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InP基光电探测器材料的MOCVD锌扩散
1
作者
张宇
于浩
+5 位作者
郝文嘉
车相辉
尹顺正
齐利芳
赵润
陈宏泰
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2017年第4期300-304,共5页
锌(Zn)扩散是制作InP基光电探测器(PD)的重要工艺过程。分析了锌扩散的机制,利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备对InP基PD及雪崩光电探测器(APD)材料进行了锌扩散,由于MOCVD设备具有精确的温度控制系统,所以该扩散工艺具有简单、均匀...
锌(Zn)扩散是制作InP基光电探测器(PD)的重要工艺过程。分析了锌扩散的机制,利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备对InP基PD及雪崩光电探测器(APD)材料进行了锌扩散,由于MOCVD设备具有精确的温度控制系统,所以该扩散工艺具有简单、均匀性好、重复性好的优点。对于扩散后的样品,采用电化学C-V方法和扫描电子显微镜(SEM)等测试分析手段,研究了退火、扩散温度、扩散源体积流量和反应室压力等主要工艺参数对InP材料扩散速率和载流子浓度的影响,并将该锌扩散工艺应用于InP基光电探测器和雪崩光电探测器的器件制作中,得到了优异的器件性能结果。
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关键词
锌扩散
金属有机化学气相沉积(MOCVD)
INP
光电探测器
扩散速率
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职称材料
题名
InP基光电探测器材料的MOCVD锌扩散
1
作者
张宇
于浩
郝文嘉
车相辉
尹顺正
齐利芳
赵润
陈宏泰
机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2017年第4期300-304,共5页
文摘
锌(Zn)扩散是制作InP基光电探测器(PD)的重要工艺过程。分析了锌扩散的机制,利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备对InP基PD及雪崩光电探测器(APD)材料进行了锌扩散,由于MOCVD设备具有精确的温度控制系统,所以该扩散工艺具有简单、均匀性好、重复性好的优点。对于扩散后的样品,采用电化学C-V方法和扫描电子显微镜(SEM)等测试分析手段,研究了退火、扩散温度、扩散源体积流量和反应室压力等主要工艺参数对InP材料扩散速率和载流子浓度的影响,并将该锌扩散工艺应用于InP基光电探测器和雪崩光电探测器的器件制作中,得到了优异的器件性能结果。
关键词
锌扩散
金属有机化学气相沉积(MOCVD)
INP
光电探测器
扩散速率
Keywords
Zn diffusion
metal organic chemical vapor deposition （MOCVD）
InP
photodetector
diffusion rate
分类号
TN305.4 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
InP基光电探测器材料的MOCVD锌扩散
张宇
于浩
郝文嘉
车相辉
尹顺正
齐利芳
赵润
陈宏泰
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2017
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