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新一代纳米级器件物理特性仿真工具——SenTaurus Device 被引量:2
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作者 张宪敏 李惠军 +1 位作者 侯志刚 于英霞 《微纳电子技术》 CAS 2007年第6期299-304,共6页
介绍了Synopsys Inc.新近推出的新一代纳米层次器件物理特性仿真工具——SenTaurus Device的功能特点以及进行器件物理特性仿真的典型流程。重点介绍了为实现nm级器件物理特性的模拟引入的诸多近代器件物理模型。利用SenTaurus Device... 介绍了Synopsys Inc.新近推出的新一代纳米层次器件物理特性仿真工具——SenTaurus Device的功能特点以及进行器件物理特性仿真的典型流程。重点介绍了为实现nm级器件物理特性的模拟引入的诸多近代器件物理模型。利用SenTaurus Device对基于Sentaurus Process生成的一个90nm NMOS器件进行了器件物理特性仿真,并给出了相应结果。 展开更多
关键词 集成电路 纳米层次 场效应晶体管 非局域隧穿 小尺寸效应
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新一代nm级集成工艺仿真工具——SenTaurus Process 被引量:1
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作者 于英霞 李惠军 +1 位作者 侯志刚 张宪敏 《微纳电子技术》 CAS 2007年第5期231-234,245,共5页
介绍了新思科技(Synopsys Inc.)最新推出的新一代nm级IC制程工艺设计工具——Sen-Taurus Process的基本功能及其仿真领域,详细阐述了SenTaurus Process功能的拓展。对SenTau-rus Process增加的模型库浏览器(PDB)、一维模拟结果输出(Insp... 介绍了新思科技(Synopsys Inc.)最新推出的新一代nm级IC制程工艺设计工具——Sen-Taurus Process的基本功能及其仿真领域,详细阐述了SenTaurus Process功能的拓展。对SenTau-rus Process增加的模型库浏览器(PDB)、一维模拟结果输出(Inspect)及二、三维模拟结果输出(Tecplot SV)工具进行了介绍。重点介绍了SenTaurus Process所嵌入的诸多小尺寸模型。 展开更多
关键词 集成电路 纳米层次 工艺仿真 可制造性设计
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基于SWB环境下的nm级NMOS虚拟优化
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作者 吴胜龙 刘岩 +3 位作者 赵守磊 李惠军 于英霞 张宪敏 《微纳电子技术》 CAS 2008年第3期140-144,共5页
介绍了Synopsys Inc.推出的新一代(第五代)nm级TCAD仿真平台--Sentaurus Work-bench(SWB)的系统结构、基本功能及其优化功能,重点介绍了SWB的DOE及RSM优化机制。基于SWB环境实现了nm级NMOS集成化管芯的可制造性设计及优化。在对NMOS集... 介绍了Synopsys Inc.推出的新一代(第五代)nm级TCAD仿真平台--Sentaurus Work-bench(SWB)的系统结构、基本功能及其优化功能,重点介绍了SWB的DOE及RSM优化机制。基于SWB环境实现了nm级NMOS集成化管芯的可制造性设计及优化。在对NMOS集成化管芯的设计过程中,围绕Vt进行了可制造性设计,利用DOE试验方法和RSM对Vt进行了优化,得到了阈值电压(Vt)和调阈值注入剂量(Vt_Dose)、能量(Vt_Energy)及抑制穿通注入剂量(PNCH_Dose)、能量(PNCH_Energy)之间的RSM响应表面关系。在此基础上,分析了Vt各影响因素与Vt之间的关系,从而指导了在Vt的设计过程中各个主要影响参数的选取。 展开更多
关键词 纳米层次 可制造性设计 虚拟工厂 工艺优化 集成电路
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纳米级工艺制程仿真SenTaurus Process的应用
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作者 于英霞 李惠军 +1 位作者 侯志刚 张宪敏 《微纳电子技术》 CAS 2007年第6期295-298,311,共5页
基于Synopsys Inc.最新推出的新一代nm级IC制程工艺设计工具--SenTaurus Process,实现了CMOS架构的nm级NMOS制程的工艺级可制造性设计。仿真结果体现了SenTaurus Process的强大功能和使用SenTaurus Process进行工艺级可制造性设计的必... 基于Synopsys Inc.最新推出的新一代nm级IC制程工艺设计工具--SenTaurus Process,实现了CMOS架构的nm级NMOS制程的工艺级可制造性设计。仿真结果体现了SenTaurus Process的强大功能和使用SenTaurus Process进行工艺级可制造性设计的必要性。 展开更多
关键词 集成电路 纳米层次 工艺仿真 可制造性设计
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超深亚微米器件的失效机理及其可靠性研究
5
作者 侯志刚 许新新 +2 位作者 张宪敏 于英霞 李惠军 《电子质量》 2005年第12期39-42,共4页
集成电路的集成度不断攀升,集成化器件的特征尺寸已进入超深亚微米层次。小尺寸制造进程、超微细结构及超低功耗的工作环境,使诸多寄生效应、小尺寸效应严重地影响着器件的性能、电路的寿命。本文论述了基于超深亚微米层次小尺寸效应的... 集成电路的集成度不断攀升,集成化器件的特征尺寸已进入超深亚微米层次。小尺寸制造进程、超微细结构及超低功耗的工作环境,使诸多寄生效应、小尺寸效应严重地影响着器件的性能、电路的寿命。本文论述了基于超深亚微米层次小尺寸效应的诱因分析及器件,重点剖析了陷阱效应、短沟效应、热载流子效应和栅氧击穿对器件可靠性的影响。在此基础上,提出了抑制小尺寸效应、提高器件失效阈值、保障器件可靠性的若干工艺措施。 展开更多
关键词 超大规模集成电路 特征尺寸 超深亚微米 小尺寸效应 失效 可靠性
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