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太空智能控制技术现状分析与发展思考
1
作者
袁利
张
海博
+2 位作者
张握瑜
刘磊
吴健发
《空间控制技术与应用》
北大核心
2025年第4期1-16,共16页
系统论述太空智能控制技术的范式革新与发展路径,聚焦人工智能驱动下航天器“七维自主能力”(自感知、自记忆、自思维、自学习、自适应、自行动、自进化)的体系化构建.通过对比传统控制架构,阐明智能控制在环境强适应性、类人认知决策...
系统论述太空智能控制技术的范式革新与发展路径,聚焦人工智能驱动下航天器“七维自主能力”(自感知、自记忆、自思维、自学习、自适应、自行动、自进化)的体系化构建.通过对比传统控制架构,阐明智能控制在环境强适应性、类人认知决策、系统动态演化及“感知-决策-执行”深度耦合等方面的颠覆性突破.研究综合智能感知识别、自主决策规划、健康管理运维及分布式计算架构等核心技术方向,剖析国内外在工程应用覆盖广度、前沿理论探索深度层面的显著差异,强调我国需重点突破智能生成机制的可信验证、增量学习驱动的能力生长、轻量化星载异构计算平台等关键领域,构建覆盖智能评测、软硬件协同的完整技术链,最终实现航天器全生命周期的自主协同与持续进化.
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关键词
人工智能
太空智能控制
大语言模型
具身智能
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职称材料
基于氧化物基电解质栅控晶体管突触的关联学习
2
作者
方仁瑞
任宽
+6 位作者
郭泽钰
徐晗
张握瑜
王菲
张
培文
李悦
尚大山
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023年第4期399-405,共7页
电解质栅控晶体管(Electrolyte-gated transistors,EGTs)的沟道电导连续可调特性使其在构建神经形态计算系统中具有巨大应用潜力。本工作以非晶态Nb_(2)O_(5)作为沟道材料,Li_(x)SiO_(2)作为栅电解质材料,制备了一种具备低沟道电导(~120...
电解质栅控晶体管(Electrolyte-gated transistors,EGTs)的沟道电导连续可调特性使其在构建神经形态计算系统中具有巨大应用潜力。本工作以非晶态Nb_(2)O_(5)作为沟道材料,Li_(x)SiO_(2)作为栅电解质材料,制备了一种具备低沟道电导(~120 nS)的EGT器件。该器件利用Li+嵌入/脱出Nb_(2)O_(5)晶格导致的沟道电导连续可逆变化,模拟了神经突触的短程可塑性(Short-term plasticity,STP)、长程可塑性(Long-term plasticity,LTP)以及STP向LTP的转变等功能。基于这种EGT突触特性,本工作设计了关联学习电路,实现了突触权重的负反馈调节,并模拟了“巴普洛夫的狗”经典条件反射行为。这些结果展现出EGT作为神经突触器件的巨大潜力,为实现神经形态计算硬件提供了器件参考。
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关键词
电解质栅控晶体管
神经突触
突触可塑性
关联学习
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职称材料
题名
太空智能控制技术现状分析与发展思考
1
作者
袁利
张
海博
张握瑜
刘磊
吴健发
机构
中国空间技术研究院
北京控制工程研究所
空间智能控制技术全国重点实验室
出处
《空间控制技术与应用》
北大核心
2025年第4期1-16,共16页
基金
国家自然科学基金资助项目(U21B6001)。
文摘
系统论述太空智能控制技术的范式革新与发展路径,聚焦人工智能驱动下航天器“七维自主能力”(自感知、自记忆、自思维、自学习、自适应、自行动、自进化)的体系化构建.通过对比传统控制架构,阐明智能控制在环境强适应性、类人认知决策、系统动态演化及“感知-决策-执行”深度耦合等方面的颠覆性突破.研究综合智能感知识别、自主决策规划、健康管理运维及分布式计算架构等核心技术方向,剖析国内外在工程应用覆盖广度、前沿理论探索深度层面的显著差异,强调我国需重点突破智能生成机制的可信验证、增量学习驱动的能力生长、轻量化星载异构计算平台等关键领域,构建覆盖智能评测、软硬件协同的完整技术链,最终实现航天器全生命周期的自主协同与持续进化.
关键词
人工智能
太空智能控制
大语言模型
具身智能
Keywords
artificial intelligence
space intelligent control
large language model
embodied Intelligent
分类号
V448 [航空宇航科学与技术—飞行器设计]
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职称材料
题名
基于氧化物基电解质栅控晶体管突触的关联学习
2
作者
方仁瑞
任宽
郭泽钰
徐晗
张握瑜
王菲
张
培文
李悦
尚大山
机构
中国科学院微电子研究所
中国科学院大学
出处
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023年第4期399-405,共7页
基金
国家重点基础研究发展计划(2018YFA0701500)
国家自然科学基金(61874138)。
文摘
电解质栅控晶体管(Electrolyte-gated transistors,EGTs)的沟道电导连续可调特性使其在构建神经形态计算系统中具有巨大应用潜力。本工作以非晶态Nb_(2)O_(5)作为沟道材料,Li_(x)SiO_(2)作为栅电解质材料,制备了一种具备低沟道电导(~120 nS)的EGT器件。该器件利用Li+嵌入/脱出Nb_(2)O_(5)晶格导致的沟道电导连续可逆变化,模拟了神经突触的短程可塑性(Short-term plasticity,STP)、长程可塑性(Long-term plasticity,LTP)以及STP向LTP的转变等功能。基于这种EGT突触特性,本工作设计了关联学习电路,实现了突触权重的负反馈调节,并模拟了“巴普洛夫的狗”经典条件反射行为。这些结果展现出EGT作为神经突触器件的巨大潜力,为实现神经形态计算硬件提供了器件参考。
关键词
电解质栅控晶体管
神经突触
突触可塑性
关联学习
Keywords
electrolyte-gated transistor
synapse
synaptic plasticity
associative learning
分类号
TQ174 [化学工程—陶瓷工业]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
太空智能控制技术现状分析与发展思考
袁利
张
海博
张握瑜
刘磊
吴健发
《空间控制技术与应用》
北大核心
2025
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
基于氧化物基电解质栅控晶体管突触的关联学习
方仁瑞
任宽
郭泽钰
徐晗
张握瑜
王菲
张
培文
李悦
尚大山
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023
0
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职称材料
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