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铜基底上大尺寸石墨烯单晶的化学气相沉积法制备研究进展
被引量：
3
1
作者
张儒静
黄光宏
+3 位作者
甄真
许振华
李娜
何利民
《材料工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023年第5期46-57,共12页
石墨烯的优异性能使其有望应用于未来的电子和光电器件中,采用化学气相沉积法进行石墨烯薄膜的可控制备有助于其在高性能器件中的大规模应用。然而多晶结构石墨烯薄膜中的大量晶界阻碍了载流子的快速传输,损害了材料的电学性能。大尺寸...
石墨烯的优异性能使其有望应用于未来的电子和光电器件中,采用化学气相沉积法进行石墨烯薄膜的可控制备有助于其在高性能器件中的大规模应用。然而多晶结构石墨烯薄膜中的大量晶界阻碍了载流子的快速传输,损害了材料的电学性能。大尺寸石墨烯单晶的获得能够减少薄膜中的晶界缺陷、极大提升石墨烯薄膜的质量。本文综述了大尺寸石墨烯单晶在铜基底上的化学气相沉积法制备研究,主要包括石墨烯晶片形核密度控制及取向一致石墨烯晶片的无缝拼接两种方法。重点从基底处理、反应区碳源分压控制、氧辅助生长等方面阐述了石墨烯单晶生长的不同实现途径、原理和特点。最后,分析目前制备方法中存在的挑战,并展望大尺寸石墨烯单晶的未来发展方向。探究石墨烯单晶的生长机制及动力学有助于实现在不同环境生长的精确控制,批量化低成本工艺开发和在多元化目标基底上的原位制备是实现石墨烯单晶大范围应用的关键。
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关键词
石墨烯
单晶
化学气相沉积
形核密度
无缝拼接
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职称材料
等离子体增强化学气相沉积可控制备石墨烯研究进展
被引量：
8
2
作者
李娜
张儒静
+2 位作者
甄真
许振华
何利民
《材料工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第7期36-44,共9页
石墨烯具有超薄的结构、优异的光学和电学等性能,在晶体管、太阳能电池、超级电容器和传感器等领域具有极大的应用潜能。为更好地发展实际应用,高质量石墨烯的可控制备研究尤为重要。等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术具有低温和原...
石墨烯具有超薄的结构、优异的光学和电学等性能,在晶体管、太阳能电池、超级电容器和传感器等领域具有极大的应用潜能。为更好地发展实际应用,高质量石墨烯的可控制备研究尤为重要。等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术具有低温和原位生长的优势,成为未来石墨烯制备方面较具潜力的发展方向之一。本文综述了PECVD技术制备石墨烯的发展,重点讨论了PECVD过程中等离子体能量、生长温度、生长基底和生长压力对石墨烯形核及生长的作用,概述了PECVD制备石墨烯的形核及聚结机制、刻蚀和边缘生长竞争两种不同机制,并指出PECVD技术制备石墨烯面临的挑战及发展。在未来的研究中,需突破对石墨烯形核及生长的控制,实现低温原位的大尺寸、高质量石墨烯薄膜的可控制备,为PECVD基石墨烯器件在电子等领域的应用奠定基础。
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关键词
石墨烯
等离子体增强化学气相沉积
形核及生长
生长机制
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职称材料
题名
铜基底上大尺寸石墨烯单晶的化学气相沉积法制备研究进展
被引量：
3
1
作者
张儒静
黄光宏
甄真
许振华
李娜
何利民
机构
中国航发北京航空材料研究院
北京石墨烯技术研究院
出处
《材料工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023年第5期46-57,共12页
基金
中国科协青年人才托举工程(YESS20200306)。
文摘
石墨烯的优异性能使其有望应用于未来的电子和光电器件中,采用化学气相沉积法进行石墨烯薄膜的可控制备有助于其在高性能器件中的大规模应用。然而多晶结构石墨烯薄膜中的大量晶界阻碍了载流子的快速传输,损害了材料的电学性能。大尺寸石墨烯单晶的获得能够减少薄膜中的晶界缺陷、极大提升石墨烯薄膜的质量。本文综述了大尺寸石墨烯单晶在铜基底上的化学气相沉积法制备研究,主要包括石墨烯晶片形核密度控制及取向一致石墨烯晶片的无缝拼接两种方法。重点从基底处理、反应区碳源分压控制、氧辅助生长等方面阐述了石墨烯单晶生长的不同实现途径、原理和特点。最后,分析目前制备方法中存在的挑战,并展望大尺寸石墨烯单晶的未来发展方向。探究石墨烯单晶的生长机制及动力学有助于实现在不同环境生长的精确控制,批量化低成本工艺开发和在多元化目标基底上的原位制备是实现石墨烯单晶大范围应用的关键。
关键词
石墨烯
单晶
化学气相沉积
形核密度
无缝拼接
Keywords
graphene
single crystal
chemical vapor deposition
nucleation density
seamless stitching
分类号
TB321 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
等离子体增强化学气相沉积可控制备石墨烯研究进展
被引量：
8
2
作者
李娜
张儒静
甄真
许振华
何利民
机构
中国航发北京航空材料研究院
北京石墨烯技术研究院有限公司
出处
《材料工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第7期36-44,共9页
文摘
石墨烯具有超薄的结构、优异的光学和电学等性能,在晶体管、太阳能电池、超级电容器和传感器等领域具有极大的应用潜能。为更好地发展实际应用,高质量石墨烯的可控制备研究尤为重要。等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术具有低温和原位生长的优势,成为未来石墨烯制备方面较具潜力的发展方向之一。本文综述了PECVD技术制备石墨烯的发展,重点讨论了PECVD过程中等离子体能量、生长温度、生长基底和生长压力对石墨烯形核及生长的作用,概述了PECVD制备石墨烯的形核及聚结机制、刻蚀和边缘生长竞争两种不同机制,并指出PECVD技术制备石墨烯面临的挑战及发展。在未来的研究中,需突破对石墨烯形核及生长的控制,实现低温原位的大尺寸、高质量石墨烯薄膜的可控制备,为PECVD基石墨烯器件在电子等领域的应用奠定基础。
关键词
石墨烯
等离子体增强化学气相沉积
形核及生长
生长机制
Keywords
graphene
PECVD
nucleation and growth
growth mechanism
分类号
TQ127.1 [化学工程—无机化工]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
铜基底上大尺寸石墨烯单晶的化学气相沉积法制备研究进展
张儒静
黄光宏
甄真
许振华
李娜
何利民
《材料工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023
3
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
等离子体增强化学气相沉积可控制备石墨烯研究进展
李娜
张儒静
甄真
许振华
何利民
《材料工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020
8
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职称材料
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