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题名面向高密度互连的混合键合技术研究进展
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作者
白玉斐
戚晓芸
牛帆帆
康秋实
杨佳
王晨曦
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机构
哈尔滨工业大学材料结构精密焊接与连接全国重点实验室
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出处
《电子与封装》
2025年第5期14-27,共14页
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基金
国家自然科学基金重大研究计划(92164105)
黑龙江省“头雁”团队(HITTY-20190013)
材料结构精密焊接与连接全国重点实验室自主课题(24-T-04)。
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文摘
在数字经济时代,人工智能、高性能计算、大数据、物联网和自动驾驶等新兴产业的迅猛发展对计算能力提出了极高的需求。然而,随着先进制程逐渐逼近物理极限,摩尔定律的发展速度显著放缓,传统的引线键合技术已难以满足数字经济对高算力芯片的需求。在此背景下,三维集成技术作为一种革命性的解决方案应运而生。混合键合作为三维集成技术的基石,通过金属层和金属层、介电层和介电层的直接键合,实现了无凸点的高密度互连。与传统键合技术相比,混合键合不仅能够实现亚微米甚至纳米级的互连间距,还显著降低了信号延迟与功耗,提升了芯片的带宽与容量,为高性能芯片的实现提供了关键支持。在后摩尔时代,混合键合被视为先进封装的核心发展方向之一,可实现窄间距、高密度、小尺寸的互连结构,满足新兴应用场景对芯片性能的苛刻要求。系统介绍了面向高密度互连的混合键合技术,重点总结了其所采用的新型金属钝化层等关键材料以及核心工艺,深入论述了混合键合技术在高带宽内存领域的应用现状及发展趋势,旨在为先进封装技术的持续创新与发展提供参考与思路。
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关键词
混合键合
高密度互连
三维集成
高带宽内存
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Keywords
hybrid bonding
high-density interconnect
3D integration
high-bandwidth memory
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分类号
TN305.94
[电子电信—物理电子学]
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题名面向三维集成的等离子体活化键合研究进展
被引量：1
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作者
牛帆帆
杨舒涵
康秋实
王晨曦
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机构
哈尔滨工业大学先进焊接与连接国家重点实验室
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出处
《电子与封装》
2023年第3期41-51,共11页
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基金
国家自然科学基金重大研究计划(92164105)
国家自然科学基金面上项目(51975151)
黑龙江省“头雁”团队(HITTY-20190013)。
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文摘
三维集成技术已成为促使半导体芯片步入后摩尔时代的重要支撑。晶圆直接键合技术无需微凸点和底充胶填充工艺,依靠原子间相互作用力即可实现高密度与高强度互连,是三维集成发展的重要研究方向之一。其中等离子体活化作为一种高效的表面处理手段,是晶圆低温键合的关键。针对等离子体活化低温键合技术在半导体芯片同质或异质键合中的研究进展进行了综述,主要介绍了等离子体活化在硅基材料直接键合及金属-介质混合键合中的作用机理和键合效果,进而对该技术的未来发展趋势进行了展望。
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关键词
等离子体
表面活化
低温键合
三维集成
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Keywords
plasma
surface activation
lowtemperature bonding
3Dintegration
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分类号
TN305.94
[电子电信—物理电子学]
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