期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
400～520MHz LTCC多层片状耦合器
被引量：
2
1
作者
吴健
应海涛
+2 位作者
钱峰
戴雷
王子良
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第2期213-216,共4页
介绍了一种400～520MHz耦合度为-20dB的LTCC多层片状耦合器的设计。该耦合器由两个高耦合系数多层电感相互耦合而成,它的应用频率范围是400～520MHz。用标准LTCC工艺实现的耦合器尺寸仅1.6mm×3.2mm×0.76mm,耦合度-20±2dB...
介绍了一种400～520MHz耦合度为-20dB的LTCC多层片状耦合器的设计。该耦合器由两个高耦合系数多层电感相互耦合而成,它的应用频率范围是400～520MHz。用标准LTCC工艺实现的耦合器尺寸仅1.6mm×3.2mm×0.76mm,耦合度-20±2dB,隔离度-35dB,反射损耗小于-20dB。
展开更多
关键词
低温高烧陶瓷
耦合度
隔离度
插入损耗
反射损耗
在线阅读
下载PDF
职称材料
内置驱动器的砷化镓高隔离开关芯片
被引量：
4
2
作者
许正荣
应海涛
+3 位作者
李娜
李小鹏
张有涛
杨磊
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第4期365-369,共5页
采用增强/耗尽型(E/D)结构的赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)技术,研制开发的射频开关,具有插损低、隔离度高、承受功率大、线性度高等特点。产品采用0.5μm栅长的砷化镓PHEMT E/D标准工艺加工,将开关电路和驱动电路集成在一颗芯片上,并...
采用增强/耗尽型(E/D)结构的赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)技术,研制开发的射频开关,具有插损低、隔离度高、承受功率大、线性度高等特点。产品采用0.5μm栅长的砷化镓PHEMT E/D标准工艺加工,将开关电路和驱动电路集成在一颗芯片上,并做了相应的静电防护设计。测试结果表明,在0.01～5.0GHz带内,插入损耗≤1.2dB@3GHz、≤1.6dB@5GHz,带内输入输出驻波比≤1.5,隔离度≥60dB@3GHz、≥52dB@5GHz,1dB压缩功率点达到了30dBm,IP3超过了+52dBm。
展开更多
关键词
砷化镓
增强型
耗尽型
射频开关
赝配高电子迁移率晶体管
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
400～520MHz LTCC多层片状耦合器
被引量：
2
1
作者
吴健
应海涛
钱峰
戴雷
王子良
机构
南京电子器件研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第2期213-216,共4页
文摘
介绍了一种400～520MHz耦合度为-20dB的LTCC多层片状耦合器的设计。该耦合器由两个高耦合系数多层电感相互耦合而成,它的应用频率范围是400～520MHz。用标准LTCC工艺实现的耦合器尺寸仅1.6mm×3.2mm×0.76mm,耦合度-20±2dB,隔离度-35dB,反射损耗小于-20dB。
关键词
低温高烧陶瓷
耦合度
隔离度
插入损耗
反射损耗
Keywords
low temperature co-fired ceramic（LTCC）
coupling
isolation
insertion loss
return loss
分类号
TN622 [电子电信—电路与系统]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
内置驱动器的砷化镓高隔离开关芯片
被引量：
4
2
作者
许正荣
应海涛
李娜
李小鹏
张有涛
杨磊
机构
南京国博电子有限公司
南京电子器件研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第4期365-369,共5页
文摘
采用增强/耗尽型(E/D)结构的赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)技术,研制开发的射频开关,具有插损低、隔离度高、承受功率大、线性度高等特点。产品采用0.5μm栅长的砷化镓PHEMT E/D标准工艺加工,将开关电路和驱动电路集成在一颗芯片上,并做了相应的静电防护设计。测试结果表明,在0.01～5.0GHz带内,插入损耗≤1.2dB@3GHz、≤1.6dB@5GHz,带内输入输出驻波比≤1.5,隔离度≥60dB@3GHz、≥52dB@5GHz,1dB压缩功率点达到了30dBm,IP3超过了+52dBm。
关键词
砷化镓
增强型
耗尽型
射频开关
赝配高电子迁移率晶体管
Keywords
GaAs
enhancement
depletion
RF switch
PHEMT
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
400～520MHz LTCC多层片状耦合器
吴健
应海涛
钱峰
戴雷
王子良
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2007
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
内置驱动器的砷化镓高隔离开关芯片
许正荣
应海涛
李娜
李小鹏
张有涛
杨磊
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2012
4
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
