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镀铜厚度对裸铜框架抗氧化性能的影响
被引量：
2
1
作者
张胡军
张
进兵
+4 位作者
安飞
雷育恒
温莉
刘殿龙
李习周
《电子与封装》
2013年第1期9-11,16,共4页
采用双臂电桥法测量了不同氧化程度的裸铜框架的电阻，在此基础上分析了烘箱内氧浓度、烘烤温度和框架表面镀铜厚度对框架氧化程度的影响。研究发现，在氧浓度≤0．1％的氮气保护环境中，经过180℃烘烤60min后，裸铜框架的氧化程度大于...
采用双臂电桥法测量了不同氧化程度的裸铜框架的电阻，在此基础上分析了烘箱内氧浓度、烘烤温度和框架表面镀铜厚度对框架氧化程度的影响。研究发现，在氧浓度≤0．1％的氮气保护环境中，经过180℃烘烤60min后，裸铜框架的氧化程度大于无氮气保护下100℃烘烤60min后的氧化程度；镀铜层能有效提高裸铜框架在100-180℃范围内的抗氧化能力，镀铜层较厚（1．0岬）的裸铜框架的抗氧化能力优于镀铜层较薄（0．5岬）的裸铜框架的抗氧化能力。
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关键词
裸铜框架
双臂电桥
电阻
镀铜厚度
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职称材料
铜框架表面氧化过程及氧化膜厚度测量
被引量：
1
2
作者
张
运娟
张胡军
+1 位作者
何文海
高睿
《中国集成电路》
2014年第4期55-58,76,共5页
在集成电路封装过程中,表面氧化是制约铜框架大批量应用于生产的主要原因,而框架表面氧化程度的测量和管控是铜框架应用于封装的关键点。本文运用金属氧化理论阐述了铜框架表面氧化过程及机理;进行铜框架烘烤氧化实验后测量框架表面的...
在集成电路封装过程中,表面氧化是制约铜框架大批量应用于生产的主要原因,而框架表面氧化程度的测量和管控是铜框架应用于封装的关键点。本文运用金属氧化理论阐述了铜框架表面氧化过程及机理;进行铜框架烘烤氧化实验后测量框架表面的氧化膜厚度,通过对测量数据拟合得到铜框架氧化膜生长曲线,从而可以预测铜框架在封装过程中的氧化程度,为集成电路封装工艺的设计和管控提供依据。
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关键词
铜框架
表面氧化
氧化膜厚度
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职称材料
题名
镀铜厚度对裸铜框架抗氧化性能的影响
被引量：
2
1
作者
张胡军
张
进兵
安飞
雷育恒
温莉
刘殿龙
李习周
机构
天水华天科技股份有限公司
出处
《电子与封装》
2013年第1期9-11,16,共4页
文摘
采用双臂电桥法测量了不同氧化程度的裸铜框架的电阻，在此基础上分析了烘箱内氧浓度、烘烤温度和框架表面镀铜厚度对框架氧化程度的影响。研究发现，在氧浓度≤0．1％的氮气保护环境中，经过180℃烘烤60min后，裸铜框架的氧化程度大于无氮气保护下100℃烘烤60min后的氧化程度；镀铜层能有效提高裸铜框架在100-180℃范围内的抗氧化能力，镀铜层较厚（1．0岬）的裸铜框架的抗氧化能力优于镀铜层较薄（0．5岬）的裸铜框架的抗氧化能力。
关键词
裸铜框架
双臂电桥
电阻
镀铜厚度
Keywords
bare-copper leadframe
double bridge
resistances
thickness of copper coating
分类号
TN305.94 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
铜框架表面氧化过程及氧化膜厚度测量
被引量：
1
2
作者
张
运娟
张胡军
何文海
高睿
机构
天水华天科技股份有限公司
出处
《中国集成电路》
2014年第4期55-58,76,共5页
文摘
在集成电路封装过程中,表面氧化是制约铜框架大批量应用于生产的主要原因,而框架表面氧化程度的测量和管控是铜框架应用于封装的关键点。本文运用金属氧化理论阐述了铜框架表面氧化过程及机理;进行铜框架烘烤氧化实验后测量框架表面的氧化膜厚度,通过对测量数据拟合得到铜框架氧化膜生长曲线,从而可以预测铜框架在封装过程中的氧化程度,为集成电路封装工艺的设计和管控提供依据。
关键词
铜框架
表面氧化
氧化膜厚度
Keywords
copper leadframe
Surface oxidation
Film thickness
分类号
TH821.1 [机械工程—精密仪器及机械]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
镀铜厚度对裸铜框架抗氧化性能的影响
张胡军
张
进兵
安飞
雷育恒
温莉
刘殿龙
李习周
《电子与封装》
2013
2
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职称材料
2
铜框架表面氧化过程及氧化膜厚度测量
张
运娟
张胡军
何文海
高睿
《中国集成电路》
2014
1
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职称材料
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参考文献
引证文献
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