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PECVD介质膜性能研究
1
作者
崔翔天
楚振生
+4 位作者
高鹏涛
王志军
常威
郑喜凤
孟宪信
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996年第3期230-234,共5页
本文讨论了等离子体化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）方法生长的氮化硅薄膜的电学性能随生长条件的变化关系，得到了性能良好的氮化硅薄膜．结果表明这种介质膜达到了薄膜电致发光器件所要求的各个性能指标，是一种具有重要应用价值的介质薄...
本文讨论了等离子体化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）方法生长的氮化硅薄膜的电学性能随生长条件的变化关系，得到了性能良好的氮化硅薄膜．结果表明这种介质膜达到了薄膜电致发光器件所要求的各个性能指标，是一种具有重要应用价值的介质薄膜材料．
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关键词
PECVD
氮化硅
薄膜
介电性质
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职称材料
题名
PECVD介质膜性能研究
1
作者
崔翔天
楚振生
高鹏涛
王志军
常威
郑喜凤
孟宪信
机构
中国科学院长春物理研究所
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996年第3期230-234,共5页
文摘
本文讨论了等离子体化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）方法生长的氮化硅薄膜的电学性能随生长条件的变化关系，得到了性能良好的氮化硅薄膜．结果表明这种介质膜达到了薄膜电致发光器件所要求的各个性能指标，是一种具有重要应用价值的介质薄膜材料．
关键词
PECVD
氮化硅
薄膜
介电性质
Keywords
PECVD, SiN_x, film, dielectric properties
分类号
O484.4 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
PECVD介质膜性能研究
崔翔天
楚振生
高鹏涛
王志军
常威
郑喜凤
孟宪信
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996
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