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不同退火条件对PEALD制备的Ga_(2)O_(3)薄膜特性的影响
被引量：
1
1
作者
马海鑫
丁广玉
+6 位作者
邢艳辉
韩军
张尧
崔博垚
林文魁
尹浩田
黄兴杰
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2021年第5期838-844,共7页
利用等离子增强原子层沉积技术(PEALD)在c面蓝宝石衬底上制备了氧化镓(Ga_(2)O_(3))薄膜,研究了退火气氛(v(N_(2))∶v(O_(2))=1∶1(体积比)、空气和N_(2))及退火时间对Ga_(2)O_(3)薄膜晶体结构、表面形貌和光学性质的影响。研究结果表明...
利用等离子增强原子层沉积技术(PEALD)在c面蓝宝石衬底上制备了氧化镓(Ga_(2)O_(3))薄膜,研究了退火气氛(v(N_(2))∶v(O_(2))=1∶1(体积比)、空气和N_(2))及退火时间对Ga_(2)O_(3)薄膜晶体结构、表面形貌和光学性质的影响。研究结果表明,退火前的氧化镓处于亚稳态,不同退火气氛下退火后晶体结构发生明显改变,而且退火气氛中N_(2)比例增加有利于Ga_(2)O_(3)重结晶。在N_(2)气氛下退火达到30 min,薄膜结构已由亚稳态转变成择优取向的β-Ga_(2)O_(3)。而且表面形貌分析表明,退火30 min后表面形貌开始趋于稳定,表面晶粒密度不再增加。另外实验样品在400~800 nm的平均透射率几乎是100%,且光吸收边陡峭。采用N_(2)气氛退火,对于富氧环境下沉积的Ga_(2)O_(3)更利于薄膜表面原子迁移,以及择优取向Ga_(2)O_(3)重结晶。
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关键词
氧化镓
退火条件
等离子增强原子层沉积
晶体结构
表面形貌
光学性质
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职称材料
单晶金刚石p型和n型掺杂的研究
被引量：
1
2
作者
牛科研
张璇
+4 位作者
崔博垚
马永健
唐文博
魏志鹏
张宝顺
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2022年第5期841-851,共11页
超宽禁带半导体材料金刚石在热导率、载流子迁移率和击穿场强等方面表现出优异的性质,在功率电子学领域具有广阔的应用前景。实现p型和n型导电是制备金刚石半导体器件的基础要求,其中p型金刚石的发展较为成熟,主流的掺杂元素是硼,但在...
超宽禁带半导体材料金刚石在热导率、载流子迁移率和击穿场强等方面表现出优异的性质,在功率电子学领域具有广阔的应用前景。实现p型和n型导电是制备金刚石半导体器件的基础要求,其中p型金刚石的发展较为成熟,主流的掺杂元素是硼,但在高掺杂时存在空穴迁移率迅速下降的问题;n型金刚石目前主流的掺杂元素是磷,还存在杂质能级深、电离能较大的问题,以及掺杂之后金刚石晶体中的缺陷造成载流子浓度和迁移率都比较低,电阻率难以达到器件的要求。因此制备高质量的p型和n型金刚石成为研究者关注的焦点。本文主要介绍金刚石独特的物理性质,概述化学气相沉积法和离子注入法实现金刚石掺杂的基本原理和参数指标,进而回顾两种方法进行单晶金刚石薄膜p型和n型掺杂的研究进展,系统总结了其面临的问题并对未来方向进行了展望。
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关键词
金刚石
离子注入
化学气相沉积
超宽禁带半导体
掺杂
N型
P型
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职称材料
题名
不同退火条件对PEALD制备的Ga_(2)O_(3)薄膜特性的影响
被引量：
1
1
作者
马海鑫
丁广玉
邢艳辉
韩军
张尧
崔博垚
林文魁
尹浩田
黄兴杰
机构
北京工业大学微电子学院
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
出处
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2021年第5期838-844,共7页
基金
国家自然科学基金(61574011)
北京市自然科学基金(4182015,4182014)。
文摘
利用等离子增强原子层沉积技术(PEALD)在c面蓝宝石衬底上制备了氧化镓(Ga_(2)O_(3))薄膜,研究了退火气氛(v(N_(2))∶v(O_(2))=1∶1(体积比)、空气和N_(2))及退火时间对Ga_(2)O_(3)薄膜晶体结构、表面形貌和光学性质的影响。研究结果表明,退火前的氧化镓处于亚稳态,不同退火气氛下退火后晶体结构发生明显改变,而且退火气氛中N_(2)比例增加有利于Ga_(2)O_(3)重结晶。在N_(2)气氛下退火达到30 min,薄膜结构已由亚稳态转变成择优取向的β-Ga_(2)O_(3)。而且表面形貌分析表明,退火30 min后表面形貌开始趋于稳定,表面晶粒密度不再增加。另外实验样品在400~800 nm的平均透射率几乎是100%,且光吸收边陡峭。采用N_(2)气氛退火,对于富氧环境下沉积的Ga_(2)O_(3)更利于薄膜表面原子迁移,以及择优取向Ga_(2)O_(3)重结晶。
关键词
氧化镓
退火条件
等离子增强原子层沉积
晶体结构
表面形貌
光学性质
Keywords
Ga_(2)O_(3)
annealing condition
PEALD
crystal structure
surface morphology
optical property
分类号
O47 [理学—半导体物理]
O484.4 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
单晶金刚石p型和n型掺杂的研究
被引量：
1
2
作者
牛科研
张璇
崔博垚
马永健
唐文博
魏志鹏
张宝顺
机构
长春理工大学物理学院
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米加工平台
出处
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2022年第5期841-851,共11页
基金
国家自然科学基金青年科学基金(61804166)。
文摘
超宽禁带半导体材料金刚石在热导率、载流子迁移率和击穿场强等方面表现出优异的性质,在功率电子学领域具有广阔的应用前景。实现p型和n型导电是制备金刚石半导体器件的基础要求,其中p型金刚石的发展较为成熟,主流的掺杂元素是硼,但在高掺杂时存在空穴迁移率迅速下降的问题;n型金刚石目前主流的掺杂元素是磷,还存在杂质能级深、电离能较大的问题,以及掺杂之后金刚石晶体中的缺陷造成载流子浓度和迁移率都比较低,电阻率难以达到器件的要求。因此制备高质量的p型和n型金刚石成为研究者关注的焦点。本文主要介绍金刚石独特的物理性质,概述化学气相沉积法和离子注入法实现金刚石掺杂的基本原理和参数指标,进而回顾两种方法进行单晶金刚石薄膜p型和n型掺杂的研究进展,系统总结了其面临的问题并对未来方向进行了展望。
关键词
金刚石
离子注入
化学气相沉积
超宽禁带半导体
掺杂
N型
P型
Keywords
diamond
ion implantation
chemical vapor deposition
ultra-wide band gap semiconductor
doping
n-type
p-type
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
不同退火条件对PEALD制备的Ga_(2)O_(3)薄膜特性的影响
马海鑫
丁广玉
邢艳辉
韩军
张尧
崔博垚
林文魁
尹浩田
黄兴杰
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2021
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
单晶金刚石p型和n型掺杂的研究
牛科研
张璇
崔博垚
马永健
唐文博
魏志鹏
张宝顺
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2022
1
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职称材料
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