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P-InP MIS结构界面陷阱的深能级研究
1
作者
卢励吾
周洁
+1 位作者
瞿伟
张盛廉
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1993年第11期72-75,共4页
对经PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)生长的P-InP MIS结构的界面陷阱进行了研究。样品介质膜生长是在特定条件下进行的。分别利用C-V和DLTS(Deep Level Tran sient Spectroscopy)技术进行研究。结果表明,在介质膜和In...
对经PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)生长的P-InP MIS结构的界面陷阱进行了研究。样品介质膜生长是在特定条件下进行的。分别利用C-V和DLTS(Deep Level Tran sient Spectroscopy)技术进行研究。结果表明,在介质膜和InP之间的InP一侧有界面陷阱存在,并获得了与之有关的深能级参数。这些陷阱可能是在不同生长条件的介质膜淀积过程中等离子体引进的有关辐照损伤。
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关键词
MIS结构
界面陷阱
深能级
INP
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职称材料
题名
P-InP MIS结构界面陷阱的深能级研究
1
作者
卢励吾
周洁
瞿伟
张盛廉
机构
半导体超晶格国家重点实验室中国科学院半导体研究所
中国科学院半导体研究所
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1993年第11期72-75,共4页
文摘
对经PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)生长的P-InP MIS结构的界面陷阱进行了研究。样品介质膜生长是在特定条件下进行的。分别利用C-V和DLTS(Deep Level Tran sient Spectroscopy)技术进行研究。结果表明,在介质膜和InP之间的InP一侧有界面陷阱存在,并获得了与之有关的深能级参数。这些陷阱可能是在不同生长条件的介质膜淀积过程中等离子体引进的有关辐照损伤。
关键词
MIS结构
界面陷阱
深能级
INP
Keywords
MIS structure,Interfacial traps,Deep levels
分类号
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
发文年
被引量
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1
P-InP MIS结构界面陷阱的深能级研究
卢励吾
周洁
瞿伟
张盛廉
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1993
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