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一种基于SDN的在线流量异常检测方法被引量：30: 1; 作者左青云陈鸣 +1 位作者王秀磊刘波《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第1期155-160,共6页; 基于软件定义网络的集中管控平面,提出了一种在线流量异常检测方法.首先在控制器上在线获取OpenFlow交换机的流表信息,并构造整个网络的流量矩阵与样本熵矩阵进行组合,然后采用主成分分析方法检测异常流量.实验结果表明,相比于传统网络... 展开更多; 关键词在线流量异常检测方法网络软件定义网络流量异常在线检测主成分分析; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于I-V特性的阻变存储器的阻变机制研究被引量：11: 2; 作者李颖弢刘明 +7 位作者龙世兵刘琦张森王艳左青云王琴胡媛刘肃《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2009年第3期134-140,153,共8页; 随着器件尺寸的缩小,阻变存储器(RRAM)具有取代现有主流Flash存储器成为下一代新型存储器的潜力。但对RRAM器件电阻转变机制的研究在认识上依然存在很大的分歧,直接制约了RRAM的研发与应用。通过介绍阻变存储器的基本工作原理、不同的... 展开更多; 关键词阻变存储器非挥发性存储器 I-V特性阻变机制工作原理; 在线阅读下载PDF 职称材料

聚3-己基噻吩聚合物薄膜晶体管的稳定性被引量：4: 3; 作者刘玉荣左青云 +1 位作者彭俊彪黄美浅《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期65-70,共6页; 为提高聚合物薄膜晶体管的稳定性,以单晶硅为衬底,二氧化硅为栅介质层,聚3-己基噻吩(P3HT)薄膜为半导体活性层,金属Au为源、漏电极,制备出聚合物薄膜晶体管(PTFT),对该器件的电特性进行了表征,研究了该器件在空气环境下的稳定性,并对该... 展开更多; 关键词薄膜晶体管聚3-己基噻吩稳定性钝化; 在线阅读下载PDF 职称材料

面向作战指挥的武器装备知识图谱本体构建被引量：1: 4; 作者刘一博张海粟 +1 位作者左青云马琳飞《火力与指挥控制》 CSCD 北大核心 2024年第5期44-51,共8页; 当前,在武器装备知识图谱本体构建的研究上,多是面向武器装备维修管理、武器装备体系建设进行本体构建,面向作战指挥的武器装备本体构建研究相对缺乏。鉴于此,面向作战指挥需求,提出一种基于七步法和DODAF相结合的本体构建流程框架,基... 展开更多; 关键词作战指挥武器装备知识图谱本体构建 DODAF; 在线阅读下载PDF 职称材料

氧化钽阻变存储器的初始化电压调制: 5; 作者官郭沁邹荣 +6 位作者左青云田盼吕杭炳田志王奇伟曾敏杨志《现代电子技术》 2021年第6期1-5,共5页; 采用物理气相沉积和等离子体氧化工艺制备氧化钽阻变薄膜,利用X射线光电子能谱分析技术对阻变薄膜进行表征。系统研究等离子体氧化时间和阻挡层厚度对初始化电压的影响。研究表明,器件初始化电压随氧化时间增加而增大,同时增加阻挡层厚... 展开更多; 关键词氧化钽阻变存储器电压调制初始化电压阻变单元置位/复位电压; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种基于SDN的在线流量异常检测方法被引量：30: 1; 作者左青云陈鸣王秀磊刘波; 机构解放军理工大学指挥信息系统学院; 出处《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第1期155-160,共6页; 基金国家"973"重点基础研究计划基金资助项目(2012CB315806) 国家自然科学基金资助项目(61070173 61103225); 文摘基于软件定义网络的集中管控平面,提出了一种在线流量异常检测方法.首先在控制器上在线获取OpenFlow交换机的流表信息,并构造整个网络的流量矩阵与样本熵矩阵进行组合,然后采用主成分分析方法检测异常流量.实验结果表明,相比于传统网络中利用主成分分析方法分别单独处理离线的流量矩阵或样本熵矩阵的方法,在线流量异常检测方法实现和处理方式简单、有效,异常流量能够得到快速隔离,是基于软件定义网络的一种轻量级在线流量异常检测方法.; 关键词在线流量异常检测方法网络软件定义网络流量异常在线检测主成分分析; Keywords OpenFlow network software defined network traffic anomaly online detection principal component analysis; 分类号 TP393 [自动化与计算机技术—计算机应用技术]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于I-V特性的阻变存储器的阻变机制研究被引量：11: 2; 作者李颖弢刘明龙世兵刘琦张森王艳左青云王琴胡媛刘肃; 机构中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室兰州大学物理科学与技术学院微电子研究所安徽大学电子科学与技术学院; 出处《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2009年第3期134-140,153,共8页; 基金国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2008AA031403) 国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2006CB302706) 国家自然科学基金资助项目(60825403,90607022,60506005); 文摘随着器件尺寸的缩小,阻变存储器(RRAM)具有取代现有主流Flash存储器成为下一代新型存储器的潜力。但对RRAM器件电阻转变机制的研究在认识上依然存在很大的分歧,直接制约了RRAM的研发与应用。通过介绍阻变存储器的基本工作原理、不同的阻变机制以及基于阻变存储器所表现出的不同I-V特性,研究了器件的阻变特性;详细分析了阻变存储器的五种阻变物理机制,即导电细丝(filament)、空间电荷限制电流效应(SCLC)、缺陷能级的电荷俘获和释放、肖特基发射效应(Schottky emission)以及普尔-法兰克效应(Pool-Frenkel);同时,对RRAM器件的研究发展趋势以及面临的挑战进行了展望。; 关键词阻变存储器非挥发性存储器 I-V特性阻变机制工作原理; Keywords RRAM nonvolatile memory I-V characteristics resistance switching mechanisms operation principle; 分类号 TN304.21 [电子电信—物理电子学] TP333.8 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名聚3-己基噻吩聚合物薄膜晶体管的稳定性被引量：4: 3; 作者刘玉荣左青云彭俊彪黄美浅; 机构华南理工大学电子与信息学院华南理工大学高分子光电材料与器件研究所; 出处《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期65-70,共6页; 基金广东省自然科学基金博士启动项目(8451064101000257); 文摘为提高聚合物薄膜晶体管的稳定性,以单晶硅为衬底,二氧化硅为栅介质层,聚3-己基噻吩(P3HT)薄膜为半导体活性层,金属Au为源、漏电极,制备出聚合物薄膜晶体管(PTFT),对该器件的电特性进行了表征,研究了该器件在空气环境下的稳定性,并对该器件在空气中的不稳定性机理进行了讨论.结果表明:当器件暴露在空气中时,随着暴露时间的增加,器件的饱和漏电流明显增大,阈值电压逐渐增加;空气中的水是影响器件特性的主要因素;通过采用光刻胶钝化处理可以有效地改善P3HT-PTFT器件在空气中的稳定性,并使器件的载流子迁移率提高3倍.; 关键词薄膜晶体管聚3-己基噻吩稳定性钝化; Keywords thin-film transistor poly（3-hexylthiophene） stability passivation; 分类号 TN321.5 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名面向作战指挥的武器装备知识图谱本体构建被引量：1: 4; 作者刘一博张海粟左青云马琳飞; 机构国防科技大学信息通信学院; 出处《火力与指挥控制》 CSCD 北大核心 2024年第5期44-51,共8页; 基金军内研究生资助项目(JY2022B162)。; 文摘当前,在武器装备知识图谱本体构建的研究上,多是面向武器装备维修管理、武器装备体系建设进行本体构建,面向作战指挥的武器装备本体构建研究相对缺乏。鉴于此,面向作战指挥需求,提出一种基于七步法和DODAF相结合的本体构建流程框架,基于该流程框架进行了面向作战指挥的武器装备本体设计,并最终利用protégé工具进行了本体构建及展示,为后续面向作战指挥人员的知识库构建及知识应用打下基础。; 关键词作战指挥武器装备知识图谱本体构建 DODAF; Keywords combat command weapons andequipment knowledgegraph ontologyconstruction DODAF; 分类号 TJ01 [兵器科学与技术—兵器发射理论与技术] E920 [兵器科学与技术—武器系统与运用工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名氧化钽阻变存储器的初始化电压调制: 5; 作者官郭沁邹荣左青云田盼吕杭炳田志王奇伟曾敏杨志; 机构上海交通大学上海华力微电子有限公司上海集成电路研发中心有限公司中国科学院微电子研究所; 出处《现代电子技术》 2021年第6期1-5,共5页; 基金国家重点研发计划(2018YFB0407500)。; 文摘采用物理气相沉积和等离子体氧化工艺制备氧化钽阻变薄膜,利用X射线光电子能谱分析技术对阻变薄膜进行表征。系统研究等离子体氧化时间和阻挡层厚度对初始化电压的影响。研究表明,器件初始化电压随氧化时间增加而增大,同时增加阻挡层厚度可有效降低初始化电压。基于40 nm互补金属氧化物半导体量产工艺平台,成功地在40 nm晶体管后段集成了阻变单元,制备了氧化钽阻变存储器,其初始化电压为3.3 V,置位/复位电压在1.8 V以内。; 关键词氧化钽阻变存储器电压调制初始化电压阻变单元置位/复位电压; Keywords tantalum oxide resistive random access memory voltage modulation initialization voltage resistive cell setting/resetting voltage; 分类号 TN389-34 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	一种基于SDN的在线流量异常检测方法	左青云陈鸣王秀磊刘波	《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2015	30	在线阅读下载PDF 职称材料
2	基于I-V特性的阻变存储器的阻变机制研究	李颖弢刘明龙世兵刘琦张森王艳左青云王琴胡媛刘肃	《微纳电子技术》 CAS 北大核心	2009	11	在线阅读下载PDF 职称材料
3	聚3-己基噻吩聚合物薄膜晶体管的稳定性	刘玉荣左青云彭俊彪黄美浅	《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心	2010	4	在线阅读下载PDF 职称材料
4	面向作战指挥的武器装备知识图谱本体构建	刘一博张海粟左青云马琳飞	《火力与指挥控制》 CSCD 北大核心	2024	1	在线阅读下载PDF 职称材料
5	氧化钽阻变存储器的初始化电压调制	官郭沁邹荣左青云田盼吕杭炳田志王奇伟曾敏杨志	《现代电子技术》	2021	0	在线阅读下载PDF 职称材料