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镁掺杂对二氧化钒薄膜光学性能的影响
1
作者
赵鑫
康同同
+3 位作者
梁潇
邬春阳
周阳
秦俊
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024年第20期183-189,222,共8页
目的通过在二氧化钒薄膜中掺杂镁元素,实现高优值光学相变材料的制备。方法通过脉冲激光沉积方法在(0001)氧化铝单晶衬底上沉积二氧化钒外延薄膜,进一步采用交叉打靶的方法沉积不同镁掺杂浓度的二氧化钒外延薄膜;通过高分辨XRD和TEM表...
目的通过在二氧化钒薄膜中掺杂镁元素,实现高优值光学相变材料的制备。方法通过脉冲激光沉积方法在(0001)氧化铝单晶衬底上沉积二氧化钒外延薄膜,进一步采用交叉打靶的方法沉积不同镁掺杂浓度的二氧化钒外延薄膜;通过高分辨XRD和TEM表征镁掺杂外延二氧化钒薄膜的晶体结构和微观原子分布,采用XPS表征表面原子化学态,采用光谱椭偏仪表征不同镁掺杂浓度的二氧化钒外延薄膜的折射率和消光系数,并计算获得光学优值;最后构建第一性原理计算模型得到镁掺杂对二氧化钒薄膜光学优值影响的机理。结果制备出4种不同镁掺杂浓度的外延二氧化钒薄膜,分析了镁掺杂对薄膜相变前后的晶体取向和微观原子结构的影响,分析了薄膜中镁和钒元素的价态,分析了镁掺杂对单斜相和金红石相光学常数和光学优值的影响,从电子态密度分布分析了镁掺杂对提升材料光学优值的原因。结论镁掺杂二氧化钒与氧化铝衬底的外延关系为(020)_(VO_(2))//(0006)_(Al_(2)O_(3)),随着镁掺杂浓度的提高,金红石相二氧化钒薄膜的光学损耗降低,且中红外波段的光学优值提升。在11.9%(原子数分数)掺杂量时光学优值比未掺杂提高3.7倍。第一性原理计算表明,高光学优值是源于镁掺杂后导带周围电子态密度的局部化。
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关键词
二氧化钒
相变材料
镁掺杂
光学优值
脉冲激光沉积
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职称材料
基于MoS2/SiO2范德华异质结的VO2薄膜转移打印研究
被引量：
2
2
作者
肖敏
孙睿智
+4 位作者
李艳芳
康同同
秦俊
杨润
毕磊
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第11期1161-1166,共6页
近年来,柔性电子器件由于在物联网、生物电子等领域的潜在应用引起了研究者的广泛关注。功能氧化物材料在柔性聚合物中的集成已被证明是实现高性能柔性电子器件的有效方式。由于功能氧化物薄膜通常需要高温制备,直接在柔性聚合物基底上...
近年来,柔性电子器件由于在物联网、生物电子等领域的潜在应用引起了研究者的广泛关注。功能氧化物材料在柔性聚合物中的集成已被证明是实现高性能柔性电子器件的有效方式。由于功能氧化物薄膜通常需要高温制备,直接在柔性聚合物基底上合成高质量的氧化物薄膜仍然是一个巨大的挑战。本研究提出了一种基于MoS2/SiO2范德华异质结转移打印大面积VO2薄膜的方法,即利用MoS2和SiO2薄膜亲疏水性能的不同,可以仅使用去离子水解离MoS2/SiO2范德华异质结界面,成功将Si/SiO2/MoS2/SiO2/VO2多层膜结构上的VO2薄膜转印到Si、SiO2/Si以及柔性基底上。X射线衍射(XRD)结果显示,转印前后VO2薄膜的晶体结构没有差异,变温Raman光谱和变温红外反射光谱证明了转印前后VO2薄膜良好的金属-绝缘体转变性能。本研究提供了一种有效的功能氧化物薄膜转印方法,在不引入牺牲层和腐蚀性溶剂的条件下,实现了VO2薄膜在任意基底上的低温集成,为柔性可穿戴电子器件的研制提供了一种新思路。
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关键词
二氧化钒薄膜
转移打印
低温集成
柔性电子器件
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职称材料
题名
镁掺杂对二氧化钒薄膜光学性能的影响
1
作者
赵鑫
康同同
梁潇
邬春阳
周阳
秦俊
机构
长春理工大学高功率半导体激光器国家重点实验室
电子科技大学国家电磁辐射控制材料工程技术研究中心
电子科技大学多频谱吸收材料与结构教育部重点实验室
中国科学院光电技术研究所矢量光场研究中心
成都信息工程大学四川省信息材料与器件应用重点实验室
出处
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024年第20期183-189,222,共8页
基金
中华人民共和国科学技术部(2021YFB2801600)
国家自然科学基金(U22A20148,51972044,52021001,52102357,51902033,52001059)
+2 种基金
四川省科学技术厅(2024NSFSC0484)
中国博士后科学基金(M202068328)
成都信息工程大学科学研究基金(KYTZ202006)。
文摘
目的通过在二氧化钒薄膜中掺杂镁元素,实现高优值光学相变材料的制备。方法通过脉冲激光沉积方法在(0001)氧化铝单晶衬底上沉积二氧化钒外延薄膜,进一步采用交叉打靶的方法沉积不同镁掺杂浓度的二氧化钒外延薄膜;通过高分辨XRD和TEM表征镁掺杂外延二氧化钒薄膜的晶体结构和微观原子分布,采用XPS表征表面原子化学态,采用光谱椭偏仪表征不同镁掺杂浓度的二氧化钒外延薄膜的折射率和消光系数,并计算获得光学优值;最后构建第一性原理计算模型得到镁掺杂对二氧化钒薄膜光学优值影响的机理。结果制备出4种不同镁掺杂浓度的外延二氧化钒薄膜,分析了镁掺杂对薄膜相变前后的晶体取向和微观原子结构的影响,分析了薄膜中镁和钒元素的价态,分析了镁掺杂对单斜相和金红石相光学常数和光学优值的影响,从电子态密度分布分析了镁掺杂对提升材料光学优值的原因。结论镁掺杂二氧化钒与氧化铝衬底的外延关系为(020)_(VO_(2))//(0006)_(Al_(2)O_(3)),随着镁掺杂浓度的提高,金红石相二氧化钒薄膜的光学损耗降低,且中红外波段的光学优值提升。在11.9%(原子数分数)掺杂量时光学优值比未掺杂提高3.7倍。第一性原理计算表明,高光学优值是源于镁掺杂后导带周围电子态密度的局部化。
关键词
二氧化钒
相变材料
镁掺杂
光学优值
脉冲激光沉积
Keywords
vanadium dioxide
phase change materials
Mg-doping
optical figure of merit
pulse laser deposition
分类号
TB34 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
基于MoS2/SiO2范德华异质结的VO2薄膜转移打印研究
被引量：
2
2
作者
肖敏
孙睿智
李艳芳
康同同
秦俊
杨润
毕磊
机构
电子科技大学国家电磁辐射控制材料工程技术研究中心
出处
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第11期1161-1166,共6页
基金
国家自然科学基金(61475031,51522204)
科技部重点研发计划(2016YFA0300802)~~
文摘
近年来,柔性电子器件由于在物联网、生物电子等领域的潜在应用引起了研究者的广泛关注。功能氧化物材料在柔性聚合物中的集成已被证明是实现高性能柔性电子器件的有效方式。由于功能氧化物薄膜通常需要高温制备,直接在柔性聚合物基底上合成高质量的氧化物薄膜仍然是一个巨大的挑战。本研究提出了一种基于MoS2/SiO2范德华异质结转移打印大面积VO2薄膜的方法,即利用MoS2和SiO2薄膜亲疏水性能的不同,可以仅使用去离子水解离MoS2/SiO2范德华异质结界面,成功将Si/SiO2/MoS2/SiO2/VO2多层膜结构上的VO2薄膜转印到Si、SiO2/Si以及柔性基底上。X射线衍射(XRD)结果显示,转印前后VO2薄膜的晶体结构没有差异,变温Raman光谱和变温红外反射光谱证明了转印前后VO2薄膜良好的金属-绝缘体转变性能。本研究提供了一种有效的功能氧化物薄膜转印方法,在不引入牺牲层和腐蚀性溶剂的条件下,实现了VO2薄膜在任意基底上的低温集成,为柔性可穿戴电子器件的研制提供了一种新思路。
关键词
二氧化钒薄膜
转移打印
低温集成
柔性电子器件
Keywords
vanadium oxide film
transfer printing
low-temperature integration
flexible electronic devices
分类号
O484 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
镁掺杂对二氧化钒薄膜光学性能的影响
赵鑫
康同同
梁潇
邬春阳
周阳
秦俊
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024
0
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职称材料
2
基于MoS2/SiO2范德华异质结的VO2薄膜转移打印研究
肖敏
孙睿智
李艳芳
康同同
秦俊
杨润
毕磊
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019
2
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职称材料
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