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枯草芽孢杆菌发酵脱脂麦胚自由基清除率研究
被引量：
8
1
作者
王敏
侯银臣
+3 位作者
张明丹
刘亚楠
彭丹丹
刘娜
《中国调味品》
CAS
北大核心
2020年第8期39-43,共5页
胚芽是小麦加工的副产物,富含多种营养物质。文章旨在获得具有较好抗氧化活性的麦胚发酵工艺,为麦胚加工技术的开发和资源的高效利用奠定了基础。文章通过发酵小麦胚芽,以自由基清除率为评价指标,采用单因素(接种量、发酵时间和料液比)...
胚芽是小麦加工的副产物,富含多种营养物质。文章旨在获得具有较好抗氧化活性的麦胚发酵工艺,为麦胚加工技术的开发和资源的高效利用奠定了基础。文章通过发酵小麦胚芽,以自由基清除率为评价指标,采用单因素(接种量、发酵时间和料液比)和响应面优化麦胚发酵工艺条件。结果显示:最佳发酵条件为料液比1∶11.7、发酵时间48.3 h、菌种接种量3.2%。在此条件下发酵麦胚的DPPH自由基清除率为69.54%。羟基自由基、超氧阴离子自由基和ABTS+自由基清除率分别为14.44%、18.72%、68.74%。
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关键词
小麦胚芽
发酵
单因素实验
响应面
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职称材料
Si衬底上Ge外延薄膜与器件研究进展
2
作者
刘鹏浩
江弘胜
+4 位作者
张明丹
张晓琴
陈胜
王文樑
李国强
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021年第11期825-832,共8页
随着Si基器件发展遇到瓶颈,具有更优异性能且与Si基CMOS工艺良好兼容的Ge基器件展现出了应用于集成电子与光电子领域的广阔前景。然而,Si基Ge器件性能会受制于Si与Ge之间较大的晶格失配所产生的高密度位错。因此,控制Si衬底上Ge外延薄...
随着Si基器件发展遇到瓶颈,具有更优异性能且与Si基CMOS工艺良好兼容的Ge基器件展现出了应用于集成电子与光电子领域的广阔前景。然而,Si基Ge器件性能会受制于Si与Ge之间较大的晶格失配所产生的高密度位错。因此,控制Si衬底上Ge外延薄膜的位错密度成为高性能Ge器件制备的研究重点。文章着重介绍了插入层、低温成核层和选区外延生长技术3种Si衬底上Ge外延薄膜位错控制技术的基本原理及研究进展,讨论了Si基Ge器件的最新研究进展,并展望了Si基Ge薄膜生长和器件制备的发展前景。
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关键词
Si基集成
Si基Ge薄膜
异质外延
位错控制
器件
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职称材料
题名
枯草芽孢杆菌发酵脱脂麦胚自由基清除率研究
被引量：
8
1
作者
王敏
侯银臣
张明丹
刘亚楠
彭丹丹
刘娜
机构
河南工业大学谷物资源转化与利用省级重点实验室
河南工业大学生物工程学院
河南牧业经济学院食品与生物工程学院
出处
《中国调味品》
CAS
北大核心
2020年第8期39-43,共5页
基金
河南工业大学谷物资源转化与利用省级重点实验室开放课题(PL2018009)
河南省科技攻关项目(182102110127)
+1 种基金
河南省高等学校重点科研项目计划(18A550011)
中原院士基金(192101510004)。
文摘
胚芽是小麦加工的副产物,富含多种营养物质。文章旨在获得具有较好抗氧化活性的麦胚发酵工艺,为麦胚加工技术的开发和资源的高效利用奠定了基础。文章通过发酵小麦胚芽,以自由基清除率为评价指标,采用单因素(接种量、发酵时间和料液比)和响应面优化麦胚发酵工艺条件。结果显示:最佳发酵条件为料液比1∶11.7、发酵时间48.3 h、菌种接种量3.2%。在此条件下发酵麦胚的DPPH自由基清除率为69.54%。羟基自由基、超氧阴离子自由基和ABTS+自由基清除率分别为14.44%、18.72%、68.74%。
关键词
小麦胚芽
发酵
单因素实验
响应面
Keywords
wheat germ
fermentation
single factor experiment
response surface
分类号
TS201.3 [轻工技术与工程—食品科学]
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职称材料
题名
Si衬底上Ge外延薄膜与器件研究进展
2
作者
刘鹏浩
江弘胜
张明丹
张晓琴
陈胜
王文樑
李国强
机构
中国电子科技集团重庆声光电有限公司
华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021年第11期825-832,共8页
基金
广东省重点领域研发计划资助项目(2019B010145001)。
文摘
随着Si基器件发展遇到瓶颈,具有更优异性能且与Si基CMOS工艺良好兼容的Ge基器件展现出了应用于集成电子与光电子领域的广阔前景。然而,Si基Ge器件性能会受制于Si与Ge之间较大的晶格失配所产生的高密度位错。因此,控制Si衬底上Ge外延薄膜的位错密度成为高性能Ge器件制备的研究重点。文章着重介绍了插入层、低温成核层和选区外延生长技术3种Si衬底上Ge外延薄膜位错控制技术的基本原理及研究进展,讨论了Si基Ge器件的最新研究进展,并展望了Si基Ge薄膜生长和器件制备的发展前景。
关键词
Si基集成
Si基Ge薄膜
异质外延
位错控制
器件
Keywords
integration on Si
Si-based Ge film
heteroepitaxy
dislocation control
device
分类号
TN304.054 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
枯草芽孢杆菌发酵脱脂麦胚自由基清除率研究
王敏
侯银臣
张明丹
刘亚楠
彭丹丹
刘娜
《中国调味品》
CAS
北大核心
2020
8
在线阅读
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职称材料
2
Si衬底上Ge外延薄膜与器件研究进展
刘鹏浩
江弘胜
张明丹
张晓琴
陈胜
王文樑
李国强
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021
0
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职称材料
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