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垂直热壁CVD反应器中C/Si比对SiC高速同质外延生长的影响研究
1
作者
陈丹莹
闫龙
+6 位作者
罗稼昊
郑振宇
姜勇
张凯
周宁
廖宸梓
郭世平
《人工晶体学报》
北大核心
2025年第4期569-580,共12页
本文结合计算流体力学(CFD)实验与模拟,对垂直热壁晶圆高速旋转CVD设备中SiC的同质外延生长机制进行研究,探讨了晶圆表面C/Si比对外延生长速率及载流子掺杂浓度的影响。结果表明晶圆表面上方碳原子对硅原子的摩尔比(记为有效C/Si比)与...
本文结合计算流体力学(CFD)实验与模拟,对垂直热壁晶圆高速旋转CVD设备中SiC的同质外延生长机制进行研究,探讨了晶圆表面C/Si比对外延生长速率及载流子掺杂浓度的影响。结果表明晶圆表面上方碳原子对硅原子的摩尔比(记为有效C/Si比)与气体进口处C/Si比存在偏差。这一差异主要来自于气相传输过程中反应组分的重新分布,以及反应前驱体在气体进口处和/或热壁上的寄生沉积。研究了有效C/Si比对生长速率和掺杂浓度的影响,结果表明,外延生长速率、载流子掺杂浓度及其均匀性主要受到表面C/Si比而非进口处C/Si比的影响。通过优化生长条件,实现了高质量的6英寸(1英寸=2.54 cm)外延片生长,其厚度和掺杂浓度均匀性分别为1.15%和2.68%。在此基础上,获得了同等质量的8英寸SiC外延层,并实现了超过50μm厚的SiC外延层快速生长。
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关键词
碳化硅
同质外延
化学气相沉积
C/Si比
CFD模拟仿真
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职称材料
题名
垂直热壁CVD反应器中C/Si比对SiC高速同质外延生长的影响研究
1
作者
陈丹莹
闫龙
罗稼昊
郑振宇
姜勇
张凯
周宁
廖宸梓
郭世平
机构
中微半导体设备(上海)股份有限公司
出处
《人工晶体学报》
北大核心
2025年第4期569-580,共12页
基金
上海市浦江人才计划(22PJ1423600)。
文摘
本文结合计算流体力学(CFD)实验与模拟,对垂直热壁晶圆高速旋转CVD设备中SiC的同质外延生长机制进行研究,探讨了晶圆表面C/Si比对外延生长速率及载流子掺杂浓度的影响。结果表明晶圆表面上方碳原子对硅原子的摩尔比(记为有效C/Si比)与气体进口处C/Si比存在偏差。这一差异主要来自于气相传输过程中反应组分的重新分布,以及反应前驱体在气体进口处和/或热壁上的寄生沉积。研究了有效C/Si比对生长速率和掺杂浓度的影响,结果表明,外延生长速率、载流子掺杂浓度及其均匀性主要受到表面C/Si比而非进口处C/Si比的影响。通过优化生长条件,实现了高质量的6英寸(1英寸=2.54 cm)外延片生长,其厚度和掺杂浓度均匀性分别为1.15%和2.68%。在此基础上,获得了同等质量的8英寸SiC外延层,并实现了超过50μm厚的SiC外延层快速生长。
关键词
碳化硅
同质外延
化学气相沉积
C/Si比
CFD模拟仿真
Keywords
SiC
homoepitaxial
chemical vapor deposition
C/Si ratio
CFD simulation
分类号
O484.1 [理学—固体物理]
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
垂直热壁CVD反应器中C/Si比对SiC高速同质外延生长的影响研究
陈丹莹
闫龙
罗稼昊
郑振宇
姜勇
张凯
周宁
廖宸梓
郭世平
《人工晶体学报》
北大核心
2025
0
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