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AlGaN/GaN HEMT器件高温栅偏置应力后栅极泄漏电流机制分析
被引量：
1
1
作者
陈欢欢
张贺秋
+9 位作者
邢鹤
夏晓川
张振中
蔡涛
叶宇帆
郭文平
席庆南
黄慧诗
梁晓华
梁红伟
《大连理工大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2024年第1期90-95,共6页
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的栅特性会受到温度应力和电应力的影响.在高温栅偏置(HTGB)应力下,器件的栅特性会发生退化,如栅极泄漏电流增大.为了研究退化机理,分析了AlGaN/GaN HEMT在栅电压为-2 V时,250℃高温应力作用后的栅极...
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的栅特性会受到温度应力和电应力的影响.在高温栅偏置(HTGB)应力下,器件的栅特性会发生退化,如栅极泄漏电流增大.为了研究退化机理,分析了AlGaN/GaN HEMT在栅电压为-2 V时,250℃高温应力作用后的栅极泄漏电流机制.随着HTGB时间的增加,栅极泄漏电流持续增大,受到应力器件在室温下静置后栅极泄漏电流密度恢复约20%.结果表明,在正向偏置范围内,栅极泄漏电流是由热电子发射(TE)引起的.在反向偏置范围内,普尔-弗伦克尔(PF)发射在小电压范围内占主导地位.阈值电压附近的范围由势垒层中的陷阱辅助隧穿(TAT)引起;在大电压范围内,福勒-诺德海姆(FN)隧穿导致栅极发生泄漏.
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关键词
AlGaN/GaN
HEMT
高温栅偏置应力
栅极泄漏电流机制
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职称材料
题名
AlGaN/GaN HEMT器件高温栅偏置应力后栅极泄漏电流机制分析
被引量：
1
1
作者
陈欢欢
张贺秋
邢鹤
夏晓川
张振中
蔡涛
叶宇帆
郭文平
席庆南
黄慧诗
梁晓华
梁红伟
机构
大连理工大学集成电路学院
元旭半导体科技股份有限公司
江苏新广联科技股份有限公司
中国科学院高能物理研究所
出处
《大连理工大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2024年第1期90-95,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(11975257,12075045,11875097,62074146)
中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(DUT20RC(3)042,DUT19RC(3)074,DUT19LK45)。
文摘
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的栅特性会受到温度应力和电应力的影响.在高温栅偏置(HTGB)应力下,器件的栅特性会发生退化,如栅极泄漏电流增大.为了研究退化机理,分析了AlGaN/GaN HEMT在栅电压为-2 V时,250℃高温应力作用后的栅极泄漏电流机制.随着HTGB时间的增加,栅极泄漏电流持续增大,受到应力器件在室温下静置后栅极泄漏电流密度恢复约20%.结果表明,在正向偏置范围内,栅极泄漏电流是由热电子发射(TE)引起的.在反向偏置范围内,普尔-弗伦克尔(PF)发射在小电压范围内占主导地位.阈值电压附近的范围由势垒层中的陷阱辅助隧穿(TAT)引起;在大电压范围内,福勒-诺德海姆(FN)隧穿导致栅极发生泄漏.
关键词
AlGaN/GaN
HEMT
高温栅偏置应力
栅极泄漏电流机制
Keywords
AlGaN/GaN HEMT
high temperature gate bias stress
mechanism of gate leakage current
分类号
TN386.3 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
AlGaN/GaN HEMT器件高温栅偏置应力后栅极泄漏电流机制分析
陈欢欢
张贺秋
邢鹤
夏晓川
张振中
蔡涛
叶宇帆
郭文平
席庆南
黄慧诗
梁晓华
梁红伟
《大连理工大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2024
1
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