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Co-MgAl三元类水滑石的合成、微结构及吸附性能研究
被引量：
5
1
作者
仇满德
韩庆娇
+1 位作者
崔炎龙
李旭
《人工晶体学报》
CSCD
北大核心
2017年第8期1527-1533,共7页
采用水热法制备了Co-Mg Al三元类水滑石层状化合物(HTLcs),利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)比较研究了不同Co^(2+)比例条件下对合成产物物相、晶体微结构及晶体生长的影响,同时利用生长基元的配位体理论对其合成机理进行了初步探讨...
采用水热法制备了Co-Mg Al三元类水滑石层状化合物(HTLcs),利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)比较研究了不同Co^(2+)比例条件下对合成产物物相、晶体微结构及晶体生长的影响,同时利用生长基元的配位体理论对其合成机理进行了初步探讨。以甲基橙(MO)模拟染料废水为吸附对象,比较研究了三元类水滑石与二元水滑石焙烧产物的吸附性能和吸附机理。研究结果表明:钴离子同层板二价镁离子存在着交换作用,钴离子掺杂量的不同,没有影响水滑石固有的层板结构,但影响了构建钴镁铝三元类水滑石过程中各晶面的生长。Co∶Mg∶Al为1∶2∶1的HTLcs经过500℃焙烧后,焙烧产物(LDO)仍呈现片状结构。但径向尺寸和厚度同焙烧前相比略有减小,产物的均一性、规整性相比焙烧前变差,其对甲基橙模拟染料废水的吸附脱色性能随着时间的增加,呈缓慢增加的趋势,达到吸附平衡需要时间更长为70 min,脱色率仅为60%左右,明显低于二元镁铝水滑石焙烧产物(Mg AlLDO)(90%)。吸附动力学研究表明Co-Mg Al-LDO焙烧产物对甲基橙的吸附过程更符合准二级动力学方程,吸附等温线符合Freundlich模型,而二元Mg Al-LDO对甲基橙的吸附过程较符合准一级动力学方程,吸附等温线符合Langmuir模型。
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关键词
类水滑石
水热法
微结构
生长机理
吸附性能
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职称材料
锐钛型TiO_2纳米管阵列的制备及微结构调控
被引量：
1
2
作者
仇满德
韩庆娇
+2 位作者
崔炎龙
牛苗
杨盼
《河北大学学报（自然科学版）》
CAS
北大核心
2017年第4期378-385,共8页
采用阳极氧化法,系统考察了HF体系中氧化电压、氧化时间、质量分数、p H值和退火温度等对钛基表面二氧化钛纳米管阵列形成过程中物相和微观形貌的影响,探讨了制备规整性、均一性及微结构可控的二氧化钛纳米管阵列的主要和次要因素.研究...
采用阳极氧化法,系统考察了HF体系中氧化电压、氧化时间、质量分数、p H值和退火温度等对钛基表面二氧化钛纳米管阵列形成过程中物相和微观形貌的影响,探讨了制备规整性、均一性及微结构可控的二氧化钛纳米管阵列的主要和次要因素.研究结果表明:氧化电压、p H值是决定TiO_2纳米管阵列是否形成与规整性的决定因素.较小的p H值虽然有利于在较短的时间内制备TiO_2纳米管阵列,但容易导致基体表面TiO_2纳米管脱落,影响纳米管阵列的完整性和均一性.氧化电压在15~25 V,p H值为4~6内可以实现TiO_2纳米管阵列的微结构调控.氧化时间、电解液浓度主要影响TiO_2纳米管的管长、管径、管壁厚度,只要在合适的范围内可以通过微小的改变,实现微结构的调控.退火温度决定了TiO_2的晶相转变,不同的退火温度对TiO_2纳米管的管径、管壁、规整性、均一性影响较小,过快的升温和较高的温度不利于锐钛型TiO_2纳米管的形成,可以实现在较低温度下的晶相转化.
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关键词
阳极氧化法
二氧化钛纳米管
制备
微结构调控
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职称材料
CTAB辅助制备环状MoS_2晶体及微结构调控
被引量：
2
3
作者
仇满德
崔炎龙
+1 位作者
商梦莉
边旭
《人工晶体学报》
EI
CAS
北大核心
2019年第3期398-404,417,共8页
以钼酸铵为钼源硫脲为硫源,十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为模板剂,采用表面活性剂促助法成功制备了环状结构MoS_2,并利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)系统比较研究了CTAB添加量、p H值、钼硫比、反应时间对合成环状MoS_2微结构及晶...
以钼酸铵为钼源硫脲为硫源,十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为模板剂,采用表面活性剂促助法成功制备了环状结构MoS_2,并利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)系统比较研究了CTAB添加量、p H值、钼硫比、反应时间对合成环状MoS_2微结构及晶体生长的影响,分析了环状结构生长形成的机理。研究结果表明:MoS_2形貌主要受CTAB添加量的影响,随着用量的增多MoS_2经历了球花状-不规则环状-规则环状-不规则堆积状的递变过程,最佳CTAB添加量为0.5 g。p H值对MoS_2的生长发育以及结晶性和微观形貌有显著影响,当p H=3时,所得产物晶体颗粒的圆整度、均一性较好。钼硫比对产物的结晶性和分散性有一定影响,并且影响到环状结构的生长发育,但是过高的钼硫比会造成严重的团聚现象,当钼硫比为1∶4时产物的圆整性和分散性较好。反应时间对产物的结晶度有较大影响,随着反应时间的延长结晶度增加,最佳的反应时间为36 h。
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关键词
环状MoS2
CTAB
微结构
生长机理
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职称材料
题名
Co-MgAl三元类水滑石的合成、微结构及吸附性能研究
被引量：
5
1
作者
仇满德
韩庆娇
崔炎龙
李旭
机构
河北大学化学与环境科学学院
出处
《人工晶体学报》
CSCD
北大核心
2017年第8期1527-1533,共7页
基金
国家自然科学基金(10276732)
文摘
采用水热法制备了Co-Mg Al三元类水滑石层状化合物(HTLcs),利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)比较研究了不同Co^(2+)比例条件下对合成产物物相、晶体微结构及晶体生长的影响,同时利用生长基元的配位体理论对其合成机理进行了初步探讨。以甲基橙(MO)模拟染料废水为吸附对象,比较研究了三元类水滑石与二元水滑石焙烧产物的吸附性能和吸附机理。研究结果表明:钴离子同层板二价镁离子存在着交换作用,钴离子掺杂量的不同,没有影响水滑石固有的层板结构,但影响了构建钴镁铝三元类水滑石过程中各晶面的生长。Co∶Mg∶Al为1∶2∶1的HTLcs经过500℃焙烧后,焙烧产物(LDO)仍呈现片状结构。但径向尺寸和厚度同焙烧前相比略有减小,产物的均一性、规整性相比焙烧前变差,其对甲基橙模拟染料废水的吸附脱色性能随着时间的增加,呈缓慢增加的趋势,达到吸附平衡需要时间更长为70 min,脱色率仅为60%左右,明显低于二元镁铝水滑石焙烧产物(Mg AlLDO)(90%)。吸附动力学研究表明Co-Mg Al-LDO焙烧产物对甲基橙的吸附过程更符合准二级动力学方程,吸附等温线符合Freundlich模型,而二元Mg Al-LDO对甲基橙的吸附过程较符合准一级动力学方程,吸附等温线符合Langmuir模型。
关键词
类水滑石
水热法
微结构
生长机理
吸附性能
Keywords
hydrotalcite-like compound
hydrothermal method
microstructure
growth mechanism
adsorption property
分类号
TQ074 [化学工程]
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职称材料
题名
锐钛型TiO_2纳米管阵列的制备及微结构调控
被引量：
1
2
作者
仇满德
韩庆娇
崔炎龙
牛苗
杨盼
机构
河北大学化学与环境科学学院
出处
《河北大学学报（自然科学版）》
CAS
北大核心
2017年第4期378-385,共8页
基金
国家自然科学基金资助项目(21376060)
河北省科技厅支撑计划资助项目(10276732)
文摘
采用阳极氧化法,系统考察了HF体系中氧化电压、氧化时间、质量分数、p H值和退火温度等对钛基表面二氧化钛纳米管阵列形成过程中物相和微观形貌的影响,探讨了制备规整性、均一性及微结构可控的二氧化钛纳米管阵列的主要和次要因素.研究结果表明:氧化电压、p H值是决定TiO_2纳米管阵列是否形成与规整性的决定因素.较小的p H值虽然有利于在较短的时间内制备TiO_2纳米管阵列,但容易导致基体表面TiO_2纳米管脱落,影响纳米管阵列的完整性和均一性.氧化电压在15~25 V,p H值为4~6内可以实现TiO_2纳米管阵列的微结构调控.氧化时间、电解液浓度主要影响TiO_2纳米管的管长、管径、管壁厚度,只要在合适的范围内可以通过微小的改变,实现微结构的调控.退火温度决定了TiO_2的晶相转变,不同的退火温度对TiO_2纳米管的管径、管壁、规整性、均一性影响较小,过快的升温和较高的温度不利于锐钛型TiO_2纳米管的形成,可以实现在较低温度下的晶相转化.
关键词
阳极氧化法
二氧化钛纳米管
制备
微结构调控
Keywords
anodic oxidation method
TiO2 nanotube
preparation
microstructure control
分类号
O614 [理学—无机化学]
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职称材料
题名
CTAB辅助制备环状MoS_2晶体及微结构调控
被引量：
2
3
作者
仇满德
崔炎龙
商梦莉
边旭
机构
河北大学化学与环境科学学院
河北大学教育部药物化学与分子诊断重点实验室
河北大学河北省分析科学技术重点实验室
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
北大核心
2019年第3期398-404,417,共8页
文摘
以钼酸铵为钼源硫脲为硫源,十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为模板剂,采用表面活性剂促助法成功制备了环状结构MoS_2,并利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)系统比较研究了CTAB添加量、p H值、钼硫比、反应时间对合成环状MoS_2微结构及晶体生长的影响,分析了环状结构生长形成的机理。研究结果表明:MoS_2形貌主要受CTAB添加量的影响,随着用量的增多MoS_2经历了球花状-不规则环状-规则环状-不规则堆积状的递变过程,最佳CTAB添加量为0.5 g。p H值对MoS_2的生长发育以及结晶性和微观形貌有显著影响,当p H=3时,所得产物晶体颗粒的圆整度、均一性较好。钼硫比对产物的结晶性和分散性有一定影响,并且影响到环状结构的生长发育,但是过高的钼硫比会造成严重的团聚现象,当钼硫比为1∶4时产物的圆整性和分散性较好。反应时间对产物的结晶度有较大影响,随着反应时间的延长结晶度增加,最佳的反应时间为36 h。
关键词
环状MoS2
CTAB
微结构
生长机理
Keywords
ring-MoS2
CTAB
microstructure
growth mechanism
分类号
TQ136.12 [化学工程—无机化工]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Co-MgAl三元类水滑石的合成、微结构及吸附性能研究
仇满德
韩庆娇
崔炎龙
李旭
《人工晶体学报》
CSCD
北大核心
2017
5
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
锐钛型TiO_2纳米管阵列的制备及微结构调控
仇满德
韩庆娇
崔炎龙
牛苗
杨盼
《河北大学学报（自然科学版）》
CAS
北大核心
2017
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
CTAB辅助制备环状MoS_2晶体及微结构调控
仇满德
崔炎龙
商梦莉
边旭
《人工晶体学报》
EI
CAS
北大核心
2019
2
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职称材料
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