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大功率器件基板散热技术研究进展
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作者 兰梦伟 姬峰 +6 位作者 王成伟 孙浩洋 杜建宇 徐晋宏 王晶 张鹏哲 王明伟 《电子与封装》 2025年第3期108-122,共15页
电子器件正朝着高性能和小型化方向发展,频率、功率和集成度不断提高,其内部大功率芯片产生的热量急剧增加,不仅影响器件工作效率和稳定性,还直接关系到整个系统的安全性和可靠性。大功率器件产生的热量主要依靠封装基板提供耗散通道,... 电子器件正朝着高性能和小型化方向发展,频率、功率和集成度不断提高,其内部大功率芯片产生的热量急剧增加,不仅影响器件工作效率和稳定性,还直接关系到整个系统的安全性和可靠性。大功率器件产生的热量主要依靠封装基板提供耗散通道,因此研究基板散热技术尤为重要。详细介绍了金属基板、陶瓷基板、复合材料基板等常规基板散热技术和微流道散热技术、相变散热技术、热电散热技术等新型基板散热技术的研究现状。其中,歧管微流道金刚石基板以及多种散热方式协同应用基板具备优异的冷却性能,有望大幅提高电子器件的功率和寿命。通过分析各种基板散热技术,期望为相关领域的研究和应用提供有价值的参考。 展开更多
关键词 大功率器件 基板散热 冷却性能
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W频段封装天线阵列集成技术研究
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作者 张鹏哲 魏绍仁 +3 位作者 冯青华 兰元飞 孙浩洋 郭中原 《科学技术创新》 2024年第11期33-36,共4页
以W频段封装天线(AIP)为研究对象,针对集成制造中的倒装精度差、一致性与成品率低等问题,从吸嘴材质、结构设计、焊盘预处理以及工艺曲线优化等方面开展研究,结合金相切剖结果评判封装天线集成制造效果。结果表明通过选用基于氧化铝材... 以W频段封装天线(AIP)为研究对象,针对集成制造中的倒装精度差、一致性与成品率低等问题,从吸嘴材质、结构设计、焊盘预处理以及工艺曲线优化等方面开展研究,结合金相切剖结果评判封装天线集成制造效果。结果表明通过选用基于氧化铝材质的十字结构吸嘴、对焊盘表面进行等离子与汽相清洗、合适工艺参数曲线完成集成制造的封装天线的焊接空洞率≤5%,层间对准精度优于20μm,剪切强度≥60 MPa,实现了封装天线高精度、高可靠的集成制造。 展开更多
关键词 W频段 封装天线 高精度倒装
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硅基芯片低空洞率底部填充工艺技术研究
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作者 兰元飞 焦庆 +4 位作者 姬峰 张鹏哲 孙浩洋 尤嘉 郭珍荣 《科学技术创新》 2024年第6期91-94,共4页
以相控阵天线接收子阵硅基芯片为研究对象,从底部填充点胶针头选型、倒装芯片清洗、底部填充胶分配模式方面研究了硅基芯片底部填充工艺技术,测试了芯片底部填充外观、芯片底部填充空洞率以及接收子阵电性能。结果表明使用合适的点胶针... 以相控阵天线接收子阵硅基芯片为研究对象,从底部填充点胶针头选型、倒装芯片清洗、底部填充胶分配模式方面研究了硅基芯片底部填充工艺技术,测试了芯片底部填充外观、芯片底部填充空洞率以及接收子阵电性能。结果表明使用合适的点胶针头、选取适宜的清洗条件、采用适宜的底部填充胶分配模式完成底部填充的硅基芯片边缘胶层无开裂、无空洞,底部填充胶高度约为芯片厚度的2/3,底部填充区总空洞率<10%,单个空洞率<2%,底部填充后接收子阵增益下降≤2 dB,满足接收子阵性能指标要求。实现了接收子阵硅基芯片低空洞率底部填充工艺技术的应用。 展开更多
关键词 硅基芯片 底部填充 工艺技术
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导电胶粘接可伐载体的仿真模拟分析 被引量:1
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作者 李政 孔令磊 +2 位作者 姬峰 张鹏哲 胡科 《科学技术创新》 2022年第30期189-192,共4页
建立了某混合微电子模块粘接失效分析模型,探索了载板尺寸、温度对可伐载板粘接性能的影响律。通过采用仿真模拟分析的方法,研究了在不同工况下导电胶粘接面的应力分布情况,并分析了应力变形与温度随时间的影响规律,不仅得到了载板尺寸... 建立了某混合微电子模块粘接失效分析模型,探索了载板尺寸、温度对可伐载板粘接性能的影响律。通过采用仿真模拟分析的方法,研究了在不同工况下导电胶粘接面的应力分布情况,并分析了应力变形与温度随时间的影响规律,不仅得到了载板尺寸大小和粘接可靠性、温度变化范围与粘接性能均为负相关的结论,且可以为后续研究提供参考。 展开更多
关键词 导电胶 可伐载板 温度幅度 可靠性能
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大功率芯片高精度自动共晶焊接工艺技术研究
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作者 兰元飞 姬峰 +4 位作者 焦庆 张鹏哲 王代兴 张晓宇 郑晓华 《航天制造技术》 2022年第3期61-64,共4页
以固态发射机大功率芯片为研究对象,从自动共晶焊接专用吸嘴设计、大功率芯片载体表面可焊性、焊料片尺寸、焊接温度等方面研究了大功率芯片高精度自动共晶焊接工艺技术,测试了大功率芯片外观、空洞率、共晶焊接强度、共晶焊接精度。结... 以固态发射机大功率芯片为研究对象,从自动共晶焊接专用吸嘴设计、大功率芯片载体表面可焊性、焊料片尺寸、焊接温度等方面研究了大功率芯片高精度自动共晶焊接工艺技术,测试了大功率芯片外观、空洞率、共晶焊接强度、共晶焊接精度。结果表明,使用合适的共晶焊接吸嘴、选取适宜的芯片焊接载体、采用优化尺寸的焊料片以及适宜的焊接参数完成焊接的大功率芯片,每个边长的75%以上有焊料溢出,焊接层总空洞率≤10%,有源区焊接层空洞率≤3%,剪切强度满足标准要求,自动共晶焊接精度优于15μm,实现了大功率芯片高精度、高可靠性自动共晶焊接工艺技术的应用。 展开更多
关键词 大功率芯片 高精度 共晶焊接工艺技术
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