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自组织InAs/GaAs量子点的表面氮化研究
1
作者 尚勋忠 松下和征 +4 位作者 井上知也 喜多隆 和田修 保田英洋 森博太郎 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期151-153,共3页
用低温光荧光(PL)和透射电子显微镜(TEM)研究了表面氮化自组织InAs/GaAs量子点的光学性能和微观结构。结果表明氮化后形成薄层的InAsN薄膜作为应变缓和层覆盖在量子点的表面,使得随着氮化时间的增加,InAs量子点的位错密度提高、尺寸变... 用低温光荧光(PL)和透射电子显微镜(TEM)研究了表面氮化自组织InAs/GaAs量子点的光学性能和微观结构。结果表明氮化后形成薄层的InAsN薄膜作为应变缓和层覆盖在量子点的表面,使得随着氮化时间的增加,InAs量子点的位错密度提高、尺寸变大、纵横比提高、发光波长变长、强度变低。 展开更多
关键词 砷化铟量子点 氮化 光荧光
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预烧温度对0.363BiScO_3-0.637PbTiO_3高温压电陶瓷性能的影响 被引量：5
2
作者 刘珩 周桃生 +3 位作者 姜丹 尚勋忠 张蕾 何云斌 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2011年第1期126-129,共4页
研究了不同预烧温度对反应烧结0.363BiScO3-0.637PbTi O3陶瓷的微观结构及压电介电性能的影响。根据0.363BiScO3-0.637PbTi O3的配方,通过热失重-差热分析判断Sc2O3、Bi2O3、Pb3O4、Ti O2粉末混合物分解、化合反应点和预烧温度范围;运用... 研究了不同预烧温度对反应烧结0.363BiScO3-0.637PbTi O3陶瓷的微观结构及压电介电性能的影响。根据0.363BiScO3-0.637PbTi O3的配方,通过热失重-差热分析判断Sc2O3、Bi2O3、Pb3O4、Ti O2粉末混合物分解、化合反应点和预烧温度范围;运用XRD、SEM研究了不同预烧温度下制备陶瓷样品的微观结构;通过压电介电性能测试,确定出最佳预烧工艺条件。结果表明,最佳的预烧条件为740℃保温2 h。经1 080℃、2 h烧成陶瓷的压电常数d33=308 pC/N,机电耦合系数kp=0.437,介电常数ε3T3/ε0=1 560,介电损耗tanδ=0.021,退极化温度TD=460℃。在此工艺条件下,该陶瓷性能优良、制备重复性好,在高温压电陶瓷传感器、换能器等方面显示出实用化前景。 展开更多
关键词 高温压电陶瓷 BiScO3-PbTiO3 预烧温度 压电介电性能 高温压电换能器
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纳米CuInS_2光伏材料研究进展 被引量：2
3
作者 郭健勇 常钢 +2 位作者 邓泽燕 尚勋忠 何云斌 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第3期26-31,共6页
三元系铜铟硫CuInS2(CIS)以其良好的光伏性能,成为太阳能电池领域的研究热点。从CIS结构出发,综述了CIS纳米材料合成的物理、化学方法,主要包括高温热解法、热注入法、水热和溶剂热法等化学方法以及微波加热等方法,并讨论了各方法的优缺... 三元系铜铟硫CuInS2(CIS)以其良好的光伏性能,成为太阳能电池领域的研究热点。从CIS结构出发,综述了CIS纳米材料合成的物理、化学方法,主要包括高温热解法、热注入法、水热和溶剂热法等化学方法以及微波加热等方法,并讨论了各方法的优缺点,最后展望了CIS纳米材料的发展趋势。 展开更多
关键词 三元系 铜铟硫 纳米材料 太阳能电池
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一种叠层式压电陶瓷降压变压器 被引量：2
4
作者 张源伟 尚勋忠 +3 位作者 周桃生 何云斌 邝安祥 袁润章 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2000年第3期163-167,共5页
介绍了一种叠层式压电陶瓷降压变压器的基本结构、工作原理、等效电路以及通过等效电路法所计算的结果 ;介绍了这种变压器实验性样品目前已经达到的性能指标 ;介绍了制作这种变压器对材料性能的要求及研究现状。
关键词 压电陶瓷 降压陶瓷变压器 叠层式
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低温烧结改性PbTiO_3压电陶瓷材料的研究 被引量：10
5
作者 周桃生 彭炜 +2 位作者 尚勋忠 郑克玉 邝安祥 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2001年第2期106-109,共4页
研制了一种添加 Bi(Cd1 / 2 Ti1 / 2 ) O3、Mn O2 、Si O2 的新型低温烧结改性 Pb Ti O3压电陶瓷材料。实验发现 ,低熔物 Si O2 是影响烧结的主要因素 ,除能明显降低该材料烧结温度外 ,还能起掺杂改性作用。该材料具有低烧结温度、高压... 研制了一种添加 Bi(Cd1 / 2 Ti1 / 2 ) O3、Mn O2 、Si O2 的新型低温烧结改性 Pb Ti O3压电陶瓷材料。实验发现 ,低熔物 Si O2 是影响烧结的主要因素 ,除能明显降低该材料烧结温度外 ,还能起掺杂改性作用。该材料具有低烧结温度、高压电活性、大压电各向异性、较高机械品质因数及低介电常数等优点。 96 0°C烧成时主要性能参数为 :厚度机电耦合系数 kt=0 .49;径向机电耦合系数 kp=0 .0 2 7;压电各向异性比 kt/ kp=18;压电应变常数 d33=6 5 p C.N- 1 ;机械品质因素 Qm=5 14;密度 ρv=7.4g.cm- 3;居里温度 TC=312°C;介电常数 εT33/ ε0 =177;介质损耗 tanδ=0 .6 3%。该材料在叠层压电滤波器和叠层压电降压变压器方面显示出很好的应用前景。 展开更多
关键词 低温烧结 压电陶瓷 钛酸铅
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掺铟对(Bi0．5Na0．5)0．93Ba0．07TiO3压电陶瓷的影响 被引量：1
6
作者 周桃生 黄荣厦 +3 位作者 尚勋忠 顾豪爽 郭健勇 柴荔英 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2008年第1期64-66,共3页
采用直接反应烧结法制备掺铟的(Bi0.5Na0.5)0.93Ba0.07TiO3无铅压电陶瓷,研究了铟掺杂对(Bi0.5Na0.5)1-xBaxTiO3(BNBT)压电陶瓷压电性能、相组成及显微组织的影响。结果表明,添加适量的氧化铟后,该陶瓷仍为纯钙钛矿相结构,其材料组成在... 采用直接反应烧结法制备掺铟的(Bi0.5Na0.5)0.93Ba0.07TiO3无铅压电陶瓷,研究了铟掺杂对(Bi0.5Na0.5)1-xBaxTiO3(BNBT)压电陶瓷压电性能、相组成及显微组织的影响。结果表明,添加适量的氧化铟后,该陶瓷仍为纯钙钛矿相结构,其材料组成在准同型相界处三方相减少,四方相增加;适量铟掺杂可抑制晶粒长大,有利于晶粒均匀生长,增大晶粒各向异性。当掺杂氧化铟的质量分数为0.16%时,获得了高的压电参数,其压电常数d33达到205 pC/N,厚度机电耦合系数kt、厚度与径向耦合系数之比kt/kp分别达到0.5、2.77。 展开更多
关键词 无铅压电陶瓷 (Bi0.5Na0.5)0.93Ba0.07TiO3 铟掺杂 直接反应烧结
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RTD与HBT单片集成研究
7
作者 胡海蓉 牛萍娟 +6 位作者 刘宏伟 郭维廉 许丹 于欣 王文新 尚勋忠 吴曙东 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2005年第4期456-459,516,共5页
设计并研制了共振隧穿二极管(RTD)与异质结双极晶体管(HBT)单片集成负阻逻辑单元。详细介绍了逻辑单元的材料结构及工艺流程的设计过程,得到了较好的负阻特性,其开启电压1V左右,峰谷比大于2∶1。同时建立了负阻逻辑单元的模型,通过Pspic... 设计并研制了共振隧穿二极管(RTD)与异质结双极晶体管(HBT)单片集成负阻逻辑单元。详细介绍了逻辑单元的材料结构及工艺流程的设计过程,得到了较好的负阻特性,其开启电压1V左右,峰谷比大于2∶1。同时建立了负阻逻辑单元的模型,通过Pspice模拟结果表明与实际逻辑单元特性吻合良好。 展开更多
关键词 共振隧穿二极管 异质结双极晶体管 单片集成 负阻逻辑单元
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水热法制备高结晶度分散性铌酸钾钠粉体 被引量：2
8
作者 徐健 杨发明 +3 位作者 罗镅 曾晓梅 周桃生 尚勋忠 《胶体与聚合物》 2017年第4期164-166,共3页
采用水热法制得纯钙钛矿相的(K_(0.5)Na_(0.5)NbO_3(KNN)超细粉体,并探索超声分散和水热反应时间对该无铅压电陶瓷KNN粉体颗粒大小以及颗粒相结构的影响。通过X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)对所得铌酸钾钠粉体的结构、颗粒大小进行了... 采用水热法制得纯钙钛矿相的(K_(0.5)Na_(0.5)NbO_3(KNN)超细粉体,并探索超声分散和水热反应时间对该无铅压电陶瓷KNN粉体颗粒大小以及颗粒相结构的影响。通过X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)对所得铌酸钾钠粉体的结构、颗粒大小进行了测试与表征。结果表明,经过750℃保温1h得到的粉体粒径细小,呈现纯钙钛矿结构;适当延长水热反应时间有利于结晶度的提高;超声处理有利于得到高分散性的粉体。 展开更多
关键词 压电陶瓷 铌酸钾钠 水热法 结晶度 超声处理
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高d_(33)·g_(33)PZT压电陶瓷的制备
9
作者 彭江古丽 束伟 +1 位作者 张卫 尚勋忠 《胶体与聚合物》 2014年第3期112-114,128,共4页
通过传统固相烧结方法,研究不同Sb2O3掺入量和有机粘合剂聚乙烯醇(PVA)掺入对锆钛酸铅(PZT)压电陶瓷性能的影响,制备了高d33·g33PZT压电陶瓷。采用扫描电子显微镜,阻抗分析仪,压电参数分析手段,对PZT压电陶瓷的性能进行了测试,结果... 通过传统固相烧结方法,研究不同Sb2O3掺入量和有机粘合剂聚乙烯醇(PVA)掺入对锆钛酸铅(PZT)压电陶瓷性能的影响,制备了高d33·g33PZT压电陶瓷。采用扫描电子显微镜,阻抗分析仪,压电参数分析手段,对PZT压电陶瓷的性能进行了测试,结果为:机电耦合系数Kp=63.5%,介电损耗tanδ=0.018,相对介电系数εr=2004,压电性能d33=512pC/N,g33=29×10-3Vm/N,d33·g33=14.62pC·Vm/N2。该材料可应用于多个领域。 展开更多
关键词 锆钛酸铅 聚乙烯醇 压电性能
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Properties of InGaP／GaAs Grown by Solid-Source Molecular Beam Epitaxy with a GaP Decomposition Source
10
作者 尚勋忠 牛萍娟 +4 位作者 吴曙东 王文新 郭丽伟 黄绮 周均铭 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2003年第9期1616-1618,共3页
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