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题名对表面势为基础的MOSFET片电荷模型的基本检验
被引量：2
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作者
何进
牛旭东
张钢刚
张兴
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机构
北京大学信息科学技术学院微电子学系纳太器件和电路研究室
北京大学深圳研究生院信息工程学院
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出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第11期1986-1989,共4页
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基金
国家自然科学基金(No.90607017)
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文摘
本文完成了对多种表面势为基础的MOSFET片电荷(charge-sheet)模型反型层电荷和沟道电流计算的基本检验.相对于以基本的MOSFET器件物理为基础的Pao-Sah模型结果,大多数片电荷模型在不同的工作区域内都会出现不同程度的反型层电荷计算误差.为了模拟沟道电流,MOSFET片电荷模型必须使用一个半经验的沟道电流方程.这个近似会导致沟道电流方程和反型层电荷方程之间物理上的不自恰,从而使计算的沟道电流结果与Pao-Sah模型相比有近10%的误差.这些基本的检验结果表明:为了保持基本的MOSFET器件物理内容和Pao-Sah模型的高精度,以表面势为基础的片电荷模型还需要一些根本的器件物理改进和进一步的模型精度提高.
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关键词
MOSFETS
器件物理
集约模型
片电荷近似
基本检验
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Keywords
MOSFETs
device physics
compact modeling
surface potential
charge-sheet model
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分类号
TN386
[电子电信—物理电子学]
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题名SiP—实现真正意义SoC的可行途径
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作者
吉利久
张钢刚
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机构
北京大学微电子系MPW中心
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出处
《中国集成电路》
2009年第2期9-12,21,共5页
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文摘
1 单片SoC的局限SoC问世之初，人们对它寄予厚望，憧憬着“系统芯片”的美好未来，那是上个世纪90年代的事。将近20年过去，以嵌入IP为特征的SoC，不断扩展工艺内涵，朝着实现“系统芯片”的目标努力。也许是当初人们的期望过高，也许是因为“系统”的内涵太泛，目前SoC可以实现的只能算是子系统，还没有达到在芯片上实现真正意义系统的水平。
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关键词
SOC
子系统
芯片
单片
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分类号
TN405
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名高性能的标准单元库设计
被引量：2
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作者
卢俊
贾嵩
王源
张钢刚
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机构
北京大学微电子学研究院MPW中心
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出处
《航空计算技术》
2007年第3期86-89,93,共5页
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文摘
从仿真和流片两个方面对标准单元库的验证方法进行了研究。在仿真方面,提出了采用静态时序分析工具和SPICE仿真工具对单元的估算值和仿真结果进行比较分析的方法来验证,同时还给出了具体的操作步骤实例。在流片验证中,提出了一种非常有效的电路结构。这种电路结构不但能够准确验证时序,还能极大地减少PAD数量;最重要的特点是:该电路能够完全避免PAD和非被测单元的引入带来的额外延迟,从而得到准确的被测单元延迟。
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关键词
标准单元库
综合
静态时序分析
库验证
非线性时序模型
流片
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Keywords
standard cell Library
synthesis
static tinting analysis（STA）
cell validation
nonlinear delay model
tape out
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分类号
TN6
[电子电信—电路与系统]
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