路、多谐振荡器、电压比较电路的设计,对控制电路环节的性能进行了仿真测试,制作了电路PCB板并对其进行了检测.仿真与实验结果表明:在初次引弧和靶材熄弧时能够生成高压脉冲,而在引弧稳定后可以关闭脉冲信号,符合设计需要,镀膜工作时能够保持靶源电弧的持续稳定,稳定性较高,达到预期效果. 展开更多

关键词 起弧控制 电弧离子镀 绝缘栅双极型晶体管 高压脉冲

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分色滤光片的实现及基本工艺 被引量：3

5

作者 弥谦 刘卫国 +1 位作者 韩军 强西林 《西安工业学院学报》 1997年第2期117-120,共4页

利用截止滤光片可以实现分色目的，而通过合理设计膜系参数，带通滤光片也可达到类似目的．本文对用于分色的截止和带通滤光片的特点作了对比；并讨论了要从工艺上实现这两类膜系需要解决的基本问题．

关键词 截止滤光片 带通 滤光片 分色片 膜系允差

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脉冲离子镀膜中的脉冲计数 被引量：1

6

作者 弥谦 樊超 舒朝濂 《西安工业学院学报》 2005年第1期28-31,共4页

　在脉冲真空电弧离子镀膜过程中,膜层厚度的控制至关重要.由其镀膜机理可知,膜层厚度与脉冲放电次数之间成线性正比关系,可以通过对脉冲放电次数进行计数的方法达到控制膜层厚度的目的.然而,脉冲计数的准确性受到很多因素的影响,分析... 　在脉冲真空电弧离子镀膜过程中,膜层厚度的控制至关重要.由其镀膜机理可知,膜层厚度与脉冲放电次数之间成线性正比关系,可以通过对脉冲放电次数进行计数的方法达到控制膜层厚度的目的.然而,脉冲计数的准确性受到很多因素的影响,分析认为主要是由外界电磁干扰和多斑点的产生引起计数的不准确.为此,采用了加入延时电路的方法提高计数的准确性.实验表明,采用这种计数电路减少计数误差是可行的,并能将误差控制在5%的范围内,能够很好的满足薄膜沉积的工艺要求. 展开更多

关键词 脉冲真空电弧离子镀膜 脉冲计数 误差 延时电路

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Ar/CH_4流量比对a-C∶H薄膜沉积速率及性能的影响

7

作者 弥谦 王超 +2 位作者 惠迎雪 张艳茹 杭凌侠 《西安工业大学学报》 CAS 2012年第8期608-612,共5页

为研究气体流量比对非平衡磁控溅射沉积含氢类金刚石薄膜(Diamond-Like Carbon,DLC)沉积速率及性能的影响,在不同Ar/CH4流量比条件下将a-C∶H沉积在单晶硅基底,采用傅里叶红外光谱、椭偏仪、表面轮廓仪对薄膜的沉积速率、光学特性及表... 为研究气体流量比对非平衡磁控溅射沉积含氢类金刚石薄膜(Diamond-Like Carbon,DLC)沉积速率及性能的影响,在不同Ar/CH4流量比条件下将a-C∶H沉积在单晶硅基底,采用傅里叶红外光谱、椭偏仪、表面轮廓仪对薄膜的沉积速率、光学特性及表面粗糙度进行研究.实验结果表明:引入甲烷气体后,非平衡磁控溅射沉积a-C∶H薄膜沉积速率大幅度提高;在3～5μm波段硅基底上镀制a-C∶H膜具有良好的红外增透特性,薄膜峰值透射率明显受到Ar/CH4流量比的影响,Ar/CH4流量比1∶3时,制备的a-C∶H峰值透过率可达69.24%;a-C∶H薄膜的折射率和消光系数随着CH4流量的增加而增大;a-C薄膜的粗糙度要优于a-C∶H薄膜,a-C∶H薄膜的粗糙度随厚度的增加而变大. 展开更多

关键词 a-C∶H薄膜 非平衡磁控溅射 气体流量比 光学性能

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磁约束磁控溅射源工作特性及沉积速率的分析

8

作者 弥谦 潘婷 袁渊明 《西安工业大学学报》 CAS 2011年第3期221-224,共4页

为了提高靶材的利用率,将磁约束原理应用于磁控溅射技术中.采用直流矩形平面磁控溅射源,测量了磁约束磁控溅射源稳定工作状态下的伏安特性及在恒功率模式下真空度与靶电流之间的关系,研究了沉积速率与Ar气流量、溅射功率等因素之间的关... 为了提高靶材的利用率,将磁约束原理应用于磁控溅射技术中.采用直流矩形平面磁控溅射源,测量了磁约束磁控溅射源稳定工作状态下的伏安特性及在恒功率模式下真空度与靶电流之间的关系,研究了沉积速率与Ar气流量、溅射功率等因素之间的关系.确定了磁约束磁控溅射源稳定工作时的最佳工艺参数.实验表明:磁约束磁控溅射源稳定工作的电压范围是400～750 V,工作真空度范围是3.7～4.7 Pa,在Ar气流量为220 sccm时膜层具有最大沉积速率为54.6 nm/min. 展开更多

关键词 磁约束 磁控溅射 磁控溅射源 沉积速率

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直流磁过滤电弧源制备银膜的工艺参数研究

9

作者 弥谦 冯晓 《西安工业大学学报》 CAS 2013年第12期952-956,共5页

为了探索电弧离子镀技术制备银薄膜中相关的工艺参数,利用直流磁过滤电弧源在K9玻璃和硅片上制备了银膜,通过白光干涉仪和剥离实验对所制备银膜的厚度、表面粗糙度和附着力进行检测,分析靶电流、基片偏压和过渡层对银薄膜沉积速率、粗... 为了探索电弧离子镀技术制备银薄膜中相关的工艺参数,利用直流磁过滤电弧源在K9玻璃和硅片上制备了银膜,通过白光干涉仪和剥离实验对所制备银膜的厚度、表面粗糙度和附着力进行检测,分析靶电流、基片偏压和过渡层对银薄膜沉积速率、粗糙度及附着力等特性的影响.实验结果表明:当靶电流为90.0A时,沉积速率为1.84nm/s,在偏压为+10V时,得到膜层粗糙度为0.535 5nm;利用过渡层的辅助,通过电弧离子镀有效地提高了银膜的附着力. 展开更多

关键词 直流磁过滤 电弧源 银膜 靶电流

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直流磁过滤电弧源沉积氧化钛薄膜的光学特性

10

作者 弥谦 刘哲 《西安工业大学学报》 CAS 2012年第4期270-273,共4页

为了探索电弧源离子镀技术制备的氧化钛薄膜的透射率、消光系数和折射率,利用直流磁过滤电弧源在K9玻璃基底上制备了氧化钛薄膜,通过分光光度计和椭偏仪对薄膜的透射率、折射率和消光系数等光学特性和沉积速率进行分析研究.研究结果表明... 为了探索电弧源离子镀技术制备的氧化钛薄膜的透射率、消光系数和折射率,利用直流磁过滤电弧源在K9玻璃基底上制备了氧化钛薄膜,通过分光光度计和椭偏仪对薄膜的透射率、折射率和消光系数等光学特性和沉积速率进行分析研究.研究结果表明:波长在400～700nm之间,氧化钛薄膜的折射率为2.3389～2.1189;消光系数在10-3数量级上,消光系数小,薄膜吸收小,薄膜峰值透射率接近K9基底的透射率;沉积时间30min,薄膜的厚度是678.2nm,电弧源离子镀技术沉积氧化钛薄膜的平均速率为22.6nm/min. 展开更多

关键词 直流磁过滤电弧源 氧化钛薄膜 光学特性 沉积速率

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平面光学元件微位移测量及仿真

11

作者 弥谦 赵昊天 《西安工业大学学报》 CAS 2017年第5期357-362,共6页

为了实现针对平面光学元件的微位移测量,提出了一种新型的基于消光式椭偏法的测量方法.通过对光线传播过程中椭圆偏振态的变化进行分析,推导出了在消光条件下,平面光学元件标准件与被测件之间的间距与起偏器方位角及检偏器方位角之间的... 为了实现针对平面光学元件的微位移测量,提出了一种新型的基于消光式椭偏法的测量方法.通过对光线传播过程中椭圆偏振态的变化进行分析,推导出了在消光条件下,平面光学元件标准件与被测件之间的间距与起偏器方位角及检偏器方位角之间的函数关系,根据起偏器与检偏器方位角得出被测件相对标准件发生位移前后的间距,从而得出位移量的数值.仿真结果表明:入射角为60°,实验仪器测角精度为5′时,这种方法能够实现测量范围在250nm以内,测量精度为10nm的微位移测量. 展开更多

关键词 椭偏法 消光法 平面光学元件 微位移测量

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脉冲多弧离子源引弧效率的定量检测与过程控制

12

作者 弥谦 杭凌侠 朱昌 《西安工业学院学报》 1997年第3期189-191,共3页

介绍了一种应用于脉冲多弧离子源镀膜过程控制的电子监控装置．用该装置定量检测脉冲多弧离子源的引弧效率，克服了因停弧带来的膜厚误差的缺点．本文主要叙述了该装置的工作原理及有关电路．

关键词 脉冲多弧离子源 控制电路 监控装置 镀膜

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宽束冷阴极离子源离子能量及能量分布的研究 被引量：6

13

作者 徐均琪 弥谦 +2 位作者 杭凌侠 严一心 董网妮 《光电工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期23-27,53,共6页

介绍了一种用于离子束辅助沉积光学薄膜的新型宽束冷阴极离子源，详细叙述了该源的结构和工作过程。采用五栅网离子能量测试装置研究了离子源的离子能量及能量分布。结果表明，探针接收的离子最低能量随着引出电压和真空度的升高而升高... 介绍了一种用于离子束辅助沉积光学薄膜的新型宽束冷阴极离子源，详细叙述了该源的结构和工作过程。采用五栅网离子能量测试装置研究了离子源的离子能量及能量分布。结果表明，探针接收的离子最低能量随着引出电压和真空度的升高而升高。离子能量分布概率密度函数为单峰函数，其峰值位置随着真空度的降低向低能量方向移动，随着引出电压的升高向高能量方向移动。当引出电压为200～1200V时，离子平均能量为600-1600eV，呈线性规律变化。这种离子源的离子平均初始动能约为430-480eV。了解和掌握离子源的这些特性和参数，可以有效的对镀膜过程的微观环境（离子密度、离子能量等）进行控制，促进薄膜制备工艺更好地进行。 展开更多

关键词 离子能量 能量分布 离子源 离子束辅助沉积(IBAD) 薄膜

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光学振镜转角与扫描角度变化关系的研究 被引量：5

14

作者 孙国斌 弥谦 《西安工业大学学报》 CAS 2010年第5期421-424,共4页

为降低或消除扫描光束光强变化对反射率测试影响,利用光学扫描振镜提供扫描光路.对扫描光路几何关系进行理论推导得出扫描角度与振镜转角及初始入射角的函数关系,利用Matlab对函数进行分析计算,计算结果数据表明:初始入射角不为零时,振... 为降低或消除扫描光束光强变化对反射率测试影响,利用光学扫描振镜提供扫描光路.对扫描光路几何关系进行理论推导得出扫描角度与振镜转角及初始入射角的函数关系,利用Matlab对函数进行分析计算,计算结果数据表明:初始入射角不为零时,振镜转角小于10°时扫描角度随振镜转角线性变化,线性度可达到1%且振镜转角越小线性度越好.扫描光束线性度越好光束光强变化越小,对镜面反射率测试的影响越小. 展开更多

关键词 光学扫描振镜 振镜转角 扫描角度 初始入射角

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轴对称非球面设计参数测试技术 被引量：1

15

作者 陈智利 弥谦 +1 位作者 郭忠达 阳志强 《兵工自动化》 2016年第4期60-63,共4页

针对未知设计参数的旋转对称非球面,讨论了面型参数的拟合方法,对轴对称非球面设计参数测试技术进行了研究。利用接触式探针轮廓仪的测量数据,通过多项式拟合给出对称轴和顶点曲率初值,利用最小二乘法与约束变尺度迭代原理,对测量数据... 针对未知设计参数的旋转对称非球面,讨论了面型参数的拟合方法,对轴对称非球面设计参数测试技术进行了研究。利用接触式探针轮廓仪的测量数据,通过多项式拟合给出对称轴和顶点曲率初值,利用最小二乘法与约束变尺度迭代原理,对测量数据进行曲线拟合,获得非球面的设计参数值,拟合参数计算的面形数据与实测数据相比较,得到误差曲线及相应得面形误差PV值。拟合分析结果表明:该算法具有收敛速度快、稳定性好的特点,拟合参数很好地还原了加工曲面的设计参数,能够满足非球面镜的超精密加工精度要求,为非球面镜加工质量的评价以及后续补正加工提供了理论依据。 展开更多

关键词 非球面检测 拟合算法 最小二乘法 约束变尺度法

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脉冲电弧离子镀中的放电稳定性 被引量：1

16

作者 樊超 弥谦 《纺织高校基础科学学报》 CAS 2005年第4期352-355,共4页

脉冲电弧离子镀膜技术是近几十年来新发展的一种镀膜方法,有着广阔的应用前景.然而,在镀膜过程中,出现的拉弧和停弧现象严重影响了脉冲放电的稳定性,进而影响了膜层质量和镀膜效率.为此,采用两级电容充电的引弧方式来减拉弧现象;同时,... 脉冲电弧离子镀膜技术是近几十年来新发展的一种镀膜方法,有着广阔的应用前景.然而,在镀膜过程中,出现的拉弧和停弧现象严重影响了脉冲放电的稳定性,进而影响了膜层质量和镀膜效率.为此,采用两级电容充电的引弧方式来减拉弧现象;同时,使用双脉冲触发方法来提高放电的可靠性,减少停弧现象的产生.使用改进后的离子源实验表明,镀膜过程中拉弧和停弧现象明显减少,脉冲放电更为稳定.由此说明,对离子源放电稳定性的改造是有效的,能够很好的满足薄膜镀制的需要. 展开更多

关键词 脉冲电弧 拉弧 停弧 放电稳定性

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光学薄膜厚度监控——极值点判断方法研究 被引量：7

17

作者 韩军 弥谦 杨晓军 《西安工业学院学报》 2001年第2期105-109,共5页

提出了一种计算机自动判读极值点的方法 .利用此方法可以在光学薄膜厚度监控过程中 ,实现计算机对规整λ/4膜系膜层厚度的自动监控 .此方法具有监控精度高。

关键词 自动监控 薄膜厚度 极值点 光学薄膜 计算机

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脉冲碳等离子体源发射特性研究 被引量：1

18

作者 杭凌侠 蔡长龙 +3 位作者 弥谦 严一心 李刚 朱昌 《西安工业学院学报》 2003年第4期289-293,共5页

　研究讨论了在脉冲工作方式下,碳等离子体源的发射特性.根据离子束流分布和膜层厚度测试结果,分析了影响脉冲碳等离子体源发射特性的因素.给出了改善脉冲碳等离子体源发射特性的途径.

关键词 脉冲电弧 碳等离子体源 发射特性 束流分布 膜层厚度 真空电弧离子镀

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一种利用单片机的灯头红外遥控系统

19

作者 何小映 弥谦 《现代电子技术》 2003年第21期34-36,共3页

介绍了灯头红外遥控系统的一种设计方法 ,将单片机技术、模拟电子技术、数字电子技术及红外光学相结合。论述了开关控制、亮度控制、定时控制的实现电路和原理 ,实现了灯头的红外遥控。

关键词 单片机 灯头红外遥控系统 模拟电子 数字电子 开关控制 亮度控制 定时控制

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窄带滤光片光学极值法直接监控的光学设计

20

作者 杨聚庆 弥谦 《西安工业大学学报》 CAS 2008年第4期319-322,327,共5页

窄带滤光片是应用于光谱学、激光、天文物理学、通信等各个领域的光学组件,精确控制每一层膜厚是制备滤光片的困难所在.采用光学极值法直接监控工件,可以同时制备多件滤光片.设计了监控光路和信号获得电路,通过探测到的测试信号,监控薄... 窄带滤光片是应用于光谱学、激光、天文物理学、通信等各个领域的光学组件,精确控制每一层膜厚是制备滤光片的困难所在.采用光学极值法直接监控工件,可以同时制备多件滤光片.设计了监控光路和信号获得电路,通过探测到的测试信号,监控薄膜膜厚,实现了直接监控. 展开更多

关键词 窄带滤光片 光学极值法 光学设计 直接监控

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