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题名高阻衬底集成电路抗闩锁效应研究
被引量：1
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作者
程东方
张铮栋
吕洪涛
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机构
上海大学微电子研发中心
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第6期517-519,共3页
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基金
上海市引进技术的吸收与创新年度计划项目(05ZBXX1-24)
上海市科委国际合作基金项目(055207041)
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文摘
研究用增加多子保护环的方法抑制功率集成电路的闩锁效应,首次给出环距、环宽设计与寄生闩锁触发阈值的数量关系,并比较了不同结深的工序作为多子环的效果。对于确定的设计规则,还比较了不同电阻率衬底材料的CMOS单元中的闩锁效应,结果表明合理设计可以有效地改善高阻衬底的寄生闩锁效应,仿真结果验证了正确性。
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关键词
闩锁效应
多子保护环
高阻衬底
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Keywords
latch up
majority carrier guarding
high resistance substrate
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分类号
TN405
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名BP神经网络法在高压LDMOS器件设计中的应用
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作者
程东方
吕洪涛
张铮栋
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机构
上海大学微电子研发中心新型显示技术及应用集成教育部重点实验室
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第5期381-383,408,共4页
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基金
上海市引进技术的吸收与创新年度计划项目(05ZBXX1-24)
上海市科委国际合作基金项目(055207041)
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文摘
利用一个3×5×1的3层BP神经网络结构对高压LDMOS的器件性能进行优化设计。将3个重要的工艺参数n-drift层注入剂量、p-top层注入剂量和p-top层长度作为网络的输入,LDMOS击穿电压作为网络的输出,利用训练得到的网络对工艺参数进行优化。结果表明,训练样本和测试样本的网络输出值和通过TCAD工具得到的测量值均非常接近,得到的最优工艺参数非常理想。
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关键词
高压横向扩散金属氧化物半导体
优化
反向传播神经网络
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Keywords
HV LDMOS
optimization
BP neural network
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分类号
TN386
[电子电信—物理电子学]
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