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栅极绝缘层工艺优化对氢化非晶硅TFT特性的改善被引量：6: 1; 作者张金中张文余 +2 位作者谢振宇陈旭闵泰烨《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第11期991-995,共5页; 在TFT小型化趋势下,需要进一步提高氢化非晶硅薄膜晶体管的TFT特性,尤其是开态电流特性。本文结合生产实际,阐述了工艺上改善氢化非晶硅开态电流特性的方法,包括提高单位面积栅绝缘层电容和改善载流子迁移率。实验结果表明,降低高速沉... 展开更多; 关键词栅极绝缘层氢化非晶硅界面处理 TFT特性等离子增强化学气相沉积; 在线阅读下载PDF 职称材料

钝化层沉积工艺对过孔尺寸减小的研究被引量：4: 2; 作者李田生谢振宇 +5 位作者张文余阎长江徐少颖陈旭闵泰烨苏顺康《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期493-498,共6页; 为了适应TFT-LCD小型化与窄边框化以及在面板布线精细化的趋势,提高工艺设计富裕量以及增加面板的实际利用率,研究了通过改变钝化层(PVX)的沉积工艺来减小液晶面板阵列工艺中连接像素电极与漏极的过孔(VIA)尺寸的方案,通过设计实验考察... 展开更多; 关键词钝化层刻蚀过孔; 在线阅读下载PDF 职称材料

栅极绝缘层和有源层沉积工艺的优化对TFT特性的影响研究被引量：4: 3; 作者田宗民陈旭 +5 位作者张金中张文余谢振宇郭建姜晓辉闵泰烨《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第1期32-37,共6页; 通过对低速沉积的栅极绝缘层(GL层)和低速沉积的有源层(AL层)的薄膜沉积条件进行了优化,分析了沉积AL层的功率,间距等条件的变更对薄膜的沉积速率和均匀性的影响,解释这些工艺条件对I on的影响的本质,确定最佳的沉积AL层的沉积条件;调整... 展开更多; 关键词栅极绝缘层有源层沉积条件优化 TFT特性; 在线阅读下载PDF 职称材料

TFT-LCD器件Al电极TFT特性研究被引量：3: 4; 作者张家祥王彦强 +9 位作者卢凯张文余王凤涛冀新友王亮张洁王琪刘琨李良杰李京鹏《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2017年第6期433-437,共5页; 本文对Mo/Al/Mo作为TFT-LCD器件源/漏极的TFT特性进行了研究。与单层Mo相比,存在沟道界面粗糙,I_(off)偏大问题,通过优化膜层结构,改善界面状态,得到了平整的沟道界面和良好的TFT特性。增加Bottom Mo的厚度,可以有效减少Al的渗透,防止Al... 展开更多; 关键词沟道界面漏电流 AL电极 TFT特性; 在线阅读下载PDF 职称材料

氮化硅在触摸屏中的应用分析(英文) 被引量：2: 5; 作者曲连杰陈旭 +3 位作者郭建闵泰烨谢振宇张文余《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期466-471,共6页; 研究了氮化硅材料在触摸屏领域中的应用,利用等离子体化学气相沉积技术,在一定厚度的玻璃表面沉积不同厚度的氮化硅薄膜。通过理论分析和试验测试的方法得到了氮化硅膜层厚度和折射率对触摸屏透过率以及表面宏观颜色的影响。分析结果表... 展开更多; 关键词薄膜晶体管液晶显示器触摸屏透过率氮化硅; 在线阅读下载PDF 职称材料

FFS产品树脂材料结构ITO刻蚀技术研究被引量：1: 6; 作者姜晓辉张家祥 +6 位作者王亮郭建沈奇雨曲连杰张文余田宗民阎长江《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2013年第2期194-198,共5页; 树脂材料表面平坦度高,光透过率高,介电常数低(ε≈3.5),在薄膜晶体管显示器(TFT-LCD)中使用树脂材料作为钝化层,可以降低公共电极和源、漏金属之间的电容,降低逻辑功耗,达到降低整体功耗的目的,同时增大开口率。文章讨论在边缘场中引... 展开更多; 关键词树脂材料 ITO刻蚀 ITO刻蚀液涂胶工艺; 在线阅读下载PDF 职称材料

栅极绝缘层和有源层沉积工艺的优化对TFT电学特性的改善: 7; 作者田宗民陈旭 +5 位作者谢振宇张金中张文余崔子巍郭建闵泰烨《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2013年第6期849-854,共6页; 对低速沉积的栅极绝缘层和低速沉积的有源层的薄膜沉积条件进行了优化,设定4个实验条件,考察了不同条件下膜层的均匀性,TFT产品的开路电流(Ion)的整体分布规律以及均匀性,Ion的提升比例以及产品的阈值电压,确定条件二为最优条件。对比... 展开更多; 关键词栅极绝缘层有源层沉积条件优化电学特性改善; 在线阅读下载PDF 职称材料

高PS材料制备及工艺研究: 8; 作者张家祥王威 +9 位作者王彦强焦宇周海龙张芳徐闪闪陈召覃一锋张文余黄东升陈思《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2019年第3期236-240,共5页; 本文对高膜厚PS材料进行了研究,通过工艺优化,成功在G5线实现了60～120μm的高PS。通过前烘工艺和固化工艺优化调整,得到了无气泡、膜面良好的高PS材料。本文还对曝光量对PS影响进行了研究,发现曝光量低于50mJ时,PS材料无法有效成型;当... 展开更多; 关键词液晶透镜 PS材料高膜厚; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名栅极绝缘层工艺优化对氢化非晶硅TFT特性的改善被引量：6: 1; 作者张金中张文余谢振宇陈旭闵泰烨; 机构北京京东方光电科技有限公司工艺开发部; 出处《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第11期991-995,共5页; 文摘在TFT小型化趋势下,需要进一步提高氢化非晶硅薄膜晶体管的TFT特性,尤其是开态电流特性。本文结合生产实际,阐述了工艺上改善氢化非晶硅开态电流特性的方法,包括提高单位面积栅绝缘层电容和改善载流子迁移率。实验结果表明,降低高速沉积栅绝缘层的气压和厚度,能有效提高单位面积栅极绝缘层电容。增加低速沉积栅绝缘层的Si/N比及优化氢等离子体处理工艺,可以有效改善载流子迁移率。; 关键词栅极绝缘层氢化非晶硅界面处理 TFT特性等离子增强化学气相沉积; Keywords Gate insulator a-Si：H Interface process TFT characteristics PECVD; 分类号 TN141.9 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名钝化层沉积工艺对过孔尺寸减小的研究被引量：4: 2; 作者李田生谢振宇张文余阎长江徐少颖陈旭闵泰烨苏顺康; 机构北京京东方光电科技有限公司; 出处《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期493-498,共6页; 基金京东方研发基金(10SVHM); 文摘为了适应TFT-LCD小型化与窄边框化以及在面板布线精细化的趋势,提高工艺设计富裕量以及增加面板的实际利用率,研究了通过改变钝化层(PVX)的沉积工艺来减小液晶面板阵列工艺中连接像素电极与漏极的过孔(VIA)尺寸的方案,通过设计实验考察了影响过孔大小的钝化层的主要影响因素(黑点、倒角、顶层钝化层沉积厚度,顶层钝化层沉积压力),得出了在不改变原有刻蚀方式基础之上使过孔的尺寸降低20%～30%的优化方案,并对其进行了电学性能评价(Ion:开态电流、Ioff:关态电流、Vth:阈值电压、Mobility:迁移率),从而获得了较佳的减小过孔尺寸的方案,提高了产品品质。; 关键词钝化层刻蚀过孔; Keywords passivation layer etch VIA hole; 分类号 TN141.9 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名栅极绝缘层和有源层沉积工艺的优化对TFT特性的影响研究被引量：4: 3; 作者田宗民陈旭张金中张文余谢振宇郭建姜晓辉闵泰烨; 机构北京京东方光电科技有限公司; 出处《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第1期32-37,共6页; 基金京东方研发基金项目(10D-HP-TFT); 文摘通过对低速沉积的栅极绝缘层(GL层)和低速沉积的有源层(AL层)的薄膜沉积条件进行了优化,分析了沉积AL层的功率,间距等条件的变更对薄膜的沉积速率和均匀性的影响,解释这些工艺条件对I on的影响的本质,确定最佳的沉积AL层的沉积条件;调整了GL层的功率和NH3流量,分析了两者对I on的影响规律并分析了内在的原因。通过对比优化前后的薄膜晶体管(TFT)特性曲线发现,I on提升了32%,开关比(I on/I off)提升了约40%,达到了优化TFT特性的目的。; 关键词栅极绝缘层有源层沉积条件优化 TFT特性; Keywords Gate insulating layer, Active layer, Deposition conditions optimization, TFT characteristics; 分类号 TN141.9 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名TFT-LCD器件Al电极TFT特性研究被引量：3: 4; 作者张家祥王彦强卢凯张文余王凤涛冀新友王亮张洁王琪刘琨李良杰李京鹏; 机构北京京东方光电科技有限公司; 出处《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2017年第6期433-437,共5页; 文摘本文对Mo/Al/Mo作为TFT-LCD器件源/漏极的TFT特性进行了研究。与单层Mo相比,存在沟道界面粗糙,I_(off)偏大问题,通过优化膜层结构,改善界面状态,得到了平整的沟道界面和良好的TFT特性。增加Bottom Mo的厚度,可以有效减少Al的渗透,防止Al-Si化合物的形成,得到界面平整的沟道;N^+刻蚀后SF6处理对特性影响不大,增加刻蚀时间可以使I_(on)和I_(off)同时降低;PVX沉积前处理气体N_2+NH_3与H_2区别不大,都可以减少沟道缺陷,而增加H_2处理时间会增强等离子的轰击作用,减少了沟道表面Al-Si化合物,但处理时间过长可能会使沟道缺陷增加;采用bottom Mo加厚,N^+刻蚀以及PVX沉积前处理等最优条件,可以得到沟道界面良好,TFT特性与单层Mo相当的TFT器件。; 关键词沟道界面漏电流 AL电极 TFT特性; Keywords channel interface Ioff Al electrode TFT character; 分类号 TN141.9 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名氮化硅在触摸屏中的应用分析(英文) 被引量：2: 5; 作者曲连杰陈旭郭建闵泰烨谢振宇张文余; 机构北京京东方光电科技有限公司; 出处《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期466-471,共6页; 文摘研究了氮化硅材料在触摸屏领域中的应用,利用等离子体化学气相沉积技术,在一定厚度的玻璃表面沉积不同厚度的氮化硅薄膜。通过理论分析和试验测试的方法得到了氮化硅膜层厚度和折射率对触摸屏透过率以及表面宏观颜色的影响。分析结果表明,氮化硅膜层折射率对触摸屏的平均透过率影响明显,而膜层厚度对触摸屏的平均透过率影响很小,但是膜层厚度的改变对触摸屏特定波长处透过率和膜层宏观颜色影响很明显。在实际生产中可以通过改变沉积条件获得合适折射率及厚度的氮化硅薄膜材料。; 关键词薄膜晶体管液晶显示器触摸屏透过率氮化硅; Keywords TFT LCD touch sensor transmittance silicon nitride; 分类号 O433.3 [机械工程—光学工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名FFS产品树脂材料结构ITO刻蚀技术研究被引量：1: 6; 作者姜晓辉张家祥王亮郭建沈奇雨曲连杰张文余田宗民阎长江; 机构北京京东方光电科技有限公司; 出处《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2013年第2期194-198,共5页; 文摘树脂材料表面平坦度高,光透过率高,介电常数低(ε≈3.5),在薄膜晶体管显示器(TFT-LCD)中使用树脂材料作为钝化层,可以降低公共电极和源、漏金属之间的电容,降低逻辑功耗,达到降低整体功耗的目的,同时增大开口率。文章讨论在边缘场中引入树脂材料作为钝化层产生的与氧化铟锡(ITO)刻蚀相关问题:金属Mo腐蚀,ITO缺失等。通过优化刻蚀工艺,感光树脂与非感光树脂和ITO刻蚀液的搭配,以及改变树脂涂胶工艺,成功地将树脂引入TFT-LCD中。; 关键词树脂材料 ITO刻蚀 ITO刻蚀液涂胶工艺; Keywords resin material ITO etching ITO etchant coating process; 分类号 TN141.9 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名栅极绝缘层和有源层沉积工艺的优化对TFT电学特性的改善: 7; 作者田宗民陈旭谢振宇张金中张文余崔子巍郭建闵泰烨; 机构北京京东方光电科技有限公司; 出处《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2013年第6期849-854,共6页; 基金京东方研发基金(No.10D_HP_TFT); 文摘对低速沉积的栅极绝缘层和低速沉积的有源层的薄膜沉积条件进行了优化,设定4个实验条件,考察了不同条件下膜层的均匀性,TFT产品的开路电流(Ion)的整体分布规律以及均匀性,Ion的提升比例以及产品的阈值电压,确定条件二为最优条件。对比优化前后产品的栅极偏应力下TFT的转移曲线和高频信号下电容-电压曲线,进一步分析了产品的电学稳定性。研究发现Ion提升了42%,开关比(Ion/Ioff)提升了约70%,优化后的TFT的稳定性优于优化之前,达到了改善TFT特性的目的。; 关键词栅极绝缘层有源层沉积条件优化电学特性改善; Keywords gate insulating layer active layer deposition conditions optimization electricalcharacteristics improvement; 分类号 TN141.9 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高PS材料制备及工艺研究: 8; 作者张家祥王威王彦强焦宇周海龙张芳徐闪闪陈召覃一锋张文余黄东升陈思; 机构北京京东方光电科技有限公司; 出处《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2019年第3期236-240,共5页; 基金京东方厚膜材料研发基金~~; 文摘本文对高膜厚PS材料进行了研究,通过工艺优化,成功在G5线实现了60～120μm的高PS。通过前烘工艺和固化工艺优化调整,得到了无气泡、膜面良好的高PS材料。本文还对曝光量对PS影响进行了研究,发现曝光量低于50mJ时,PS材料无法有效成型;当曝光量达到150mJ时,得到形貌良好,达到设计值的PS。最后还对不同基底高PS材料进行了研究,发现未进行增粘处理时,SiN基底粘附性良好,Mo基底还需继续优化处理。; 关键词液晶透镜 PS材料高膜厚; Keywords liquid crystal lens LC antenna PS material high thickness; 分类号 TN141.9 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	栅极绝缘层工艺优化对氢化非晶硅TFT特性的改善	张金中张文余谢振宇陈旭闵泰烨	《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2012	6	在线阅读下载PDF 职称材料
2	钝化层沉积工艺对过孔尺寸减小的研究	李田生谢振宇张文余阎长江徐少颖陈旭闵泰烨苏顺康	《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心	2012	4	在线阅读下载PDF 职称材料
3	栅极绝缘层和有源层沉积工艺的优化对TFT特性的影响研究	田宗民陈旭张金中张文余谢振宇郭建姜晓辉闵泰烨	《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2014	4	在线阅读下载PDF 职称材料
4	TFT-LCD器件Al电极TFT特性研究	张家祥王彦强卢凯张文余王凤涛冀新友王亮张洁王琪刘琨李良杰李京鹏	《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心	2017	3	在线阅读下载PDF 职称材料
5	氮化硅在触摸屏中的应用分析(英文)	曲连杰陈旭郭建闵泰烨谢振宇张文余	《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心	2012	2	在线阅读下载PDF 职称材料
6	FFS产品树脂材料结构ITO刻蚀技术研究	姜晓辉张家祥王亮郭建沈奇雨曲连杰张文余田宗民阎长江	《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心	2013	1	在线阅读下载PDF 职称材料
7	栅极绝缘层和有源层沉积工艺的优化对TFT电学特性的改善	田宗民陈旭谢振宇张金中张文余崔子巍郭建闵泰烨	《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心	2013	0	在线阅读下载PDF 职称材料
8	高PS材料制备及工艺研究	张家祥王威王彦强焦宇周海龙张芳徐闪闪陈召覃一锋张文余黄东升陈思	《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心	2019	0	在线阅读下载PDF 职称材料