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纳米SiO_2/环氧树脂的制备与表征 被引量:27
1
作者 张之圣 樊攀峰 李海燕 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第10期50-53,共4页
利用偶联剂处理后的纳米 Si O2 粒子改性环氧树脂制备纳米 Si O2 /环氧树脂复合材料。IR分析表明 :纳米 Si O2与环氧树脂形成了复合体 ;热失重、冲击强度、扫描电子显微镜和体积电阻率测试表明 :纳米 Si O2 和普通 Si O2 对环氧树脂有... 利用偶联剂处理后的纳米 Si O2 粒子改性环氧树脂制备纳米 Si O2 /环氧树脂复合材料。IR分析表明 :纳米 Si O2与环氧树脂形成了复合体 ;热失重、冲击强度、扫描电子显微镜和体积电阻率测试表明 :纳米 Si O2 和普通 Si O2 对环氧树脂有明显的改性作用 ,当 Si O2 /环氧树脂为 4 / 10 0时 ,复合体的热解温度、冲击强度和体积电阻率均达到最大值 ,纳米 Si O2 /环氧树脂的热解温度、冲击强度和体积电阻率分别为 32 3℃ ,89.2 k J· m- 2 和 3.5 6× 10 1 4Ω· cm- 2 ;普通Si O2 /环氧树脂的热解温度、冲击强度和体积电阻率分别为 30 8℃ ,17.13k J·m- 2和 2 .80× 10 1 4Ω·cm- 2。 展开更多
关键词 纳米二氧化硅 环氧树脂 改性 表征
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采用金属有机化合物热分解法研制锆钛酸铅薄膜 被引量:6
2
作者 张之圣 刘如净 刘志刚 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2001年第1期44-48,共5页
详细研究了采用金属有机化合物热分解法制备锆钛酸铅 Pb(Zr0 .5 3Ti0 .47) O3铁电薄膜的工艺 ,讨论了影响
关键词 铁电薄膜 金属有机化合物 锆钛酸铅 热处理 热分解法
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磁阻效应及磁敏位置传感器 被引量:2
3
作者 张之圣 胡明 +3 位作者 刘志刚 王文生 白花珍 王聪修 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第11期122-124,共3页
本文讨论了磁阻效应原理,介绍了磁敏位置传感器的结构设计,将磁敏电阻的短路条采用人字型结构,将传感器设计成悬臂梁结构,实验表明,传感器的分辨率达0.01°。
关键词 磁阻效应 位置传感器 分辨率 设计
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薄膜电阻器用磁控溅射高阻靶材 被引量:3
4
作者 张之圣 白天 王秀宇 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2009年第4期525-527,共3页
在用磁控溅射技术制备金属膜电阻器的生产过程中,靶材非常关键,它制约着金属膜电阻器的精度、可靠性、稳定性和电阻温度系数等性能。根据理论分析,提出了高稳定性的高阻靶材的最佳成分比例。自行设计了熔炼模壳及冷却方法,有效解决了因S... 在用磁控溅射技术制备金属膜电阻器的生产过程中,靶材非常关键,它制约着金属膜电阻器的精度、可靠性、稳定性和电阻温度系数等性能。根据理论分析,提出了高稳定性的高阻靶材的最佳成分比例。自行设计了熔炼模壳及冷却方法,有效解决了因Si元素的脆性而引发的靶材开裂问题。溅射的金属膜电阻器,其高温储存试验、寿命试验、耐湿试验均达到了国家有关标准。 展开更多
关键词 金属膜电阻器 溅射靶材 熔炼技术
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薄膜电阻器用磁控溅射高阻靶材 被引量:1
5
作者 张之圣 白天 王秀宇 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2009年第5期661-663,共3页
在用磁控溅射技术制备金属膜电阻器的生产过程中,靶材非常关键,它制约着金属膜电阻器的精度、可靠性、稳定性和电阻温度系数等性能。根据理论分析,提出了高稳定性的高阻靶材的最佳成分比例。自行设计了熔炼模壳及冷却方法,有效解决了因S... 在用磁控溅射技术制备金属膜电阻器的生产过程中,靶材非常关键,它制约着金属膜电阻器的精度、可靠性、稳定性和电阻温度系数等性能。根据理论分析,提出了高稳定性的高阻靶材的最佳成分比例。自行设计了熔炼模壳及冷却方法,有效解决了因Si元素的脆性而引发的靶材开裂问题。溅射的金属膜电阻器,其高温储存试验、寿命试验、耐湿试验均达到了国家有关标准。 展开更多
关键词 金属膜电阻器 溅射靶材 熔炼技术
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一种新型的YSZ栅MOS氧传感器及其响应机理
6
作者 张之圣 刘志刚 +1 位作者 张维新 王文生 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第5期115-118,共4页
YSZ栅MOS氧传感器是一种新型的氧敏器件,它是通过在场效应晶体管的绝缘栅上沉积一薄层YSZ制成,本文介绍这种传感器的响应机理,讨论YSZ固体电解质的晶体结构对电导率的影响,给出微观分析结果和对时间的迅速响应特性。
关键词 氧敏传感器 固体电解质 电导率
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InSb磁敏旋转传感器
7
作者 张之圣 李晓云 陈金亭 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2001年第5期354-355,383,共3页
In Sb磁敏电阻是 In Sb旋转传感器的核心部件。研究了它的物理磁阻效应和几何磁阻效应。格子型磁敏电阻具有较大的灵敏度和初始值。将磁敏电阻设计成桥式电路 ,电阻条宽 0 .2 4m m,间隔 0 .0 4mm,总尺寸为 3mm× 4mm。齿轮的分度圆... In Sb磁敏电阻是 In Sb旋转传感器的核心部件。研究了它的物理磁阻效应和几何磁阻效应。格子型磁敏电阻具有较大的灵敏度和初始值。将磁敏电阻设计成桥式电路 ,电阻条宽 0 .2 4m m,间隔 0 .0 4mm,总尺寸为 3mm× 4mm。齿轮的分度圆周节 Pr=0 .6 2 π m m,模数 m=0 .6 2 mm。 展开更多
关键词 磁敏电阻 INSB 磁敏旋转传感器 工作原理
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精密角位移传感器及其可靠性研究
8
作者 张之圣 白花珍 +1 位作者 王聪修 王文生 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1996年第4期249-251,共3页
从理论上探讨了磁阻率效应,叙述了精密角位移传感器的工作原理及结构设计。传感器的分辨率已达0.01°,通过可靠性寿命试验,传感器的失效率λ(t)<1×10-7/h。
关键词 磁阻率效应 分辨率 失效率 角位移传感器
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热红外探测器的最新进展 被引量:14
9
作者 吕宇强 胡明 +2 位作者 吴淼 张之圣 刘志刚 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2006年第4期407-410,共4页
对基于热敏电阻的微测辐射热计和基于热释电效应的热释电红外探测器在探测元材料、焦平面阵列(FPA)结构和读出电路(ROIC)3个方面进行了分析对比,讨论了这两种非制冷探测器热电材料的选取原则,FPA单元的热绝缘构造和读出电路的组成方式,... 对基于热敏电阻的微测辐射热计和基于热释电效应的热释电红外探测器在探测元材料、焦平面阵列(FPA)结构和读出电路(ROIC)3个方面进行了分析对比,讨论了这两种非制冷探测器热电材料的选取原则,FPA单元的热绝缘构造和读出电路的组成方式,并介绍了它们的最新进展和发展方向。 展开更多
关键词 红外探测器 微测辐射热计 热释电 焦平面阵列 热绝缘
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磁流体制备中磁性颗粒的表面处理 被引量:12
10
作者 王秀宇 杨桂琴 +2 位作者 张之圣 严乐美 孟建华 《应用化学》 CAS CSCD 北大核心 2005年第5期525-529,共5页
采用油酸作为表面活性剂对磁流体制备过程中磁性粉体颗粒进行表面处理,并试图用紫外光谱分析方法对其表面改性效果进行定量评估,分析了pH值、温度和时间对磁性粉体颗粒表面修饰的影响。结果表明,紫外光谱分析法可成功地对磁性粉体颗粒... 采用油酸作为表面活性剂对磁流体制备过程中磁性粉体颗粒进行表面处理,并试图用紫外光谱分析方法对其表面改性效果进行定量评估,分析了pH值、温度和时间对磁性粉体颗粒表面修饰的影响。结果表明,紫外光谱分析法可成功地对磁性粉体颗粒表面改性效果进行定量评估,建立了磁性颗粒表面修饰效果的表征方法,确定了磁性粉体颗粒表面修饰的适宜条件,即溶液pH=6.90,温度控制在80℃,反应时间为60min。 展开更多
关键词 磁流体 紫外光谱分析法 油酸 表面处理
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纳米ZnFe_2O_4的制备及研究 被引量:10
11
作者 肖谧 郭秀盈 +2 位作者 王洪儒 张之圣 吴霞宛 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2004年第6期478-481,共4页
以Fe2(SO4)3、ZnSO4·7H2O为主要原料通过水热合成法制得了纳米ZnFe2O4超细粉末,利用X-射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、红外光谱(IR)和VBH-55样品磁强计(VSM)等手段对样品进行了表征,结果表明:水热法制备的纳米ZnFe2O4颗粒,... 以Fe2(SO4)3、ZnSO4·7H2O为主要原料通过水热合成法制得了纳米ZnFe2O4超细粉末,利用X-射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、红外光谱(IR)和VBH-55样品磁强计(VSM)等手段对样品进行了表征,结果表明:水热法制备的纳米ZnFe2O4颗粒,大小均匀(7~10nm),无团聚;磁性能测试表明该纳米ZnFe2O4具有亚铁磁性,并对其机理进行了探讨。 展开更多
关键词 水热法 纳米 ZNFE2O4
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微机械加工技术在微传感器中的应用 被引量:7
12
作者 胡明 马家志 +1 位作者 邹俊 张之圣 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2002年第4期268-270,302,共4页
随着微传感器的广泛应用 ,微机械加工技术被越来越多地应用于传感器的制造工艺中。从微机械加工技术的关键工艺入手 ,分别对体微机械加工技术和表面微机械加工技术加以介绍 。
关键词 微机械加工技术 微传感器 微电子机械系统 MEMS 各向异性腐蚀 多晶硅
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聚乙烯醇辅助合成ZnO纳米带及其表征 被引量:6
13
作者 邹强 张之圣 +3 位作者 李海燕 胡明 秦玉香 刘志刚 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第7期1211-1213,共3页
Different shapes of ZnO nanobelts were synthesized at 550 ℃ by zinc acetate[Zn(CH3COO)2] and polyvinyl alcohol(PVA) as row material,under controlling the temperature rise rate.The analytical results of SEM and TEM ... Different shapes of ZnO nanobelts were synthesized at 550 ℃ by zinc acetate[Zn(CH3COO)2] and polyvinyl alcohol(PVA) as row material,under controlling the temperature rise rate.The analytical results of SEM and TEM indicate that the ZnO nanobelts possess a hexagonal wurtzite structure with preferred orientation along the direction of ZnO.For different experimental parameters,ZnO nanobelts have different widths and scales. The effect on zinc oxide nanobelts dimension and shape of proportion of mixture of raw material and mixing condition were discussed.Preliminary growth mechanics of ZnO nanobelts was proposed. 展开更多
关键词 ZNO 纳米带 聚乙烯醇
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衬底温度对AZO/Cu/AZO多层薄膜结构及光电特性的影响 被引量:5
14
作者 杨田林 张之圣 +4 位作者 宋淑梅 李延辉 吕茂水 韩圣浩 庞智勇 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第9期1209-1213,共5页
采用射频磁控溅射和离子束溅射联合设备在玻璃衬底上制备出了具有良好附着性、低电阻率和高透过率的AZO/Cu/AZO多层薄膜。研究了衬底温度对薄膜的结构和光电特性影响。X射线衍射谱表明AZO/Cu/AZO多层薄膜是多晶膜,AZO层具有六角纤锌矿结... 采用射频磁控溅射和离子束溅射联合设备在玻璃衬底上制备出了具有良好附着性、低电阻率和高透过率的AZO/Cu/AZO多层薄膜。研究了衬底温度对薄膜的结构和光电特性影响。X射线衍射谱表明AZO/Cu/AZO多层薄膜是多晶膜,AZO层具有六角纤锌矿结构,最佳取向为(002)方向,Cu层具有立方结构。当三层薄膜制备过程中,衬底始终加热,衬底温度为100℃时,制备的薄膜具有最高的品质因子2.26×10^(-2)Ω^(-1),其方块电阻为11Ω·□^(-1),在波长500~800nm范围内平均透过率达到了87%。当制备靠近衬底的AZO层,衬底才加热时,发现衬底温度为250℃时,制备的多层薄膜光电特性最优,其方块电阻为8Ω·□^(-1),平均透过率为86%。 展开更多
关键词 AZO 多层薄膜 离子束溅射 透明导电膜
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RF溅射法制备PZT铁电薄膜及其表征 被引量:4
15
作者 李海燕 张之圣 +3 位作者 胡明 樊攀峰 王秀宇 刘志刚 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2006年第3期325-327,共3页
采用对靶溅射法在SiO2/Si基板上沉积Pt/Ti底电极,用射频(RF)溅射法在Pt/Ti/SiO2/Si基板上制备了厚度约800 nm的PZT薄膜。XRD分析表明,Ar气氛中沉积,700℃下快速退火(RTA)20 min所得的PZT薄膜具有钙钛矿结构;SEM、AFM分析表明,该条件下... 采用对靶溅射法在SiO2/Si基板上沉积Pt/Ti底电极,用射频(RF)溅射法在Pt/Ti/SiO2/Si基板上制备了厚度约800 nm的PZT薄膜。XRD分析表明,Ar气氛中沉积,700℃下快速退火(RTA)20 min所得的PZT薄膜具有钙钛矿结构;SEM、AFM分析表明,该条件下所得薄膜的表面由平均粒径约219 nm的晶粒组成,较为均匀、致密。在1 kHz的测试频率下,PZT薄膜的介电常数为327.6,从电滞回线上可以得出,该PZT薄膜的矫顽场强为50 kV/cm,剩余极化强度和自发极化强度分别为10μC/cm2、13μC/cm2。 展开更多
关键词 锆钛酸铅薄膜 射频溅射 钙钛矿结构 电滞回线
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实空间转移晶体管研究进展 被引量:4
16
作者 齐海涛 张之圣 郭维廉 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期411-416,444,共7页
实空间转移晶体管是一种新型N型负阻半导体器件 ,具有高频、高速、可控负阻等显著优点 ,可大大简化集成电路的复杂程度。文中阐述了实空间转移晶体管的工作原理 ,对二十年间该类器件在材料、结构、性能等方面的研究进展作了总结 ,对其... 实空间转移晶体管是一种新型N型负阻半导体器件 ,具有高频、高速、可控负阻等显著优点 ,可大大简化集成电路的复杂程度。文中阐述了实空间转移晶体管的工作原理 ,对二十年间该类器件在材料、结构、性能等方面的研究进展作了总结 ,对其在单器件逻辑单元、光电逻辑等领域的应用进行了重点介绍 ,并展望了今后该类器件的研究方向。 展开更多
关键词 实空间转移晶体管 三端负阻 单器件电学逻辑 光电集成逻辑
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多孔硅及其在MEMS中的应用 被引量:2
17
作者 马家志 胡明 +2 位作者 田斌 张之圣 王博 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第1期107-111,共5页
具有不同孔径尺寸和孔隙率的多孔硅在不同的 MEMS中可作为功能结构层和牺牲层。简要介绍了多孔硅的结构和制备方法 ;与体微机械和表面微机械加工技术相比 ,多孔硅技术的优势被详细阐述 ;针对多孔硅材料的性质 ,讨论了多孔硅在不同领域... 具有不同孔径尺寸和孔隙率的多孔硅在不同的 MEMS中可作为功能结构层和牺牲层。简要介绍了多孔硅的结构和制备方法 ;与体微机械和表面微机械加工技术相比 ,多孔硅技术的优势被详细阐述 ;针对多孔硅材料的性质 ,讨论了多孔硅在不同领域的应用。 展开更多
关键词 多孔硅 MEMS 微机械加工 微电子机械系统 功能结构层 牺牲层材料
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强介陶瓷耐压的研究 被引量:2
18
作者 白花珍 张之圣 胡明 《宇航材料工艺》 CAS CSCD 北大核心 1999年第4期54-57,共4页
介绍了 Ba Ti O3 陶瓷介质的极化机理,指出在居里温度以上和居里温度以下发生电击穿的部位是不同的。并用此理论解释了陶瓷材料的制造工艺特别是烧成条件对直流耐压有较大影响的原因。此外阐述了添加剂、粘合剂及其用量和瓷料中... 介绍了 Ba Ti O3 陶瓷介质的极化机理,指出在居里温度以上和居里温度以下发生电击穿的部位是不同的。并用此理论解释了陶瓷材料的制造工艺特别是烧成条件对直流耐压有较大影响的原因。此外阐述了添加剂、粘合剂及其用量和瓷料中的针孔的产生、加工缺陷等对耐压的影响。 展开更多
关键词 陶瓷 极化 居里温度 耐压试验 钛酸钡陶瓷
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金属膜电阻器用高阻靶材制备工艺研究 被引量:1
19
作者 王秀宇 张之圣 +2 位作者 白天 刘志刚 毕大鹏 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2009年第4期582-584,588,共4页
金属膜电阻器用的靶材是影响膜质量和电阻器性能的重要因素之一,晶粒细化是炼制致密性靶材的关键。晶粒细化不仅有利于Cr-Si靶材内部组织均匀化,且能降低其韧脆转变温度,从而使炼制的靶材强度和硬度高、塑性好,提高靶材的成品率。分析... 金属膜电阻器用的靶材是影响膜质量和电阻器性能的重要因素之一,晶粒细化是炼制致密性靶材的关键。晶粒细化不仅有利于Cr-Si靶材内部组织均匀化,且能降低其韧脆转变温度,从而使炼制的靶材强度和硬度高、塑性好,提高靶材的成品率。分析了晶粒细化提高靶材综合性能的原因,并介绍了研究中所采用的Ti细化剂、磁力搅拌等晶粒细化措施。实验表明,在RJ24生产线上溅射的1 MΩ金属膜电阻器具有较好的性能,且电阻温度系数均小于20×10-6/℃。 展开更多
关键词 金属膜电阻器 电阻温度系数 磁控溅射 Cr-Si高阻靶材 晶粒细化
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InSb薄膜的真空蒸发及磁敏霍尔元件的制作 被引量:1
20
作者 胡明 刘志刚 +1 位作者 张之圣 王文生 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第5期498-501,共4页
利用单源真空蒸发方法制备InSb薄膜。研究了基片温度控制和膜层厚度对薄膜电子迁移率的影响。室温下测得InSb薄膜的电子迁移率为4×104cm2/V.s,晶粒尺寸达微米数量级。制作的磁敏霍尔元件输入与输出电阻范围为200~500Ω,乘积灵... 利用单源真空蒸发方法制备InSb薄膜。研究了基片温度控制和膜层厚度对薄膜电子迁移率的影响。室温下测得InSb薄膜的电子迁移率为4×104cm2/V.s,晶粒尺寸达微米数量级。制作的磁敏霍尔元件输入与输出电阻范围为200~500Ω,乘积灵敏度达90~150V/A·T。 展开更多
关键词 INSB薄膜 真空蒸发 霍尔元件 电子迁移率
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