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铝诱导晶化真空蒸镀多晶硅薄膜的研究
被引量:
8
1
作者
王宙
曹健
+1 位作者
室谷贵之
付传起
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第5期573-575,共3页
采用真空蒸镀的方法在玻璃衬底上沉积1层非晶硅薄膜,再通过铝诱导晶化的方法制备出晶粒分布较均匀、晶粒尺寸0.5~5μm、晶化率达到89%的多晶硅薄膜。研究了衬底距离、衬底温度、退火温度对薄膜表面形貌、晶粒尺寸和分布及晶化率的影响...
采用真空蒸镀的方法在玻璃衬底上沉积1层非晶硅薄膜,再通过铝诱导晶化的方法制备出晶粒分布较均匀、晶粒尺寸0.5~5μm、晶化率达到89%的多晶硅薄膜。研究了衬底距离、衬底温度、退火温度对薄膜表面形貌、晶粒尺寸和分布及晶化率的影响。结果表明适中的衬底距离下得到的薄膜晶粒分布均匀,表面平整度好,薄膜厚度较大。薄膜的晶化率随着衬底温度和退火温度的提高而增大;随着退火温度的进一步提高,薄膜的晶化率达到最大值然后降低。
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关键词
多晶硅薄膜
铝诱导晶化
衬底温度
退火温度
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职称材料
真空蒸镀锗掺杂多晶硅薄膜的研究
被引量:
3
2
作者
王宙
何旭
+3 位作者
付传起
室谷贵之
杨萍
曹健
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第11期1110-1113,共4页
为了进一步提高多晶硅薄膜的晶化率,采用真空蒸镀的方法在玻璃衬底上制备了掺杂稀土锗的多晶硅薄膜。用扫描电子显微镜(KYKY-1000B)和显微激光拉曼光谱仪(JY Labram HR 800)分析研究了不同掺杂分数的锗成分对掺锗多晶硅薄膜的表面形貌...
为了进一步提高多晶硅薄膜的晶化率,采用真空蒸镀的方法在玻璃衬底上制备了掺杂稀土锗的多晶硅薄膜。用扫描电子显微镜(KYKY-1000B)和显微激光拉曼光谱仪(JY Labram HR 800)分析研究了不同掺杂分数的锗成分对掺锗多晶硅薄膜的表面形貌、组织结构及薄膜晶化率的影响。结果表明:随着锗掺杂分数的增加薄膜表面更加平整、晶粒粒径变大分布更加均匀,晶化率升高;当掺杂分数为1%时,薄膜表面晶粒尺寸可达1μm、晶化率达到87.37%;但当掺杂分数超过1%,镀层表面又变得粗糙、部分晶粒发生变形、晶化率降低。这说明适量锗的掺入可以改善多晶硅薄膜表面平整度,促进薄膜表面晶粒的形成和长大,提高薄膜晶化率。
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关键词
真空蒸镀
多晶硅薄膜
锗掺杂
晶化率
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职称材料
真空蒸镀多晶硅薄膜工艺对其组织和性能的影响
被引量:
2
3
作者
曹健
王宙
+1 位作者
室谷贵之
付传起
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第2期83-85,共3页
采用真空蒸镀并退火的方法制备多晶硅薄膜,采用透射电子显微镜对退火前后的样品进行了表征,通过原子力显微镜观察了薄膜的形貌,并测试了薄膜的耐压性能,分析了基板温度、基板距离和退火工艺对薄膜组织和性能的影响。实验结果表明:真空...
采用真空蒸镀并退火的方法制备多晶硅薄膜,采用透射电子显微镜对退火前后的样品进行了表征,通过原子力显微镜观察了薄膜的形貌,并测试了薄膜的耐压性能,分析了基板温度、基板距离和退火工艺对薄膜组织和性能的影响。实验结果表明:真空蒸镀所得薄膜为非晶硅薄膜,退火处理可使其多晶化,晶粒尺寸达0.5μm;基板温度120℃、基板距离60 mm为最佳工艺条件,采用该工艺所得多晶硅薄膜的耐压值可达384.2 V。
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关键词
真空蒸镀
退火
多晶硅薄膜
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职称材料
燃烧反应合成Al-Cu基吸声材料
4
作者
赵明华
王宙
+3 位作者
室谷贵之
李昊涵
付传起
李斌
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第12期2041-2043,共3页
使用以Al粉、Cu粉混合,添加NaCl或无水K2CO3的混合配比,并采用燃烧反应合成的方法制备了规则的、具有良好吸声性能的开孔Al-Cu吸声材料。采用扫面电镜及X射线衍射对样品进行表征,并使用驻波管法测其吸声系数。实验结果表明:随着NaCl或无...
使用以Al粉、Cu粉混合,添加NaCl或无水K2CO3的混合配比,并采用燃烧反应合成的方法制备了规则的、具有良好吸声性能的开孔Al-Cu吸声材料。采用扫面电镜及X射线衍射对样品进行表征,并使用驻波管法测其吸声系数。实验结果表明:随着NaCl或无水K2CO3含量的增加,Al-Cu吸声材料的孔隙率及吸声系数随之增加;造孔剂为无水K2CO3的Al-Cu吸声材料,其吸声性能高于造孔剂为NaCl的;在反应过程中,没有Al、Cu单质残留,完全形成了Al-Cu金属间化合物。超声清洗后NaCl、无水K2CO3均充分溶解。
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关键词
燃烧反应合成
Al-Cu基吸声材料
吸声系数
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职称材料
燃烧反应合成Ni-Al-SiC摩擦磨损性能研究
被引量:
1
5
作者
王宙
李昊涵
+2 位作者
室
谷
貴之
赵明华
付传起
《表面技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第1期45-47,共3页
采用燃烧反应合成方法,在球墨铸铁表面制备Ni-Al-SiC金属间化合物复合涂层,通过加入SiC粒子来改善Ni-Al系金属间化合物的摩擦磨损性能。试验结果表明:随着载荷的提高,磨损量增加,摩擦因数减小;随着SiC粒子含量的增加,硬度增加,磨损量降...
采用燃烧反应合成方法,在球墨铸铁表面制备Ni-Al-SiC金属间化合物复合涂层,通过加入SiC粒子来改善Ni-Al系金属间化合物的摩擦磨损性能。试验结果表明:随着载荷的提高,磨损量增加,摩擦因数减小;随着SiC粒子含量的增加,硬度增加,磨损量降低;在燃烧反应的过程中,随着烧结压强的增加,硬度有明显提高。由此得出结论:SiC粒子的加入,明显改善了Ni-Al系金属间化合物的摩擦磨损性能,并且提高了材料的硬度。
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关键词
燃烧反应合成
Ni—Al-SiC
复合涂层
摩擦因数
磨损量
金属间化合物
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职称材料
题名
铝诱导晶化真空蒸镀多晶硅薄膜的研究
被引量:
8
1
作者
王宙
曹健
室谷贵之
付传起
机构
大连大学表面工程中心
大连大学机械工程学院
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第5期573-575,共3页
文摘
采用真空蒸镀的方法在玻璃衬底上沉积1层非晶硅薄膜,再通过铝诱导晶化的方法制备出晶粒分布较均匀、晶粒尺寸0.5~5μm、晶化率达到89%的多晶硅薄膜。研究了衬底距离、衬底温度、退火温度对薄膜表面形貌、晶粒尺寸和分布及晶化率的影响。结果表明适中的衬底距离下得到的薄膜晶粒分布均匀,表面平整度好,薄膜厚度较大。薄膜的晶化率随着衬底温度和退火温度的提高而增大;随着退火温度的进一步提高,薄膜的晶化率达到最大值然后降低。
关键词
多晶硅薄膜
铝诱导晶化
衬底温度
退火温度
Keywords
polycrystalline silicon thin film
aluminum-induced crystallization
substrate temperature
annealing temperature
分类号
TB34 [一般工业技术—材料科学与工程]
O484.1 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
真空蒸镀锗掺杂多晶硅薄膜的研究
被引量:
3
2
作者
王宙
何旭
付传起
室谷贵之
杨萍
曹健
机构
大连大学表面工程中心
出处
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第11期1110-1113,共4页
文摘
为了进一步提高多晶硅薄膜的晶化率,采用真空蒸镀的方法在玻璃衬底上制备了掺杂稀土锗的多晶硅薄膜。用扫描电子显微镜(KYKY-1000B)和显微激光拉曼光谱仪(JY Labram HR 800)分析研究了不同掺杂分数的锗成分对掺锗多晶硅薄膜的表面形貌、组织结构及薄膜晶化率的影响。结果表明:随着锗掺杂分数的增加薄膜表面更加平整、晶粒粒径变大分布更加均匀,晶化率升高;当掺杂分数为1%时,薄膜表面晶粒尺寸可达1μm、晶化率达到87.37%;但当掺杂分数超过1%,镀层表面又变得粗糙、部分晶粒发生变形、晶化率降低。这说明适量锗的掺入可以改善多晶硅薄膜表面平整度,促进薄膜表面晶粒的形成和长大,提高薄膜晶化率。
关键词
真空蒸镀
多晶硅薄膜
锗掺杂
晶化率
Keywords
Vacuum evaporation
Polycrystalline thin film
Ge-doping
Crystalline volume fraction
分类号
TB34 [一般工业技术—材料科学与工程]
O484.1 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
真空蒸镀多晶硅薄膜工艺对其组织和性能的影响
被引量:
2
3
作者
曹健
王宙
室谷贵之
付传起
机构
大连大学表面工程中心
出处
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第2期83-85,共3页
文摘
采用真空蒸镀并退火的方法制备多晶硅薄膜,采用透射电子显微镜对退火前后的样品进行了表征,通过原子力显微镜观察了薄膜的形貌,并测试了薄膜的耐压性能,分析了基板温度、基板距离和退火工艺对薄膜组织和性能的影响。实验结果表明:真空蒸镀所得薄膜为非晶硅薄膜,退火处理可使其多晶化,晶粒尺寸达0.5μm;基板温度120℃、基板距离60 mm为最佳工艺条件,采用该工艺所得多晶硅薄膜的耐压值可达384.2 V。
关键词
真空蒸镀
退火
多晶硅薄膜
Keywords
vacuum evaporation
annealing
polycrystalline silicon thin film
分类号
TG174.444 [金属学及工艺—金属表面处理]
O484.4 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
燃烧反应合成Al-Cu基吸声材料
4
作者
赵明华
王宙
室谷贵之
李昊涵
付传起
李斌
机构
大连大学表面工程中心
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第12期2041-2043,共3页
文摘
使用以Al粉、Cu粉混合,添加NaCl或无水K2CO3的混合配比,并采用燃烧反应合成的方法制备了规则的、具有良好吸声性能的开孔Al-Cu吸声材料。采用扫面电镜及X射线衍射对样品进行表征,并使用驻波管法测其吸声系数。实验结果表明:随着NaCl或无水K2CO3含量的增加,Al-Cu吸声材料的孔隙率及吸声系数随之增加;造孔剂为无水K2CO3的Al-Cu吸声材料,其吸声性能高于造孔剂为NaCl的;在反应过程中,没有Al、Cu单质残留,完全形成了Al-Cu金属间化合物。超声清洗后NaCl、无水K2CO3均充分溶解。
关键词
燃烧反应合成
Al-Cu基吸声材料
吸声系数
Keywords
self-propagating high-temperature synthesis
Al-Cu-based sound-absorbing materials
absorption coefficient
分类号
TB34 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
燃烧反应合成Ni-Al-SiC摩擦磨损性能研究
被引量:
1
5
作者
王宙
李昊涵
室
谷
貴之
赵明华
付传起
机构
大连大学表面工程中心
出处
《表面技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第1期45-47,共3页
文摘
采用燃烧反应合成方法,在球墨铸铁表面制备Ni-Al-SiC金属间化合物复合涂层,通过加入SiC粒子来改善Ni-Al系金属间化合物的摩擦磨损性能。试验结果表明:随着载荷的提高,磨损量增加,摩擦因数减小;随着SiC粒子含量的增加,硬度增加,磨损量降低;在燃烧反应的过程中,随着烧结压强的增加,硬度有明显提高。由此得出结论:SiC粒子的加入,明显改善了Ni-Al系金属间化合物的摩擦磨损性能,并且提高了材料的硬度。
关键词
燃烧反应合成
Ni—Al-SiC
复合涂层
摩擦因数
磨损量
金属间化合物
Keywords
Self propagation high temperature synthesis
Ni-Al-SiC
Composite coating
Friction coefficient
Wear loss weight
Intermetallic compound
分类号
TQ153.2 [化学工程—电化学工业]
TH117.1 [机械工程—机械设计及理论]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
铝诱导晶化真空蒸镀多晶硅薄膜的研究
王宙
曹健
室谷贵之
付传起
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
8
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职称材料
2
真空蒸镀锗掺杂多晶硅薄膜的研究
王宙
何旭
付传起
室谷贵之
杨萍
曹健
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
3
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职称材料
3
真空蒸镀多晶硅薄膜工艺对其组织和性能的影响
曹健
王宙
室谷贵之
付传起
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011
2
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职称材料
4
燃烧反应合成Al-Cu基吸声材料
赵明华
王宙
室谷贵之
李昊涵
付传起
李斌
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009
0
在线阅读
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职称材料
5
燃烧反应合成Ni-Al-SiC摩擦磨损性能研究
王宙
李昊涵
室
谷
貴之
赵明华
付传起
《表面技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009
1
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职称材料
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