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ICP-CVD制备a-CHON及光学性能分析
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作者 陈飞 吴卫东 +1 位作者 干泰原 曹林洪 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第5期408-414,共7页
采用外置电感耦合等离子体化学气相沉积法,以高纯CH4/N2/CO2/H2作为反应气体,制备出非晶的a-CHON薄膜。研究了放电功率对薄膜沉积速率、表面形貌及光学性能的影响。结果表明沉积速率随着放电功率的增加而增加,而非线性增加;原子力显微... 采用外置电感耦合等离子体化学气相沉积法,以高纯CH4/N2/CO2/H2作为反应气体,制备出非晶的a-CHON薄膜。研究了放电功率对薄膜沉积速率、表面形貌及光学性能的影响。结果表明沉积速率随着放电功率的增加而增加,而非线性增加;原子力显微镜分析结果表明放电功率对薄膜粗糙度有较大的影响;红外光谱分析表明了薄膜内部存在C-O,C=O,C≡N以及C-H键;紫外-可见-近红外光分析表明,薄膜的光学带隙随放电功率的增加而减小;薄膜折射率在可见光区的色散图表明,折射率随入射光频率的增加而减小,出现反常色散关系;而在同一波长下薄膜的折射率先随放电功率的增加而减小,而后又有所增加。 展开更多
关键词 射频电感耦合等离子体化学气相沉积 a-CHON薄膜 沉积速率 表面形貌 光学性能
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