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Ru_2Si_3在应力作用下的第一性原理研究 被引量:6
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作者 崔冬萌 贾锐 +1 位作者 谢泉 赵珂杰 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第9期907-912,共6页
采用基于第一性原理的密度泛函理论(Density functional theory)赝势平面波方法,对应力下Ru2Si3的电子结构和光学性质进行了理论计算和比较。计算结果表明:随着正应力的逐渐增大,导带向高能方向移动,带隙Eg明显展宽;随着负应力的逐渐增... 采用基于第一性原理的密度泛函理论(Density functional theory)赝势平面波方法,对应力下Ru2Si3的电子结构和光学性质进行了理论计算和比较。计算结果表明:随着正应力的逐渐增大,导带向高能方向移动,带隙Eg明显展宽;随着负应力的逐渐增大,带隙缓慢减小并且始终为直接带隙。光学性质曲线随着负应力的不断减小至正应力的不断增大都向高能方向漂移。 展开更多
关键词 Ru2Si3 第一性原理 应力 电子结构
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Rh掺杂的Ru_2Si_3的电子结构及光学性质 被引量:2
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作者 崔冬萌 贾锐 +1 位作者 谢泉 赵珂杰 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第9期960-965,共6页
采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波计算方法,结合广义梯度近似(GGA)对Ru2Si3掺Rh原子的电子结构和光学性质进行了研究,计算结果表明:掺入Rh原子使得Ru2Si3的晶胞体积有所增大,Rh替换RuⅢ位的Ru原子使得体系处于稳定态,导电类... 采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波计算方法,结合广义梯度近似(GGA)对Ru2Si3掺Rh原子的电子结构和光学性质进行了研究,计算结果表明:掺入Rh原子使得Ru2Si3的晶胞体积有所增大,Rh替换RuⅢ位的Ru原子使得体系处于稳定态,导电类型变为n型,静态介电函数值为ε1(0)=25.201 4,折射率n0的值有所增大为5.02。 展开更多
关键词 掺杂Ru2Si3 电子结构 光学性质 第一性原理
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梯度掺杂对n型异质结太阳能电池性能的影响 被引量:2
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作者 崔冬萌 贾锐 +3 位作者 丁武昌 张烨 A.W.Weeber 宋世庚 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第11期1505-1510,共6页
通过仿真软件AFORS-HET对a-Si∶H(p)/i-a-Si∶H/c-Si(n)异质结太阳能电池的光伏特性进行分析及优化,主要对比了a-Si∶H(p)层的均匀掺杂和表面掺杂浓度D1=1×1020cm-3>界面掺杂浓度D2=4×1019cm-3的梯度掺杂情况时的光伏特性... 通过仿真软件AFORS-HET对a-Si∶H(p)/i-a-Si∶H/c-Si(n)异质结太阳能电池的光伏特性进行分析及优化,主要对比了a-Si∶H(p)层的均匀掺杂和表面掺杂浓度D1=1×1020cm-3>界面掺杂浓度D2=4×1019cm-3的梯度掺杂情况时的光伏特性,实现了在梯度掺杂时22.32%的光电转换效率。与均匀梯度掺杂相比,发射层的梯度掺杂除了引入一个附加电场,还优化了能带结构、光谱响应、表面复合速率。结果表明,梯度掺杂可以有效地改善电池的光电转换性能。 展开更多
关键词 梯度掺杂 光伏特性 能带结构 AFORS-HET
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环境友好半导体Ca_2Si晶体生长及其性能研究 被引量:1
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作者 崔冬萌 任雪勇 +2 位作者 谢泉 付姗姗 周文娟 《吉林大学学报(信息科学版)》 CAS 2008年第5期459-464,共6页
环境友好半导体材料Ca2Si晶体是直接带隙半导体,在室温下,其禁带宽度为1.9 eV,且在4.5 eV以下能量范围内,Ca2Si的光吸收系数大于β-FeSi2,因此,有望使用Ca2Si开发发光二极管、高效率太阳能电池等。综述了近年来Ca2Si的晶格特性、光电性... 环境友好半导体材料Ca2Si晶体是直接带隙半导体,在室温下,其禁带宽度为1.9 eV,且在4.5 eV以下能量范围内,Ca2Si的光吸收系数大于β-FeSi2,因此,有望使用Ca2Si开发发光二极管、高效率太阳能电池等。综述了近年来Ca2Si的晶格特性、光电性质及其制备方法的研究进展,由于现有的制备方法不适合大面积的制备Ca2Si材料,因此,提出了利用磁控溅射技术制备Ca2Si材料的设想。展望了Ca2Si的应用前景,探讨了当前Ca2Si研究领域中存在的问题。 展开更多
关键词 Ca2Si晶体 直接带隙材料 太阳能电池
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第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会论文选登 多晶硅电池叠层抗反射层的设计研究
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作者 丁武昌 贾锐 +5 位作者 崔冬萌 陈晨 孟彦龙 乔秀梅 金智 刘新宇 《太阳能》 2013年第1期35-37,共3页
根据多晶硅电池对表面抗反射薄膜设计的需要,基于薄膜反射特征导纳矩阵理论结合电池的背底反射,建立了完善的表面反射和电池吸收计算模型,在已知薄膜复折射率的前提下可给出反射率的精确计算结果。利用该计算模型,设计了多种表面反射结... 根据多晶硅电池对表面抗反射薄膜设计的需要,基于薄膜反射特征导纳矩阵理论结合电池的背底反射,建立了完善的表面反射和电池吸收计算模型,在已知薄膜复折射率的前提下可给出反射率的精确计算结果。利用该计算模型,设计了多种表面反射结构,其中硅量子点镶嵌氮化硅与二氧化硅组成的双层抗反射薄膜,在AM1.5光谱下其积分反射率最低可达到4.38%;分析了不同硅量子点体积比对于该双层抗反射膜的影响,系统给出了实际生长该双层抗反射层的具体参数,即富硅氮化硅中的Si∶N=1∶1时即可达到较好的表面抗反射效果。 展开更多
关键词 抗反射 特征导纳 硅量子点 太阳电池
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激光在PERC晶硅电池中背面点接触电极制备中的应用 被引量:4
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作者 王仕建 贾锐 +6 位作者 张希清 孙昀 孟彦龙 丁武昌 崔冬萌 陈晨 任高全 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第5期634-638,共5页
在经过Al2O3全钝化发射极钝化局部背接触(PERC)结构电池的背面实现良好的接触电极一直是制约着PERC高效电池向产业化推广的重要因素之一。本文采用532 nm激光烧蚀背面钝化介质层方法和传统的光刻工艺来实现背面电极的局部接触,并对两种... 在经过Al2O3全钝化发射极钝化局部背接触(PERC)结构电池的背面实现良好的接触电极一直是制约着PERC高效电池向产业化推广的重要因素之一。本文采用532 nm激光烧蚀背面钝化介质层方法和传统的光刻工艺来实现背面电极的局部接触,并对两种方法进行详细的比较与分析。对激光烧蚀和激光烧结两种不同的局部接触电极制备方式进行了对比,发现激光烧蚀是更为适宜的工艺方式。相较于激光烧结,以激光烧蚀方式制备的电池的串联面接触电阻从10.7Ω.cm2降到1.24Ω.cm2,效率从4.2%提高到10.7%。 展开更多
关键词 晶硅电池 AL2O3 局部接触 激光烧蚀 激光烧结
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