高塔造粒复合肥料浆中钾含量检测方法的探讨 被引量：1

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作者 范容 张伟才 《科学技术创新》 2025年第5期27-30,共4页

采用高塔造粒工艺的复合肥,喷洒造粒前混合料浆中钾含量的快速准确监测,是产品质量的最后一道把关口。本文通过对钾含量检测方法的探讨及参数的优化,在保证分析数据准确度的前提下,大大缩短分析时长,满足了分析快速准确的需求。

关键词 复合肥 钾含量 准确度 分析时长

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晶片表面Haze值研究 被引量：5

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作者 张伟才 宋晶 +1 位作者 杨洪星 赵权 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第9期681-683,共3页

介绍了晶片表面Haze值的定义和理论依据,通过对SSIS系统的原理分析,揭示了Haze是一种间接反映晶片表面状态的光学信号。通过对不同表面状态抛光片的光学扫描,研究了晶片表面粗糙度与Haze值的关系;通过对Si抛光片和砷化镓抛光片的扫描对... 介绍了晶片表面Haze值的定义和理论依据,通过对SSIS系统的原理分析,揭示了Haze是一种间接反映晶片表面状态的光学信号。通过对不同表面状态抛光片的光学扫描,研究了晶片表面粗糙度与Haze值的关系;通过对Si抛光片和砷化镓抛光片的扫描对比,研究了晶片本体反射系数对Haze值的影响。研究结果表明,同种材料的Haze值随着表面粗糙度的增大而增大,而不同的材料即使拥有相似的表面粗糙度,Haze值也会因本体反射系数的不同而呈现很大差异。通过对Haze扫描图的特征分析,研究了Haze值分布与晶片表面均匀性的关系,成功地利用Haze值分布将表面性状化,为化学机械抛光和湿法清洗工艺提供了一个新的反馈手段。 展开更多

关键词 Haze值 光散射 表面粗糙度 一致性 扫描表面检查系统

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厚层硅外延用衬底的边缘处理 被引量：3

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作者 张伟才 赵权 +1 位作者 陶术鹤 陈建跃 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2013年第11期739-742,共4页

在厚层硅外延生长过程中,由衬底硅片边缘引起的滑移线是典型的缺陷。研究了硅片的边缘损伤和倒角面幅宽度,研究中发现,适当增大倒角去除量,有助于消除由于单晶滚磨造成的边缘损伤,降低外延生长中滑移线的比例,为获得良好的外延效果,厚... 在厚层硅外延生长过程中,由衬底硅片边缘引起的滑移线是典型的缺陷。研究了硅片的边缘损伤和倒角面幅宽度,研究中发现,适当增大倒角去除量,有助于消除由于单晶滚磨造成的边缘损伤,降低外延生长中滑移线的比例,为获得良好的外延效果,厚层外延衬底的倒角去除量不应低于0.6 mm。增大倒角面幅可以增大外延生长的边缘厚度过渡区,有助于消除"外延冠",减小晶片边缘向中心的应力。当面幅宽度达到500μm后,厚层外延滑移线的比例可降低至0.5%以下。另外,衬底片经过碱腐蚀后粗糙度明显增大,表面抛光后仍没有改善,这说明边缘抛光是提高晶片质量的一个必要步骤。 展开更多

关键词 厚层外延 边缘倒角 滑移线 边缘损伤 面幅宽度

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InP单晶材料性能及制备方法 被引量：2

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作者 张伟才 韩焕鹏 杨静 《电子工业专用设备》 2018年第4期36-41,共6页

介绍了InP单晶材料的特性、应用方向及制备的主要方法,主要包括液封直拉技术(LEC)、气压控制直拉技术(VCZ/PC-LEC)、垂直梯度凝固技术(VGF)、垂直布里奇曼技术(VB)等。通过对各种生长方法进行对比,指出了各种方法的优势和不足,最后探讨... 介绍了InP单晶材料的特性、应用方向及制备的主要方法,主要包括液封直拉技术(LEC)、气压控制直拉技术(VCZ/PC-LEC)、垂直梯度凝固技术(VGF)、垂直布里奇曼技术(VB)等。通过对各种生长方法进行对比,指出了各种方法的优势和不足,最后探讨了各类生长方法的应用领域和今后发展方向。 展开更多

关键词 InP单晶材料 液封直拉法 气压控制直拉法 垂直梯度凝固

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抛光片IPA干燥技术研究 被引量：3

5

作者 张伟才 赵权 《电子工业专用设备》 2013年第11期22-25,共4页

以Marangoni效应为基础的IPA干燥技术在衬底抛光片的干燥中遇到了瓶颈,即干燥后出现水痕缺陷。Marangoni干燥过程中,抛光片表面的水符合重力场下的杨方程模型,其脱离效果与晶片提拉速率和IPA流量密切相关。研究中发现,IPA流量在20 L/mi... 以Marangoni效应为基础的IPA干燥技术在衬底抛光片的干燥中遇到了瓶颈,即干燥后出现水痕缺陷。Marangoni干燥过程中,抛光片表面的水符合重力场下的杨方程模型,其脱离效果与晶片提拉速率和IPA流量密切相关。研究中发现,IPA流量在20 L/min、提拉速率在1 mm/s时干燥效果最佳;另外,Marangoni干燥过程不能完全去除晶片底部的残水,需要营造合适的蒸发环境,减压排风下供给适量的IPA蒸汽有助于底部残水的去除。晶片与花篮在干燥过程中有相互影响,完全分离的模式可以消除这种影响,但同时会使干燥时间增长。 展开更多

关键词 异丙醇 马兰戈尼 底部残水 水痕

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晶片干燥技术综述 被引量：3

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作者 张伟才 宋晶 《电子工业专用设备》 2012年第9期8-10,共3页

在各类晶片中,尤以衬底抛光片的干燥最为困难,容易出现颗粒和水痕等缺陷。以设备为依托的干燥技术发展迅速,离心甩干技术,IPA Vapor干燥,Marangoni干燥和HF/O3干燥是其中较为成功的。

关键词 干燥 离心甩干 IPA干燥 干燥缺陷

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MEMS湿法工艺对硅衬底性能要求的探讨 被引量：1

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作者 张伟才 韩焕鹏 陈晨 《电子工业专用设备》 2017年第2期4-6,15,共4页

通过对比MEMS各向异性腐蚀中硅材料表现出的各类缺陷,研究硅材料性能对腐蚀工艺的影响。研究中发现,硅中原生缺陷是影响腐蚀效果的重要因素,而原生缺陷与晶体初始氧含量密切相关。同时,掺杂原子会造成晶格畸变,继而导致腐蚀缺陷的产生。

关键词 硅 各向异性 湿法腐蚀 缺陷

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悬浮区熔法中线圈中心厚度对电磁场的影响

8

作者 张伟才 郑万超 +1 位作者 李聪 冯旭 《材料导报》 CSCD 北大核心 2023年第S01期62-65,共4页

为提高悬浮区熔(FZ)法的成晶率,使用模拟计算软件深入研究FZ硅单晶的生长过程。本文通过Comsol Multiphysics软件模拟FZ炉内的电磁场,分析不同线圈中心厚度对于电磁场的影响。随着线圈中心厚度增加,熔化的多晶硅表面电磁能量减小,而熔... 为提高悬浮区熔(FZ)法的成晶率,使用模拟计算软件深入研究FZ硅单晶的生长过程。本文通过Comsol Multiphysics软件模拟FZ炉内的电磁场,分析不同线圈中心厚度对于电磁场的影响。随着线圈中心厚度增加,熔化的多晶硅表面电磁能量减小,而熔体自由表面电磁能量增加。如果线圈中心厚度过小,较小熔体自由表面电磁能量会导致穿过线圈的多晶硅棒中心区域不熔化;如果线圈中心厚度过大,较小熔化的多晶硅表面电磁能量使熔化的多晶硅减少,引起熔体自由表面形状改变。之后,本文使用中心厚度为1 mm、1.5 mm和2 mm线圈生长6英寸硅单晶,发现线圈中心厚度为1.5 mm时,线圈产生的电磁场更有利于硅单晶生长。 展开更多

关键词 悬浮区熔硅 线圈中心厚度 熔化的多晶硅表面 熔体自由表面 电磁场

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SiC微粉粒径对干法背面软损伤工艺影响

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作者 张伟才 王雄龙 +2 位作者 杨洪星 杨静 李明佳 《电子工艺技术》 2018年第4期191-194,共4页

以SiC微粉为媒介对硅晶片进行干法背面软损伤,而后对晶片进行抛光清洗及热处理。以制备的抛光片表面颗粒度、氧化雾和氧化诱生堆垛层错为评价指标,研究了不同粒径的SiC微粉对干法背面软损伤工艺的影响。实验结果表明,SiC微粉粒径对干法... 以SiC微粉为媒介对硅晶片进行干法背面软损伤,而后对晶片进行抛光清洗及热处理。以制备的抛光片表面颗粒度、氧化雾和氧化诱生堆垛层错为评价指标,研究了不同粒径的SiC微粉对干法背面软损伤工艺的影响。实验结果表明,SiC微粉粒径对干法背面软损伤影响显著,当以粒径为6.7μm的SiC微粉对硅晶片进行干法背面软损伤时,制备的抛光片正表面洁净度良好,表面颗粒度为29个/片(表面颗粒D≥0.2μm)。经氧化诱生后,晶片背表面氧化诱生堆垛层错密度为(4~5)×10~4个/cm^2。背面软损伤层可起到较好的吸杂作用,经氧化诱生后晶片正表面无热氧化雾出现。 展开更多

关键词 硅晶片 干法喷砂 背面软损伤 粒径 氧化诱生堆垛层错

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超薄Ge单晶抛光片机械强度控制技术 被引量：3

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作者 赵权 杨洪星 +3 位作者 刘春香 吕菲 张伟才 王云彪 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第8期768-771,786,共5页

Ge单晶衬底上制成的化合物太阳能电池,被越来越广泛地应用于空间太阳能领域,超薄Ge抛光的机械强度也越来越受到人们的关注。介绍了一种测试超薄Ge单晶抛光片机械强度的方法。研究了加工工艺对超薄Ge单晶抛光片机械强度的影响,同时指出... Ge单晶衬底上制成的化合物太阳能电池,被越来越广泛地应用于空间太阳能领域,超薄Ge抛光的机械强度也越来越受到人们的关注。介绍了一种测试超薄Ge单晶抛光片机械强度的方法。研究了加工工艺对超薄Ge单晶抛光片机械强度的影响,同时指出在太阳电池用超薄Ge单晶抛光片的加工过程中,切割、研磨、磨削、化学腐蚀、抛光等工序对超薄Ge单晶抛光片的机械强度均有着不同程度的影响。研究表明,通过调整磨削砂轮砂粒粒径、化学腐蚀去除厚度和抛光速率等工艺参数,能够有效控制超薄Ge单晶抛光片的机械强度。 展开更多

关键词 机械强度 锗抛光片 太阳电池 损伤层 砂轮砂粒粒径

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红外增透薄膜的研究进展 被引量：5

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作者 何远东 张伟才 +1 位作者 闫萍 杨洪星 《节能技术》 CAS 2016年第2期125-128,138,共5页

红外增透膜已被广泛的应用于现代光学系统,并直接决定了光学器件性能的优劣,特别是对于航空航天领域具有十分重要的现实意义。红外增透膜的常见制备方法有真空蒸发、电子束蒸发、化学气相沉积法等。文章着重介绍国内外关于红外增透膜的... 红外增透膜已被广泛的应用于现代光学系统,并直接决定了光学器件性能的优劣,特别是对于航空航天领域具有十分重要的现实意义。红外增透膜的常见制备方法有真空蒸发、电子束蒸发、化学气相沉积法等。文章着重介绍国内外关于红外增透膜的研究进展,综述红外增透膜材料的选择、常规红外增透膜材料的改性、红外增透膜系的设计及新型红外增透膜材料的开发,预测了红外增透膜材料未来的发展趋势。特别关注膜材料的红外透过率及机械强度等性能,明确不同红外增透膜的工作波段及应用前景。 展开更多

关键词 光学薄膜 红外增透膜 透过率 机械强度 改性

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铌酸锂晶片抛光的主要物理及化学因素分析 被引量：2

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作者 杨静 杨洪星 +4 位作者 韩焕鹏 王雄龙 田原 范红娜 张伟才 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第A02期273-276,共4页

光学器件的飞速发展对基体材料铌酸锂不断提出更高要求。为获得满足器件使用要求的超光滑、高平整晶片表面,采用化学机械抛光方法对铌酸锂进行加工。研究过程中,对负载压力、抛光布表面结构、抛光液流量、p H值等工艺参数进行了优化调整... 光学器件的飞速发展对基体材料铌酸锂不断提出更高要求。为获得满足器件使用要求的超光滑、高平整晶片表面,采用化学机械抛光方法对铌酸锂进行加工。研究过程中,对负载压力、抛光布表面结构、抛光液流量、p H值等工艺参数进行了优化调整,最终制备出平整度较高、表面粗糙度较小的铌酸锂抛光片。实验结果表明,选取Suba 600抛光布、液流量3 m L/s、p H值为10、底盘转速60 r/min、压力为0.16 MPa作为抛光工艺参数可获得高平整、超光滑的铌酸锂抛光片。平面度测量仪与原子力显微镜测试结果表明,所制备LN抛光片的总厚度变化(TTV)为6.398μm,粗糙度(Ra)为0.196 nm。 展开更多

关键词 铌酸锂 化学机械抛光 粗糙度 总厚度变化

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硅溶胶抛光液对硅单晶抛光片表面质量的影响 被引量：2

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作者 索开南 张伟才 +1 位作者 杨洪星 郑万超 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第10期788-794,共7页

硅抛光片表面质量除了受抛光工艺参数影响外,在很大程度上还受抛光液的影响。通过检测表面Haze值和粗糙度,研究硅抛光片表面形貌,分析不同抛光液对抛光片表面质量的影响,确定不同抛光阶段对抛光液的要求。研究结果表明粗抛光过程是以化... 硅抛光片表面质量除了受抛光工艺参数影响外,在很大程度上还受抛光液的影响。通过检测表面Haze值和粗糙度,研究硅抛光片表面形貌,分析不同抛光液对抛光片表面质量的影响,确定不同抛光阶段对抛光液的要求。研究结果表明粗抛光过程是以化学腐蚀为主导的化学机械平衡过程,与pH值联系紧密,与起机械摩擦作用的硅溶胶中SiO_(2)颗粒平均粒径及分布关系不大。要想获得原子级平坦的表面,精抛光液的作用非常重要,pH值对精抛光片表面的影响非常明显,必须严格控制在合理范围。如果腐蚀作用过大,则会增大表面Haze值和粗糙度;如果机械作用过大,则会在表面出现犁沟。 展开更多

关键词 硅抛光片 硅溶胶 抛光液 Haze值 粗糙度

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多结太阳电池用P型锗单晶片去蜡技术研究 被引量：4

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作者 杨洪星 张伟才 +4 位作者 陈亚楠 王斌 张春翔 刘春香 赵权 《电子工业专用设备》 2011年第7期17-19,共3页

在多结太阳电池结构中,P型锗单晶片不仅作为衬底,也是整体电池结构中的一个结。在外延生长过程中,需要进行多次异质外延生长,因此,对P型锗单晶片的表面质量提出了更高的要求。通过对P型锗片去蜡技术的研究,提高了锗片表面质量,降低了外... 在多结太阳电池结构中,P型锗单晶片不仅作为衬底,也是整体电池结构中的一个结。在外延生长过程中,需要进行多次异质外延生长,因此,对P型锗单晶片的表面质量提出了更高的要求。通过对P型锗片去蜡技术的研究,提高了锗片表面质量,降低了外延生长过程中雾缺陷的比例。 展开更多

关键词 锗 清洗技术 去蜡技术 多结太阳电池

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硅抛光片表面颗粒度控制 被引量：4

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作者 武永超 杨洪星 +2 位作者 张伟才 宋晶 赵权 《电子工业专用设备》 2010年第10期20-22,47,共4页

硅片表面的颗粒、有机物、金属、吸附分子、微粗糙度、自然氧化层等会严重影响器件性能,其中表面颗粒度会引起图形缺陷、外延缺陷、影响布线的完整性,是高成品率的最大障碍。探讨了如何减少硅表面颗粒度的方法。第一部分从兆声波清洗的... 硅片表面的颗粒、有机物、金属、吸附分子、微粗糙度、自然氧化层等会严重影响器件性能,其中表面颗粒度会引起图形缺陷、外延缺陷、影响布线的完整性,是高成品率的最大障碍。探讨了如何减少硅表面颗粒度的方法。第一部分从兆声波清洗的机理出发,研究了清洗温度及清洗时间对硅抛光片表面颗粒度的影响;第二部分通过实验对比了增加多片盒清洗工艺对硅抛光片表面颗粒度的影响。 展开更多

关键词 兆声波清洗 硅片湿法化学清洗 颗粒去除

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硅单晶抛光片边缘亮线研究 被引量：2

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作者 王云彪 杨洪星 +1 位作者 陈亚楠 张伟才 《电子工艺技术》 2014年第5期298-302,共5页

随着集成电路用晶圆向大尺寸化方向发展，国内10～15 cm硅抛光片市场竞争日益激烈，外延及器件厂家对抛光片的表面质量和可利用率要求越来越高。边缘亮线是一种存在于硅片抛光面边缘的腐蚀缺陷，对抛光片的成品率及后续工艺质量有重要... 随着集成电路用晶圆向大尺寸化方向发展，国内10～15 cm硅抛光片市场竞争日益激烈，外延及器件厂家对抛光片的表面质量和可利用率要求越来越高。边缘亮线是一种存在于硅片抛光面边缘的腐蚀缺陷，对抛光片的成品率及后续工艺质量有重要影响。通过对硅片边缘表面形貌进行微观分析，揭示了“边缘亮线”产生的机理，分别研究了抛光工艺条件和倒角工艺条件对边缘缺陷的影响，通过优化抛光工艺条件，消除了抛光片表面“边缘亮线”缺陷。 展开更多

关键词 边缘亮线 表面形貌 成品率 抛光片

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基于延长石油开发中体积压裂技术的研究探讨 被引量：2

17

作者 张伟才 《石化技术》 CAS 2023年第7期61-63,共3页

为了满足社会生产能源实际需求量,必须在石油开发中融入更为先进的科学技术,增加石油资源开采量。体积压裂技术就是在此背景下出现的一种石油开采手段,这一技术尤其适用于低渗透油田作业。首先对体积压裂技术的概念进行了简要说明,然后... 为了满足社会生产能源实际需求量,必须在石油开发中融入更为先进的科学技术,增加石油资源开采量。体积压裂技术就是在此背景下出现的一种石油开采手段,这一技术尤其适用于低渗透油田作业。首先对体积压裂技术的概念进行了简要说明,然后分析该技术实施相关影响因素,并提出了一系列应用措施,最后结合案例对石油开发中体积压裂技术的应用效果进一步论述,旨在为石油资源的开发利用提供一定的帮助。 展开更多

关键词 石油开发 体积压裂技术 应用

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MEMS用硅片的磨削工艺研究 被引量：1

18

作者 杨静 王雄龙 +3 位作者 韩焕鹏 杨洪星 李明佳 张伟才 《电子工业专用设备》 2018年第4期10-13,共4页

基于MEMS用硅片的特点,分析了自旋转磨削工艺对其加工的影响。分别从磨料粒度、主轴转速、砂轮轴向进给速度几个方面对MEMS用硅片的磨削工艺参数进行了优化设计。结果表明,磨料粒度大小直接影响磨削硅片表面的粗糙度,随着磨料粒度的减小... 基于MEMS用硅片的特点,分析了自旋转磨削工艺对其加工的影响。分别从磨料粒度、主轴转速、砂轮轴向进给速度几个方面对MEMS用硅片的磨削工艺参数进行了优化设计。结果表明,磨料粒度大小直接影响磨削硅片表面的粗糙度,随着磨料粒度的减小,硅片表面的粗糙度数值大幅度降低;此外,磨料粒度与主轴转速都是影响磨削热产生的因素,磨料粒度、主轴转速设置不当均易导致"焦片"现象的出现;砂轮轴向进给速度影响硅片表面的损伤层深度,轴向进给速度越小,后续抛光过程所需去除量越小,表明硅片表面引入的损伤深度越小。 展开更多

关键词 磨削 磨料粒度 主轴转速 进给速度

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不同直径InP晶锭混合加工技术

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作者 索开南 杨洪星 +4 位作者 张伟才 史艳磊 徐森锋 孙聂枫 刘惠生 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第5期390-395,408,共7页

通过改进InP晶锭加工流程的设计,明显提高了直径不均匀或者含有多晶或孪晶晶锭的出片量。与传统半导体材料晶锭加工流程相比,采用本加工技术加工晶锭的最终出片面积至少能够提高20%,在某些情况下能达到50%以上。为了验证该加工流程对晶... 通过改进InP晶锭加工流程的设计,明显提高了直径不均匀或者含有多晶或孪晶晶锭的出片量。与传统半导体材料晶锭加工流程相比,采用本加工技术加工晶锭的最终出片面积至少能够提高20%,在某些情况下能达到50%以上。为了验证该加工流程对晶片参数的影响,研究了InP晶锭表面起伏对晶片厚度一致性、翘曲度、弯曲度等几何参数的影响。实验结果表明,在切割参数相同的情况下,采用本加工技术获得的晶片厚度一致性较差,造成参数恶化的原因是晶锭表面起伏使钢线在接触晶锭表面时可能出现位移。通过在晶锭表面粘接特殊的板补偿晶体表面起伏,改善了晶片厚度一致性。本方法可以在保证生产质量合格的成品晶片的同时,大幅度提高晶锭最终出片面积。 展开更多

关键词 INP 激光切割 混合加工技术 标准直径 出片面积

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氧化态对锗衬底表面质量的影响

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作者 何远东 张伟才 +1 位作者 杨洪星 韩焕鹏 《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第8期602-605,648,共5页

锗衬底主要用于制备砷化镓太阳电池,在航天器电源及地面聚光太阳电池系统中有着广泛的应用。为进一步提高电池转换效率,对锗衬底的表面质量提出了更高的要求。研究了HF/H_(2)O_(2)/H_(2)O清洗液体系中氧化剂H_(2)O_(2)体积分数对锗衬底... 锗衬底主要用于制备砷化镓太阳电池,在航天器电源及地面聚光太阳电池系统中有着广泛的应用。为进一步提高电池转换效率,对锗衬底的表面质量提出了更高的要求。研究了HF/H_(2)O_(2)/H_(2)O清洗液体系中氧化剂H_(2)O_(2)体积分数对锗衬底及外延片表面质量的影响。随着氧化反应的不断进行,在锗衬底表面形成一层非晶态不溶性GeO_(x)薄膜,从而实现了锗衬底较好的钝化和更加稳定的表面终结,并通过外延生长进行了工艺验证。通过高分辨率X射线光电子能谱(XPS)对锗衬底表面氧化态进行测试及分峰拟合并模拟计算,当1.2<x<1.4时,对应体积比的HF/H_(2)O_(2)/H_(2)O清洗液钝化效果较好。 展开更多

关键词 双氧水 锗衬底 表面质量 氧化态 X射线光电子能谱(XPS)

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