论量子力学的教学研究 被引量：5

1

作者 张启仁 《大学物理》 北大核心 1994年第1期10-11,共2页

论量子力学的教学研究张启仁（北京大学技术物理系，北京１ｌｌ８７１）多年来在高等学校教师中流行一种看法：教学是重复性劳动，只有科研才是创造性的。对此，我不敢苟同。姑不论科研工作有大量重复性劳动，没有重复何来创造。就以教... 论量子力学的教学研究张启仁（北京大学技术物理系，北京１ｌｌ８７１）多年来在高等学校教师中流行一种看法：教学是重复性劳动，只有科研才是创造性的。对此，我不敢苟同。姑不论科研工作有大量重复性劳动，没有重复何来创造。就以教学而言，有许多问题要思考、研究、尝... 展开更多

关键词 量子力学 教学

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可变入射距离平焦场谱仪的概念设计 被引量：7

2

作者 李英骏 张杰 +1 位作者 彭翰生 张启仁 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第3期409-413,共5页

从理论上证明了可变入射距离的平焦场软Ｘ射线谱仪设计的可行性。对于标称栅距σ０＝（１／１２００）ｍｍ和象差修正项Ｍ２０＝－２０／Ｒ，Ｒ分别为５６４９和６０００ｍｍ的光栅，对不同的入射距离，计算出与平焦场相对应的入射角和... 从理论上证明了可变入射距离的平焦场软Ｘ射线谱仪设计的可行性。对于标称栅距σ０＝（１／１２００）ｍｍ和象差修正项Ｍ２０＝－２０／Ｒ，Ｒ分别为５６４９和６０００ｍｍ的光栅，对不同的入射距离，计算出与平焦场相对应的入射角和成象距离，使一定波长范围内的光谱可以被聚焦在一个平面上，从而提高了变栅距光栅使用的灵活性。同时可通过取消谱仪中入射狭缝，使谱仪的光通量提高约１个量级。 展开更多

关键词 掠入射平场谱仪 软X射线 入射距离 谱仪

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填隙氧离子对钨酸铅晶体光学性质的影响及绿光起源的研究 被引量：4

3

作者 张秀彦 张启仁 +2 位作者 刘廷禹 陈腾 田东升 《上海理工大学学报》 EI CAS 北大核心 2007年第2期121-124,128,共5页

应用GULP软件按照能量最低原理确定了钨酸铅(PWO)晶体中填隙氧离子的位置,再用CASTEP软件计算了完整PWO晶体和含有填隙氧离子的PWO晶体的总态密度、分态密度和吸收光谱.计算结果表明,填隙氧离子的存在不会造成PWO晶体可见光区的显著吸收... 应用GULP软件按照能量最低原理确定了钨酸铅(PWO)晶体中填隙氧离子的位置,再用CASTEP软件计算了完整PWO晶体和含有填隙氧离子的PWO晶体的总态密度、分态密度和吸收光谱.计算结果表明,填隙氧离子的存在不会造成PWO晶体可见光区的显著吸收;PWO晶体中的绿光中心可能起源于WO4+Oi. 展开更多

关键词 PWO晶体 电子态密度 填隙氧 绿光中心

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NaCl 晶体中电子型色心的电子结构研究 被引量：2

4

作者 孙媛媛 张启仁 +1 位作者 刘廷禹 易志军 《上海理工大学学报》 EI CAS 北大核心 2005年第6期487-490,共4页

运用密度泛函离散变分(DV-Xα)方法研究了 NaCl 晶体中可能存在的色心,模拟计算得到含色心的 NaCl 晶体的电子结构．计算结果表明,F、F_2心在禁带中引入了新的能级；分析了可能存在的光学跃迁,并用过渡态方法计算得到相应的跃迁能量为2... 运用密度泛函离散变分(DV-Xα)方法研究了 NaCl 晶体中可能存在的色心,模拟计算得到含色心的 NaCl 晶体的电子结构．计算结果表明,F、F_2心在禁带中引入了新的能级；分析了可能存在的光学跃迁,并用过渡态方法计算得到相应的跃迁能量为2．74 eV 和1．74 eV．该计算结果与实验测得的吸收光谱的峰值位置吻合较好．而 F^+心不存在光学跃迁吸收,但使晶体的禁带宽度变窄．计算结果还解释了 NaCl 晶体吸收光谱的结构起因． 展开更多

关键词 NACL晶体 F、F^+和F2心 离散变分法

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二价离子掺杂钨酸铅晶体的计算机模拟 被引量：1

5

作者 张秀彦 张启仁 +2 位作者 刘廷禹 陈腾 田东升 《上海理工大学学报》 EI CAS 北大核心 2006年第6期535-537,542,共4页

应用GULP软件计算了PbWO4(PWO)晶体中分别掺杂Zn、Ca二价离子的相关缺陷生成能,并对计算结果进行了讨论.结果表明,Zn离子进入PWO晶体中只能占据铅空位附近的填隙位置,而Ca离子进入PWO晶体中可以占据铅空位,也可以占据铅空位附近的填隙位... 应用GULP软件计算了PbWO4(PWO)晶体中分别掺杂Zn、Ca二价离子的相关缺陷生成能,并对计算结果进行了讨论.结果表明,Zn离子进入PWO晶体中只能占据铅空位附近的填隙位置,而Ca离子进入PWO晶体中可以占据铅空位,也可以占据铅空位附近的填隙位置,这两种情况出现几率近似;对于相同的掺杂浓度,在掺Zn的PWO晶体中的孤立铅空位数量比掺Ca的PWO晶体中少,从而掺Zn可以更好地抑制与铅空位有关的短波段吸收,增加晶体的光产额. 展开更多

关键词 PWO晶体 掺杂 GULP 本征缺陷

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钼酸钙晶体中点缺陷的电子结构研究 被引量：1

6

作者 濮春英 刘廷禹 张启仁 《上海理工大学学报》 EI CAS 北大核心 2008年第2期112-115,120,共5页

运用以密度泛函理论为基础的相对论性离散变分方法(DV-Xα),模拟计算了完整的和含氧空位的钼酸钙(CaMoO_4)晶体的电子结构,得到了含有F、F^+心的CaMoO_4晶体电子态密度分布以及它们可能产生的光学跃迁模式.计算结果表明,含F、F^+心的CaM... 运用以密度泛函理论为基础的相对论性离散变分方法(DV-Xα),模拟计算了完整的和含氧空位的钼酸钙(CaMoO_4)晶体的电子结构,得到了含有F、F^+心的CaMoO_4晶体电子态密度分布以及它们可能产生的光学跃迁模式.计算结果表明,含F、F^+心的CaMoO_4晶体的禁带宽度明显变窄,F、F^+心的能级出现在禁带中,利用过渡态理论计算得到其向Mo的4 d轨道发生光学跃迁,跃迁能量值分别为1.93,2.03 eV.利用提拉法生长的CaMoO_4晶体呈现蓝色的本质原因是F、F^+心在黄红区产生比较强的吸收. 展开更多

关键词 钼酸钙晶体 离散变分法 F、F^+心 电子结构

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金刚石薄膜电致发光现象的研究进展 被引量：1

7

作者 王小平 王丽军 +1 位作者 刘庭禹 张启仁 《物理实验》 北大核心 2004年第7期11-15,共5页

阐明了金刚石薄膜电致发光研究的重要意义 .综述了金刚石薄膜电致发光现象研究的进展情况 ,指出目前该方面研究中存在的问题 。

关键词 金刚石薄膜 电致发光 无机薄膜

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掺Nb^(5+)钨酸铅晶体的计算机模拟

8

作者 陈腾 刘廷禹 +2 位作者 张启仁 田东升 张秀彦 《上海理工大学学报》 EI CAS 北大核心 2006年第6期511-514,共4页

应用GULP计算软件模拟计算了掺Nb5+的PbWO4(PWO)晶体中,Nb5+可能存在的位置以及对应的各种缺陷的生成能.通过比较生成能的大小确定了Nb5+在PWO晶体中最可能的存在方式,并对其电荷补偿机制进行了分析.计算结果表明,在掺Nb5+∶PWO中,Nb5+... 应用GULP计算软件模拟计算了掺Nb5+的PbWO4(PWO)晶体中,Nb5+可能存在的位置以及对应的各种缺陷的生成能.通过比较生成能的大小确定了Nb5+在PWO晶体中最可能的存在方式,并对其电荷补偿机制进行了分析.计算结果表明,在掺Nb5+∶PWO中,Nb5+首先占据邻近缺氧的W6+位,但不可能由F心或F+心来作为补偿,其电荷补偿形式应为[NbO3+VO]+—[NbO4]-,改变了在晶体中与350 nm吸收带有关的氧空位V2O+的电荷补偿机制,从而抑制了350nm吸收. 展开更多

关键词 PBWO4晶体 掺杂 缺陷模型 计算机模拟 GULP

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钨酸铅晶体中掺杂阳离子的计算机模拟

9

作者 田东升 张启仁 +2 位作者 刘廷禹 陈腾 张秀彦 《上海理工大学学报》 EI CAS 北大核心 2007年第2期117-120,共4页

用缺陷化学方法讨论了Nd3+、Th4+、Sb5+掺杂PbWO4(PWO)中可能存在的杂质缺陷模型,用GULP软件计算了不同杂质缺陷的生成能.计算结果表明,Nd3+和Th4+将占据PWO晶体中VP2b-周围的Pb位,对VP2b-的电荷补偿抑制了PWO晶体中420 nm吸收带.Sb5+... 用缺陷化学方法讨论了Nd3+、Th4+、Sb5+掺杂PbWO4(PWO)中可能存在的杂质缺陷模型,用GULP软件计算了不同杂质缺陷的生成能.计算结果表明,Nd3+和Th4+将占据PWO晶体中VP2b-周围的Pb位,对VP2b-的电荷补偿抑制了PWO晶体中420 nm吸收带.Sb5+在高浓度掺杂时将占据PWO晶体中V2O+周围的W位,并由于占据W位所呈现的一价负电性补偿V2O+的正电性,使孤立的铅空位增多,引起350 nm吸收的减弱和420 nm吸收的增强. 展开更多

关键词 PBWO4晶体 掺杂机制 缺陷簇模型 模拟计算

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对不同掺杂浓度La^(3+)∶PbWO_4晶体电子结构的研究

10

作者 孙媛媛 张启仁 +1 位作者 刘廷禹 易志军 《上海理工大学学报》 EI CAS 北大核心 2006年第5期455-459,共5页

采用缺陷化学方法讨论了PbWO4晶体中不同浓度掺La3+时可能存在的缺陷团簇模型.通过GULP计算软件模拟计算了缺陷团簇中La3+离子最可能的替位位置,并通过基于密度泛函理论的离散变分DV Xα方法计算得到相应的La3+∶PWO4晶体的电子态密度.... 采用缺陷化学方法讨论了PbWO4晶体中不同浓度掺La3+时可能存在的缺陷团簇模型.通过GULP计算软件模拟计算了缺陷团簇中La3+离子最可能的替位位置,并通过基于密度泛函理论的离散变分DV Xα方法计算得到相应的La3+∶PWO4晶体的电子态密度.计算得到低浓度掺杂时晶体的禁带宽度变宽,高浓度掺杂时晶体的禁带宽度变窄.实验测得低浓度掺La3+时晶体的吸收边紫移,高浓度掺La3+时晶体的吸收边红移,计算结果与实验结果相符.计算表明,La3+∶PWO4晶体中掺La3+可以有效地抑制420 nm吸收. 展开更多

关键词 LA^3+ PWO4晶体 电子结构 吸收边

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PbWO_4晶体中铅空位周围晶格弛豫的研究

11

作者 刘廷禹 张启仁 庄松林 《上海理工大学学报》 CAS 北大核心 2004年第6期499-502,共4页

使用相对论性密度泛函计算程序,按照能量最低原理采用共轭梯度方法,对缺铅的钨酸铅晶体进行结构优化处理.计算了铅空位周围晶格的弛豫,得到铅空位周围的晶格结构.结果表明,铅空位周围次近邻的正离子(Pb2+和W6+)向铅空位迁移,而铅空位周... 使用相对论性密度泛函计算程序,按照能量最低原理采用共轭梯度方法,对缺铅的钨酸铅晶体进行结构优化处理.计算了铅空位周围晶格的弛豫,得到铅空位周围的晶格结构.结果表明,铅空位周围次近邻的正离子(Pb2+和W6+)向铅空位迁移,而铅空位周围最近邻的负离子(O2-)向远离铅空位的方向迁移.晶格的驰豫结果使铅空位处的电负性降低. 展开更多

关键词 铅空位 PBWO4 结构优化 晶格弛豫

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基于第一性原理的KMgF_3晶体电子结构和光学性质研究 被引量：2

12

作者 程芳 刘廷禹 +2 位作者 张启仁 乔海玲 周秀文 《上海理工大学学报》 CAS 北大核心 2010年第3期263-267,共5页

应用第一性原理研究了完整KMgF3晶体的态密度、介电函数、吸收光谱、复折射率和复数光电导谱.结果表明,介电函数虚部、吸收光谱、复折射率和复数光电导谱的峰值位置与KMgF3晶体的电子结构存在一一对应关系,它们都与KMgF3晶体的的电子结... 应用第一性原理研究了完整KMgF3晶体的态密度、介电函数、吸收光谱、复折射率和复数光电导谱.结果表明,介电函数虚部、吸收光谱、复折射率和复数光电导谱的峰值位置与KMgF3晶体的电子结构存在一一对应关系,它们都与KMgF3晶体的的电子结构有关.计算结果与实验结果相吻合. 展开更多

关键词 KMgF3晶体 电子结构 光学性质 模拟计算

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用类Ne离子L带特征线诊断等离子体特性初步实验研究 被引量：3

13

作者 杨上金 蔡玉琴 +5 位作者 张启仁 张覃鑫 淳于书泰 何海思 胡增文 丁跃南 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 1992年第2期105-110,共6页

本文描述在X光激光实验中用平晶谱仪测量类Ne锗离子L带线谱,首次借助于碰撞辐射模型,用L带特征线的强度所确定等离子体电子密度和温度。并用平晶谱仪配条纹相机测量等离子体的时间特性。

关键词 X光激光 L带线谱 等离子体

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钨酸铅晶体中 F 型色心电子结构的研究 被引量：2

14

作者 易志军 刘廷禹 +1 位作者 张启仁 孙媛媛 《上海理工大学学报》 EI CAS 北大核心 2005年第6期491-493,497,共4页

运用相对论性的密度泛函离散变分(DV-Xα)方法模拟计算了 PbWO_4(PWO)晶体中 F 型色心的电子结构,得到了 PWO 晶体的态密度分布,讨论了色心的可能光学跃迁模式,并用过渡态方法计算了跃迁能量。计算结果表明,F、F^+心在 PWO 晶体的禁带... 运用相对论性的密度泛函离散变分(DV-Xα)方法模拟计算了 PbWO_4(PWO)晶体中 F 型色心的电子结构,得到了 PWO 晶体的态密度分布,讨论了色心的可能光学跃迁模式,并用过渡态方法计算了跃迁能量。计算结果表明,F、F^+心在 PWO 晶体的禁带中引入了施主能级,F、F^+心可向 W 5d 轨道发生跃迁,其跃迁能分别是1．83 eV、2．28 eV,因此,可推断 F、F^+心能引起 PWO 晶体中 680 nm、550 nm 的吸收。 展开更多

关键词 钨酸铅晶体 F、F^+心 离散变分法 吸收光谱

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SrWO_4晶体中F型色心电子结构的研究 被引量：1

15

作者 宋敏 张启仁 +4 位作者 刘廷禹 尹继刚 郭小丰 张海燕 王希恩 《上海理工大学学报》 EI CAS 北大核心 2008年第6期539-542,共4页

运用相对论的密度泛函离散变分法(DV-Xα)研究了SrWO4晶体中F型色心的电子结构.计算结果表明,F和F+心在禁带中引入了新的施主能级;从施主能级到导带底的电子跃迁能分别是1.858,2.14 eV,这分别与669,581 nm的吸收带相对应.由此说明SrWO4... 运用相对论的密度泛函离散变分法(DV-Xα)研究了SrWO4晶体中F型色心的电子结构.计算结果表明,F和F+心在禁带中引入了新的施主能级;从施主能级到导带底的电子跃迁能分别是1.858,2.14 eV,这分别与669,581 nm的吸收带相对应.由此说明SrWO4晶体中669,581 nm吸收带起源于晶体中的F和F+心. 展开更多

关键词 SrWO4晶体 F和F^+心 吸收带

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镁铝尖晶石本征色心的计算机模拟 被引量：1

16

作者 张飞武 张启仁 +3 位作者 刘廷禹 孙媛媛 陶琨 Julian Gale 《上海理工大学学报》 EI CAS 北大核心 2005年第2期104-106,共3页

利用计算机模拟技术和经验参数化方法,通过对镁铝尖晶石(MgAl2O4)晶体结构、晶格形成能及本征缺陷形成能的计算,论证了镁空位V2-O和少量的Al+Mg是MgAl2O4中的本征Mg、氧空位V2+点缺陷.并指出其会以[V2-O]空位对和[V2-Mg]的形式实现电荷... 利用计算机模拟技术和经验参数化方法,通过对镁铝尖晶石(MgAl2O4)晶体结构、晶格形成能及本征缺陷形成能的计算,论证了镁空位V2-O和少量的Al+Mg是MgAl2O4中的本征Mg、氧空位V2+点缺陷.并指出其会以[V2-O]空位对和[V2-Mg]的形式实现电荷补偿. 展开更多

关键词 镁铝尖晶石 色心 计算机模拟

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掺K钨酸铅晶体的计算机模拟 被引量：1

17

作者 张飞武 张启仁 +1 位作者 刘廷禹 陶琨 《上海理工大学学报》 CAS 北大核心 2004年第6期509-511,共3页

应用计算机模拟方法计算分析了掺杂K离子的PbWO4晶体,在不同杂质离子浓度下,K离子的位置及伴随的各种可能存在的缺陷的生成能,明确了晶体掺杂后的缺陷化学及相应的缺陷反应,揭示了低浓度掺K+∶PbWO4的350nm吸收带减弱的原因.计算结果表... 应用计算机模拟方法计算分析了掺杂K离子的PbWO4晶体,在不同杂质离子浓度下,K离子的位置及伴随的各种可能存在的缺陷的生成能,明确了晶体掺杂后的缺陷化学及相应的缺陷反应,揭示了低浓度掺K+∶PbWO4的350nm吸收带减弱的原因.计算结果表明,高浓度掺K离子将消除420nm吸收带,改善PbWO4晶体的抗辐照损伤性能. 展开更多

关键词 PWO 掺杂 计算机模拟 GULP

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PbWO_4晶体F心及F^+心吸收带的能级计算 被引量：1

18

作者 米贤武 张启仁 刘廷禹 《上海理工大学学报》 CAS 北大核心 2002年第3期209-213,共5页

采用离散变分法计算了PbWO4晶体的能带结构,并用F心及F+心的类氢离子1S波函数结合离散变分法计算了F心及F+心的电子基态能级. 计算结果表明,F心及F+心电子基态能级分布在禁带中,分别位于距导带底1.97 eV(630 nm)及2.36 eV(525 nm)处,它... 采用离散变分法计算了PbWO4晶体的能带结构,并用F心及F+心的类氢离子1S波函数结合离散变分法计算了F心及F+心的电子基态能级. 计算结果表明,F心及F+心电子基态能级分布在禁带中,分别位于距导带底1.97 eV(630 nm)及2.36 eV(525 nm)处,它们的吸收跃迁对应于基态到导带底的跃迁,使晶体呈现F心及F+心吸收带. 化学计量PbWO4晶体的辐照诱导吸收谱位于500~700 nm,呈现一个宽吸收带. 高斯分解的结果表明:该吸收带是由两个峰值分别位于550 nm和680 nm的吸收带叠加而成的,这两个吸收带分别对应于F+心及F心吸收带. 计算结果与实验数据吻合较好. 展开更多

关键词 离散变分法 PBWO4晶体 F心 F^+心 吸收带 能级 计算

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掺氟钨酸铅晶体的电子结构研究 被引量：1

19

作者 陶琨 张启仁 +1 位作者 刘廷禹 张飞武 《上海理工大学学报》 CAS 北大核心 2004年第6期512-514,共3页

用密度泛函的方法计算了掺氟钨酸铅晶体(F-∶PbWO4)的电子结构.结果表明,杂质F-离子的掺入使得部分O的2p态和W的5d态分裂并进入到禁带中,使得禁带宽度变窄.F的2p态距离价带顶6.0eV左右,因而不会影响晶体的蓝发光.F-离子替位氧离子O2-可... 用密度泛函的方法计算了掺氟钨酸铅晶体(F-∶PbWO4)的电子结构.结果表明,杂质F-离子的掺入使得部分O的2p态和W的5d态分裂并进入到禁带中,使得禁带宽度变窄.F的2p态距离价带顶6.0eV左右,因而不会影响晶体的蓝发光.F-离子替位氧离子O2-可以部分地补偿由于铅空位VPb所造成的局域电荷失衡,阻止铅空位VPb抓住空穴形成复合色心.因此,可以减弱420nm吸收带,有效地增加光产额. 展开更多

关键词 F^-离子 态密度 PBWO4

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用类He离子谱线强度比测量激光产生等离子体电子温度和密度 被引量：1

20

作者 杨上金 张启仁 +1 位作者 蔡玉琴 淳于书泰 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 1989年第4期244-246,共3页

一、引言在X光激光(XRL)和惯性约束聚变(ICF)研究中,等离子体电子温度和密度是表征等离子体状态的重要参数之一。虽然等离子体辐射各谱线强度与发射源的温度,密度和离子丰度直接相关,但要得到各谱线的绝对强度是很困难的,因为用于测量... 一、引言在X光激光(XRL)和惯性约束聚变(ICF)研究中,等离子体电子温度和密度是表征等离子体状态的重要参数之一。虽然等离子体辐射各谱线强度与发射源的温度,密度和离子丰度直接相关,但要得到各谱线的绝对强度是很困难的,因为用于测量谱线强度探测器的绝对刻度相当困难。早在70年代初,苏联Aglitskii等首次用类He离子谱线强度比测量等离子体电子温度和密度。 展开更多

关键词 激光 等离子体 电子 温度 密度

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