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增强型AlGaN/GaN HEMT器件中子位移损伤效应研究 被引量:2
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作者 邱一武 马艺珂 +2 位作者 张平威 殷亚楠 周昕杰 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2023年第4期359-365,374,共8页
采用能量为14 MeV的中子对增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件进行了最高注量为3×10^(14)n/cm^(2)的位移损伤辐照实验。实验结果表明:当中子注量不大于3×10^(14)n/cm^(2)时,器件转移特性曲线向左发生不同程度漂移,曲线斜... 采用能量为14 MeV的中子对增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件进行了最高注量为3×10^(14)n/cm^(2)的位移损伤辐照实验。实验结果表明:当中子注量不大于3×10^(14)n/cm^(2)时,器件转移特性曲线向左发生不同程度漂移,曲线斜率增大,阈值电压轻微变化,栅特性不受辐照注量影响,而跨导峰值和关态泄露电流有所改善。此外,不同注量的中子辐照后,器件的饱和漏极电流呈现出下降趋势,且中子注量越大,漏极电流退化越明显。结果分析可知,中子辐照产生的新型位移缺陷影响了沟道二维电子气的迁移率和极化电荷密度,从而导致器件电学特性改变。与此同时,室温退火过程中发现器件特性有部分恢复,归因于辐照产生的缺陷在常温下不太稳定,与其他间隙原子发生复合,缺陷得以消除。 展开更多
关键词 增强型AlGaN/GaN HEMT 中子辐照 位移损伤 退火
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