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抛光工艺对硅片表面Haze值的影响
被引量：
3
1
作者
王永涛
赵而敬
+4 位作者
尚锐刚
李明飞
鲁进军
张建
蔡丽艳
《半导体技术》
CSCD
北大核心
2017年第12期918-922,共5页
随着超大规模集成电路的快速发展,硅片表面的Haze值对于现代半导体器件工艺的影响也越来越受到人们的重视。通过实验研究了精抛光工艺参数对硅片表面Haze值的影响规律。结果表明,随着抛光时间的延长,硅的去除量逐渐增大,硅片表面Haze值...
随着超大规模集成电路的快速发展,硅片表面的Haze值对于现代半导体器件工艺的影响也越来越受到人们的重视。通过实验研究了精抛光工艺参数对硅片表面Haze值的影响规律。结果表明,随着抛光时间的延长,硅的去除量逐渐增大,硅片表面Haze值逐渐降低;同时抛光过程中机械作用与化学作用的协同作用对Haze值也有较大影响。随着抛光液温度的降低与抛光液体积流量的减小,化学作用减弱,硅片表面Haze值逐渐减小。而随着抛光压力的增大,机械作用逐渐起主导作用,硅片表面Haze值逐渐降低。但当Haze值降低到某一数值后,随着硅去除量的增大、抛光液温度的下降、抛光液体积流量的降低、抛光压力的增大,硅片表面的Haze值基本保持不变。
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关键词
Haze值
化学机械抛光(CMP)
微粗糙度
抛光液
硅片
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职称材料
题名
抛光工艺对硅片表面Haze值的影响
被引量：
3
1
作者
王永涛
赵而敬
尚锐刚
李明飞
鲁进军
张建
蔡丽艳
机构
有研半导体材料有限公司
出处
《半导体技术》
CSCD
北大核心
2017年第12期918-922,共5页
基金
国家科技重大专项资助项目(2008ZX02401)
文摘
随着超大规模集成电路的快速发展,硅片表面的Haze值对于现代半导体器件工艺的影响也越来越受到人们的重视。通过实验研究了精抛光工艺参数对硅片表面Haze值的影响规律。结果表明,随着抛光时间的延长,硅的去除量逐渐增大,硅片表面Haze值逐渐降低;同时抛光过程中机械作用与化学作用的协同作用对Haze值也有较大影响。随着抛光液温度的降低与抛光液体积流量的减小,化学作用减弱,硅片表面Haze值逐渐减小。而随着抛光压力的增大,机械作用逐渐起主导作用,硅片表面Haze值逐渐降低。但当Haze值降低到某一数值后,随着硅去除量的增大、抛光液温度的下降、抛光液体积流量的降低、抛光压力的增大,硅片表面的Haze值基本保持不变。
关键词
Haze值
化学机械抛光(CMP)
微粗糙度
抛光液
硅片
Keywords
Haze value
chemical mechanical polishing （CMP）
microroughness
slurry
silicon wafer
分类号
TN305.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
抛光工艺对硅片表面Haze值的影响
王永涛
赵而敬
尚锐刚
李明飞
鲁进军
张建
蔡丽艳
《半导体技术》
CSCD
北大核心
2017
3
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职称材料
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