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化学气相沉积碳化硅超光滑抛光机理与表面粗糙度影响因素
1
作者
康念辉
李圣怡
郑子文
《国防科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第6期89-94,共6页
为实现化学气相沉积碳化硅(CVD SiC)的超光滑抛光,采用纳米划痕试验研究了化学气相沉积碳化硅脆塑转变的临界载荷,根据单颗磨粒受力对其抛光机理进行了分析,并从材料特性、工艺参数以及抛光液pH值三个方面对其表面粗糙度影响因素进行了...
为实现化学气相沉积碳化硅(CVD SiC)的超光滑抛光,采用纳米划痕试验研究了化学气相沉积碳化硅脆塑转变的临界载荷,根据单颗磨粒受力对其抛光机理进行了分析,并从材料特性、工艺参数以及抛光液pH值三个方面对其表面粗糙度影响因素进行了系统的试验研究。研究结果表明:化学气相沉积碳化硅的稳定抛光过程是磨粒对碳化硅表面的塑性域划痕过程;CVD SiC的晶粒不均匀与表面高点会降低最终所能达到的表面质量;表面粗糙度在一定范围内随磨粒粒度增加呈近似线性增长,随抛光模硬度的增加而增长;抛光压强对表面粗糙度的影响规律与抛光模的变形行为相关,当抛光模处于弹性或弹塑性变形阶段时,表面粗糙度随抛光压强的增加呈小幅增长,而当抛光模包含塑性变形之后,表面粗糙度基本与抛光压强无关;此外,抛光速度和抛光液pH值对表面粗糙度的影响不大。研究结论为CVD SiC超光滑抛光的工艺参数优化选择提供了定量的试验依据。
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关键词
化学气相沉积碳化硅
纳米划痕试验
抛光机理
表面粗糙度
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职称材料
纳米金刚石磨料磁流变抛光材料去除机理与工艺研究
被引量：
8
2
作者
石峰
戴一帆
+2 位作者
彭小强
康念辉
刘志军
《国防科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第4期25-30,共6页
理论分析与实验验证表明,纳米金刚石磨料磁流变抛光材料去除机理是塑性剪切去除。在KDMRF-1000F磁流变抛光机床上进行工艺实验,研究抛光轮与工件表面的间隙、抛光轮转速、磁场强度对峰值去除效率和表面粗糙度的影响。工艺实验表明,去除...
理论分析与实验验证表明,纳米金刚石磨料磁流变抛光材料去除机理是塑性剪切去除。在KDMRF-1000F磁流变抛光机床上进行工艺实验,研究抛光轮与工件表面的间隙、抛光轮转速、磁场强度对峰值去除效率和表面粗糙度的影响。工艺实验表明,去除函数具有良好的稳定性和重复性,2.5h以内峰值去除效率稳定在±0.3%以内,体积去除效率稳定在±0.5%以内。直径202mm(有效口径95%)的HIP SiC平面镜采用子孔径拼接测量方法,经过磁流变粗抛(30h)和精抛(9h)后,面形误差PV值0.13μm,RMS值0.012μm,表面粗糙度RMS值2.439nm。
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关键词
磁流变抛光
去除机理
纳米金刚石
工艺
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职称材料
题名
化学气相沉积碳化硅超光滑抛光机理与表面粗糙度影响因素
1
作者
康念辉
李圣怡
郑子文
机构
国防科技大学机电工程与自动化学院
出处
《国防科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第6期89-94,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(50775216)
大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室资助项目(JMTZ200705)
文摘
为实现化学气相沉积碳化硅(CVD SiC)的超光滑抛光,采用纳米划痕试验研究了化学气相沉积碳化硅脆塑转变的临界载荷,根据单颗磨粒受力对其抛光机理进行了分析,并从材料特性、工艺参数以及抛光液pH值三个方面对其表面粗糙度影响因素进行了系统的试验研究。研究结果表明:化学气相沉积碳化硅的稳定抛光过程是磨粒对碳化硅表面的塑性域划痕过程;CVD SiC的晶粒不均匀与表面高点会降低最终所能达到的表面质量;表面粗糙度在一定范围内随磨粒粒度增加呈近似线性增长,随抛光模硬度的增加而增长;抛光压强对表面粗糙度的影响规律与抛光模的变形行为相关,当抛光模处于弹性或弹塑性变形阶段时,表面粗糙度随抛光压强的增加呈小幅增长,而当抛光模包含塑性变形之后,表面粗糙度基本与抛光压强无关;此外,抛光速度和抛光液pH值对表面粗糙度的影响不大。研究结论为CVD SiC超光滑抛光的工艺参数优化选择提供了定量的试验依据。
关键词
化学气相沉积碳化硅
纳米划痕试验
抛光机理
表面粗糙度
Keywords
chemical vapor deposition silicon carbide
nano-scratch test
polishing mechanism
surface roughness
分类号
TH161 [机械工程—机械制造及自动化]
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职称材料
题名
纳米金刚石磨料磁流变抛光材料去除机理与工艺研究
被引量：
8
2
作者
石峰
戴一帆
彭小强
康念辉
刘志军
机构
国防科技大学机电工程与自动化学院
出处
《国防科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第4期25-30,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(50775215
50875256)
国家部委基金资助项目(9140A18070108KG0147)
文摘
理论分析与实验验证表明,纳米金刚石磨料磁流变抛光材料去除机理是塑性剪切去除。在KDMRF-1000F磁流变抛光机床上进行工艺实验,研究抛光轮与工件表面的间隙、抛光轮转速、磁场强度对峰值去除效率和表面粗糙度的影响。工艺实验表明,去除函数具有良好的稳定性和重复性,2.5h以内峰值去除效率稳定在±0.3%以内,体积去除效率稳定在±0.5%以内。直径202mm(有效口径95%)的HIP SiC平面镜采用子孔径拼接测量方法,经过磁流变粗抛(30h)和精抛(9h)后,面形误差PV值0.13μm,RMS值0.012μm,表面粗糙度RMS值2.439nm。
关键词
磁流变抛光
去除机理
纳米金刚石
工艺
Keywords
MRF
removal mechanism
nano-sized diamond
process and arts
分类号
TH161 [机械工程—机械制造及自动化]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
化学气相沉积碳化硅超光滑抛光机理与表面粗糙度影响因素
康念辉
李圣怡
郑子文
《国防科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009
0
在线阅读
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职称材料
2
纳米金刚石磨料磁流变抛光材料去除机理与工艺研究
石峰
戴一帆
彭小强
康念辉
刘志军
《国防科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009
8
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职称材料
已选择
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引证文献
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