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硅双极器件ELDRS效应机理的研究进展 被引量:2
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作者 张修瑜 代刚 宋宇 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2016年第6期481-488,共8页
低剂量率辐射损伤增强效应(ELDRS)的发现引起了国际航天领域的关注。本文介绍了双极器件的辐照响应,综述了自1991年发现双极器件具有ELDRS效应二十多年以来ELDRS效应机理研究取得的主要成果,分析了未来可能的研究方向。调研发现,机理研... 低剂量率辐射损伤增强效应(ELDRS)的发现引起了国际航天领域的关注。本文介绍了双极器件的辐照响应,综述了自1991年发现双极器件具有ELDRS效应二十多年以来ELDRS效应机理研究取得的主要成果,分析了未来可能的研究方向。调研发现,机理研究主要聚焦在Si/SiO2界面处,建立工艺与界面特性的关联对于抑制ELDRS效应极具参考价值。 展开更多
关键词 双极器件 低剂量率辐射损伤增强效应 界面 机理模型 工艺
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剂量率切换辐照加速方法适用性的数值评估
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作者 张修瑜 冯晓龙 +2 位作者 李鸿亮 宋宇 代刚 《辐射研究与辐射工艺学报》 CAS CSCD 2017年第1期57-64,共8页
为进行剂量率切换辐照加速方法适用性的数值评估,基于定量损伤物理模型和剂量率切换加速方法实验测试条件,以氢浓度、初始缺陷浓度和温度为变量,对金属绝缘层半导体(Metal insulator semiconductor,MIS)结构进行了系统的数值模拟。结果... 为进行剂量率切换辐照加速方法适用性的数值评估,基于定量损伤物理模型和剂量率切换加速方法实验测试条件,以氢浓度、初始缺陷浓度和温度为变量,对金属绝缘层半导体(Metal insulator semiconductor,MIS)结构进行了系统的数值模拟。结果表明,剂量率切换辐照加速方法的适用性对双极器件氧化层内的氢浓度及缺陷浓度有很强的依赖。因此,剂量率切换加速方法的实验可能对部分器件和电路不再适用。 展开更多
关键词 剂量率切换 加速方法 数值模拟 氢浓度 初始缺陷浓度
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