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用于等离子体电位测量的电容探针和发射探针
1
作者
冯晓珍
田忠玉
+2 位作者
明林洲
尹猷均
刘奕华
《核聚变与等离子体物理》
CAS
CSCD
北大核心
1995年第1期59-64,共6页
本文给出了发射探针和电容探针测量等离子体电位的实验和方法。发射探针采用直流功率加热，并在较强电子发射条件下运行（Ｉ_（ｅ０）／Ｉ_（ｅ０）＞１）。电容探针表面二次电子发射系数δ≥１。本文对发射探针的电子发射性能、工作电...
本文给出了发射探针和电容探针测量等离子体电位的实验和方法。发射探针采用直流功率加热，并在较强电子发射条件下运行（Ｉ_（ｅ０）／Ｉ_（ｅ０）＞１）。电容探针表面二次电子发射系数δ≥１。本文对发射探针的电子发射性能、工作电流、电容探针的输入、输出电压关系进行了标定实验。得到了电容探针的校准系数分别为３×１０（－３）、５×１０（－４）。实验给出了ＭＭ－４会切中心等离子体电位Ｖ_（ｐ４）＝－８２±９－１２２±１２Ｖ；ＭＭ－４Ｕ东、西会切中心等离子体电位分别为Ｖ_（Ｐ４ｕ１）＝－５２．９±３．２Ｖ，Ｖ_（Ｐ４ｕ２）＝－６２±３．２Ｖ。
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关键词
等离子体
发射探针
电容探针
电位测量
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职称材料
题名
用于等离子体电位测量的电容探针和发射探针
1
作者
冯晓珍
田忠玉
明林洲
尹猷均
刘奕华
机构
核工业西南物理研究院
出处
《核聚变与等离子体物理》
CAS
CSCD
北大核心
1995年第1期59-64,共6页
文摘
本文给出了发射探针和电容探针测量等离子体电位的实验和方法。发射探针采用直流功率加热，并在较强电子发射条件下运行（Ｉ_（ｅ０）／Ｉ_（ｅ０）＞１）。电容探针表面二次电子发射系数δ≥１。本文对发射探针的电子发射性能、工作电流、电容探针的输入、输出电压关系进行了标定实验。得到了电容探针的校准系数分别为３×１０（－３）、５×１０（－４）。实验给出了ＭＭ－４会切中心等离子体电位Ｖ_（ｐ４）＝－８２±９－１２２±１２Ｖ；ＭＭ－４Ｕ东、西会切中心等离子体电位分别为Ｖ_（Ｐ４ｕ１）＝－５２．９±３．２Ｖ，Ｖ_（Ｐ４ｕ２）＝－６２±３．２Ｖ。
关键词
等离子体
发射探针
电容探针
电位测量
Keywords
Plasma potential
Emissive probe
Capacity probe
Floating potential
分类号
TL656 [核科学技术—核技术及应用]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
用于等离子体电位测量的电容探针和发射探针
冯晓珍
田忠玉
明林洲
尹猷均
刘奕华
《核聚变与等离子体物理》
CAS
CSCD
北大核心
1995
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