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题名IGBT及其应用的新进展
被引量：2
- 1
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作者
张秀澹
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机构
电力电子专业协会
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1991年第1期1-7,共7页
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文摘
本文主要介绍1989年至1990年的两年中IGBT的新进展,特别是IGBT应用的新进展,以说明IGBT不仅是电力半导体器件中的热门器件,而且已开始进入实用化阶段。
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关键词
电力电子器件
IGBT
半导体器件
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分类号
TN305
[电子电信—物理电子学]
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题名功率SIT和功率SITH的新进展
被引量：1
- 2
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作者
张秀澹
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机构
电力电子专业协会
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1993年第2期1-3,共3页
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文摘
本文扼要地介绍了新型电力半导体器件SIT和SITH的研制、生产和应用的发展情况.说明SIT和SITH已从试制阶段进入实用化阶段.
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关键词
半导体器件
晶体管
晶闸管
电力
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分类号
TN305
[电子电信—物理电子学]
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题名开关电源及其应用概述
被引量：1
- 3
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作者
张秀澹
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机构
电力电子专业协会
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1992年第2期8-12,共5页
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文摘
开关电源按变流电路方式可分为脉冲宽度、调制变流器和谐振型变流器,它们广泛应用在产业和民用电子机器中,美国预计1992年将销售32亿美元,日本目前开关电源市场规模己达2000亿日元。
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关键词
开关电源
半导体器件
关断
开通
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分类号
TN86
[电子电信—信息与通信工程]
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题名IGBT及其应用的发展概况
被引量：1
- 4
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作者
张秀澹
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机构
西安电力电子技术研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1990年第3期1-7,共7页
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文摘
一、前言 1984年,美国B.T.Baliga等首先发表绝缘门极双极晶体管IGBT(Insulated GateBipolar Transistor)。由于IGBT兼备有MOSFET的高输入阻抗、快速性和双极达林顿晶体管(GTR)的高电流密度、低饱和电压的优点,所以深受电路设计者的欢迎。但是,最初由美国G.E开发的IGBT,它的下降时间长(数毫秒)导致开关速度慢,而且内有寄生PNPN晶闸管,该晶闸管在一定工作条件(特别是过流)下掣住,保持导通状态,使IGBT失去自关断能力,这些缺点在一定程度上妨碍了IGBT的推广应用。近两年来。
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关键词
IGBT
双极晶体管
晶体管
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分类号
TN322.8
[电子电信—物理电子学]
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题名IGBT智能功率模块(IPM)的发展
被引量：1
- 5
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作者
张秀澹
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机构
电力电子专业协会
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1992年第5期6-8,共3页
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文摘
智能功率模块已从第一代发展到第三代。本文以绝缘门极晶体管模块(IGBT模块) 为例,介绍智能功率模块(IPM)的发展概况。
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关键词
功能模块
半导体
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分类号
TN3
[电子电信—物理电子学]
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题名静电感应晶闸管应用技术的发展
- 6
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作者
张秀澹
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1994年第1期46-49,共4页
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文摘
静电感应晶闸管是一种接近理想的功率开关器件，它是解决当前发电、输电、电力变换和损耗的关键器件。本文主要介绍静电感应晶闸管的应用范围和它在高压直流输电、感应加热和熔炼、铜蒸发激光器等方面的应用技术。
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关键词
静电感应
晶闸管
应用
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分类号
TN34
[电子电信—物理电子学]
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题名日本IGBT门极驱动模块
- 7
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作者
张秀澹
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机构
电力电子专业协会
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1992年第1期24-27,33,共5页
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文摘
IGBT绝缘门极双极晶体管的门极驱动电路很多,分立式驱动电路既实用又经济,但要求达到预期的性能尚较困难,尤其是由于IGBT内寄生晶体管和寄生电容的存在,门极驱动与损坏时脉宽的关系(+V_G损坏时脉宽变窄)等原因,驱动电路的设计考虑门极信号受主电流的影响,这种影响将使负载短路波形变差。而驱动模块具有良好的驱动性能。下面简单介绍东芝公司生产的与本公司IGBT配套使用的TF1205、TF1206驱动模块和富士开发的IGBT驱动模块,以供国内设计和生产IGBT驱动模块时参考使用。
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关键词
双极
晶体管
驱动模块
IGBT门级
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分类号
TN322.8
[电子电信—物理电子学]
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题名MCZ硅单晶及其应用
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作者
张秀澹
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机构
西安整流器研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1989年第1期16-17,共2页
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文摘
自1980年日本铃木等发表MCZ(加磁场直拉)硅单晶以来,经过6年多的努力,MCZ硅单晶用作半导体器件的基片已占有巩固的地位.
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关键词
硅单晶
MCI
半导体材料
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分类号
TN304.12
[电子电信—物理电子学]
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