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一种CMOS/SOI八位A/D转换器: 1; 作者张正璠刘永光李肇基《中国集成电路》 2002年第12期73-74,79,共3页; 本文设计了一种8位A/D转换器,该转换器采用半闪烁型结构,由两个4位全并行A/D转换器实现8位转换,电路中的比较器用斩波稳零型结构,具有结构简单和失调补偿功能。研究了SOI CMOS电路的背栅偏置结构,电路制作工艺采用全耗尽CMOS/SOI工艺技... 展开更多; 关键词转换器比较器量化器模拟电路工艺技术转换速度全耗尽栅偏置抗辐照能力触发器; 在线阅读下载PDF 职称材料

8B/10B编码器新型算法结构的设计与实现被引量：9: 2; 作者王方周璐张正璠《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2016年第10期151-154,158,共5页; 针对目前数据传输对高速率的要求,在保留传统8B/10B编码优点的基础上,设计并实现了一种8B/10B新型算法结构,完成数据码和特殊码并行编码,编码器通过Cadence的NCVerilog进行功能验证,完成电路仿真与实现.通过Synopsys的Design Compiler... 展开更多; 关键词 8B/10B 并行编码游程值高速通信; 在线阅读下载PDF 职称材料

用于高速ADC的低抖动时钟稳定电路被引量：2: 3; 作者张红周述涛 +1 位作者张奉江张正璠《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第12期1143-1147,共5页; 介绍了一种用于高速ADC的低抖动时钟稳定电路。这个电路由延迟锁相环(DLL)来实现。这个DLL有两个功能:一是通过把一个时钟沿固定精确延迟半个周期,再与另一个沿组成一个新的时钟来调节时钟占空比到50%左右;二是调节时钟抖动。该电路采用... 展开更多; 关键词高速A/D转换器延迟锁相环占空比稳定时钟抖动; 在线阅读下载PDF 职称材料

高温SOICMOS倒相器瞬态特性的研究被引量：1: 4; 作者冯耀兰宋安飞 +1 位作者樊路嘉张正璠《电子器件》 CAS 2002年第4期324-326,共3页; 本文主要研究高温 SOI CMOS倒相器在 (2 7～ 30 0℃ )宽温区的瞬态特性。研究结果表明 :当采用 N+ PN+和P+ PP+ 结构薄膜 SOI MOSFET组合 ,并且其结构参数满足高温应用的要求 ,则 SOI CMOS倒相器实验样品在 (2 7～ 30 0℃ ); 关键词高温SOI CMOS倒相器互补金属-氧化物-半导体倒相器瞬态特性宽温区; 在线阅读下载PDF 职称材料

薄膜全耗尽积累型SOIMOS器件在(27～300℃)宽温区高温特性的研究: 5; 作者冯耀兰樊路加 +2 位作者宋安飞施雪捷张正璠《电子器件》 CAS 2002年第1期18-21,共4页; 本文在对 p+ p p+ 结构薄膜全耗尽积累型 SOI MOS器件导电机理和基本特性研究的基础上 ,进一步研究了实验样品在 (2 7～ 30 0℃ )宽温区高温特性 ,理论和实验研究结果表明 p+ p p+ 结构薄膜全耗尽积累型 SOI MOS器件实验样品在 (2 7～ 3... 展开更多; 关键词绝缘体上硅金属-氧化物-半导体薄膜积累型高温特性 MOS器件; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种高速高线性采保电路的设计: 6; 作者周杨张正璠李儒章《数字技术与应用》 2010年第12期48-50,共3页; 本文设计了一种拓扑结构为开环,基于栅压自举开关技术的S/H电路。在Cadence Spectre环境下进行仿真,在1.6GSPS的采样速率下,当输入信号为775MHz,1Vpp的正弦波时,该采样/保持电路的SFDR达到55.63dB,THD为-53.93dB。; 关键词 AD转换器采样保持电路高速栅压自举; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种BiCMOS工艺的AB类自适应偏置输出级: 7; 作者唐睿张正璠《现代电子技术》 2004年第4期24-27,共4页; 介绍了一种采用 Bi CMOS工艺技术制造的具有较大的驱动能力、转换速率和较低的功耗的 AB类输出级。他是利用跨导线性原理实现自适应偏置的 AB类输出级。通过对这种结构的工作原理 ,结构特点的分析 ,仿真得出电阻负载为 2 kΩ ,电容负载... 展开更多; 关键词模拟集成电路垮导线性原理专用集成电路放大器; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种CMOS/SOI八位A/D转换器: 1; 作者张正璠刘永光李肇基; 机构信息产业部电子第二十四研究所电子科技大学; 出处《中国集成电路》 2002年第12期73-74,79,共3页; 文摘本文设计了一种8位A/D转换器,该转换器采用半闪烁型结构,由两个4位全并行A/D转换器实现8位转换,电路中的比较器用斩波稳零型结构,具有结构简单和失调补偿功能。研究了SOI CMOS电路的背栅偏置结构,电路制作工艺采用全耗尽CMOS/SOI工艺技术,电路芯片面积为3.5×3.7mm^2,转换速度为1MS/s,抗瞬时γ辐照水平为1×10^(11)rad(Si)/s,总剂量辐照水平为1×10~4rad(Si)。; 关键词转换器比较器量化器模拟电路工艺技术转换速度全耗尽栅偏置抗辐照能力触发器; 分类号 TN792 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名8B/10B编码器新型算法结构的设计与实现被引量：9: 2; 作者王方周璐张正璠; 机构江南大学物联网工程学院中国电子科技集团公司第五十八研究所; 出处《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2016年第10期151-154,158,共5页; 基金 333高层次人才培养工程专项(2007124) 广东省部产学研合作引导项目(2009B090300416); 文摘针对目前数据传输对高速率的要求,在保留传统8B/10B编码优点的基础上,设计并实现了一种8B/10B新型算法结构,完成数据码和特殊码并行编码,编码器通过Cadence的NCVerilog进行功能验证,完成电路仿真与实现.通过Synopsys的Design Compiler工具在SMIC65nm工艺下进行综合,该编码器可达到在1GHz工作频率下占用逻辑资源面积为321μm2,具有运行速度快,占用逻辑资源小的特点.; 关键词 8B/10B 并行编码游程值高速通信; Keywords 8B/10B parallel encoder RD high speed communication; 分类号 TP31 [自动化与计算机技术—计算机软件与理论]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名用于高速ADC的低抖动时钟稳定电路被引量：2: 3; 作者张红周述涛张奉江张正璠; 机构常州信息职业技术学院中国电子科技集团公司第二十四研究所模拟集成电路国家重点实验室; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第12期1143-1147,共5页; 文摘介绍了一种用于高速ADC的低抖动时钟稳定电路。这个电路由延迟锁相环(DLL)来实现。这个DLL有两个功能:一是通过把一个时钟沿固定精确延迟半个周期,再与另一个沿组成一个新的时钟来调节时钟占空比到50%左右;二是调节时钟抖动。该电路采用0.35μm CMOS工艺,在Cadence Spectre环境下进行仿真验证,对一个8 bit、250 Msps采样率的ADC,常温下得到的时钟抖动小于0.25 ps rms(典型的均方根)。; 关键词高速A/D转换器延迟锁相环占空比稳定时钟抖动; Keywords high speed A/D converter delay-locked loop （DLL） duty cycle stabilizer （DCS） time jitter; 分类号 TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高温SOICMOS倒相器瞬态特性的研究被引量：1: 4; 作者冯耀兰宋安飞樊路嘉张正璠; 机构东南大学微电子中心信息产业部电子第; 出处《电子器件》 CAS 2002年第4期324-326,共3页; 基金模拟集成电路国家级重点实验室资助项目 (批准号 :2 0 0 0 JS 0 9.8.1JW0 60 4); 文摘本文主要研究高温 SOI CMOS倒相器在 (2 7～ 30 0℃ )宽温区的瞬态特性。研究结果表明 :当采用 N+ PN+和P+ PP+ 结构薄膜 SOI MOSFET组合 ,并且其结构参数满足高温应用的要求 ,则 SOI CMOS倒相器实验样品在 (2 7～ 30 0℃ ); 关键词高温SOI CMOS倒相器互补金属-氧化物-半导体倒相器瞬态特性宽温区; Keywords high temperature CMOS inverter transient characteristics; 分类号 TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名薄膜全耗尽积累型SOIMOS器件在(27～300℃)宽温区高温特性的研究: 5; 作者冯耀兰樊路加宋安飞施雪捷张正璠; 机构东南大学微电子中心信息产业部电子第; 出处《电子器件》 CAS 2002年第1期18-21,共4页; 基金国家自然科学基金资助重点项目 (批准号:6973 60 2 0 ) 模拟集成电路国家级重点实验室资助项目(批准号 :2 0 0 0 JS 0 9.8.1JW0 60 4); 文摘本文在对 p+ p p+ 结构薄膜全耗尽积累型 SOI MOS器件导电机理和基本特性研究的基础上 ,进一步研究了实验样品在 (2 7～ 30 0℃ )宽温区高温特性 ,理论和实验研究结果表明 p+ p p+ 结构薄膜全耗尽积累型 SOI MOS器件实验样品在 (2 7～ 30 0℃ ); 关键词绝缘体上硅金属-氧化物-半导体薄膜积累型高温特性 MOS器件; Keywords SOI MOS thin film accumulation mode high temperature; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种高速高线性采保电路的设计: 6; 作者周杨张正璠李儒章; 机构重庆邮电大学模拟集成电路国家级重点实验室中国电子科技集团公司第二十四研究所; 出处《数字技术与应用》 2010年第12期48-50,共3页; 文摘本文设计了一种拓扑结构为开环,基于栅压自举开关技术的S/H电路。在Cadence Spectre环境下进行仿真,在1.6GSPS的采样速率下,当输入信号为775MHz,1Vpp的正弦波时,该采样/保持电路的SFDR达到55.63dB,THD为-53.93dB。; 关键词 AD转换器采样保持电路高速栅压自举; Keywords ad converter,S/H,high speed,bootstrap switch; 分类号 TM-9 [电气工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种BiCMOS工艺的AB类自适应偏置输出级: 7; 作者唐睿张正璠; 机构重庆邮电学院信息产业部电子二十四所; 出处《现代电子技术》 2004年第4期24-27,共4页; 文摘介绍了一种采用 Bi CMOS工艺技术制造的具有较大的驱动能力、转换速率和较低的功耗的 AB类输出级。他是利用跨导线性原理实现自适应偏置的 AB类输出级。通过对这种结构的工作原理 ,结构特点的分析 ,仿真得出电阻负载为 2 kΩ ,电容负载为 1 0 0 p F时的最大上升、下降转换速率分别为 4 0 V/μs和 30 V/μs;在± 1 5 V的电源下 ,静态功耗小于 1 0 m W。; 关键词模拟集成电路垮导线性原理专用集成电路放大器; Keywords Analog IC translinear ASIC amplifier; 分类号 TP301.6 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	一种CMOS/SOI八位A/D转换器	张正璠刘永光李肇基	《中国集成电路》	2002	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	8B/10B编码器新型算法结构的设计与实现	王方周璐张正璠	《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心	2016	9	在线阅读下载PDF 职称材料
3	用于高速ADC的低抖动时钟稳定电路	张红周述涛张奉江张正璠	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2008	2	在线阅读下载PDF 职称材料
4	高温SOICMOS倒相器瞬态特性的研究	冯耀兰宋安飞樊路嘉张正璠	《电子器件》 CAS	2002	1	在线阅读下载PDF 职称材料
5	薄膜全耗尽积累型SOIMOS器件在(27～300℃)宽温区高温特性的研究	冯耀兰樊路加宋安飞施雪捷张正璠	《电子器件》 CAS	2002	0	在线阅读下载PDF 职称材料
6	一种高速高线性采保电路的设计	周杨张正璠李儒章	《数字技术与应用》	2010	0	在线阅读下载PDF 职称材料
7	一种BiCMOS工艺的AB类自适应偏置输出级	唐睿张正璠	《现代电子技术》	2004	0	在线阅读下载PDF 职称材料