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CuO薄膜的制备及其光伏特性 被引量:3
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作者 张君善 郭林肖 +3 位作者 高斐 刘晓静 宋美周 李宁 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第6期700-703,共4页
通过反应磁控溅射在n型硅和玻璃衬底上制备了p型CuO薄膜.使用X射线衍射仪和紫外-可见光-近红外光度计研究了p型CuO薄膜的结构和光学特性,得出其平均晶粒尺寸和光学带隙分别为8nm和1.36eV.通过研究其电压-电流关系确定了在p型CuO薄膜和n... 通过反应磁控溅射在n型硅和玻璃衬底上制备了p型CuO薄膜.使用X射线衍射仪和紫外-可见光-近红外光度计研究了p型CuO薄膜的结构和光学特性,得出其平均晶粒尺寸和光学带隙分别为8nm和1.36eV.通过研究其电压-电流关系确定了在p型CuO薄膜和n型硅衬底之间形成了p-n结.在AM 1.5光照条件下p-CuO/n-Si电池的开路电压为0.33V,短路电流密度为6.27mA/cm2,填充因数和能量转化效率分别为0.2和0.41%. 展开更多
关键词 CuO薄膜 磁控溅射 P-N结 光伏特性
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银纳米颗粒的制备及其光散射特性 被引量:1
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作者 李宁 高斐 +2 位作者 宋美周 刘庭卓 刘生忠 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期665-667,共3页
采用热蒸发的方法在玻璃衬底上蒸镀厚度为32 nm的银薄膜,在氮气中退火形成银纳米颗粒。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)研究了不同退火温度对银纳米颗粒的结晶特性和形貌的影响,并用光散射仪研究了其光... 采用热蒸发的方法在玻璃衬底上蒸镀厚度为32 nm的银薄膜,在氮气中退火形成银纳米颗粒。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)研究了不同退火温度对银纳米颗粒的结晶特性和形貌的影响,并用光散射仪研究了其光散射特性。结果表明,随着退火温度的升高,银薄膜从连续状逐渐变为分离状。在退火温度为400℃时形成完全分离的半球颗粒,颗粒大小集中在360 nm左右,平均高度约为250 nm,在散射角大于25°时,银纳米颗粒对光的散射较强。 展开更多
关键词 银纳米颗粒 表面形貌 热蒸发 退火 光散射
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铝膜表面周期性纳米坑织构的制备
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作者 宋美周 高斐 +3 位作者 刘生忠 李宁 刘晓静 杨波 《陕西师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2013年第6期38-41,共4页
采用一次阳极氧化铝的方法分别在草酸、磷酸和柠檬酸溶液中制备了多孔阳极氧化铝膜,腐蚀掉铝片表面的氧化铝膜,铝片表面留下周期性纳米坑织构.利用扫描电子显微镜分析不同阳极氧化条件下铝膜的表面形貌,结果表明:铝片表面有序的六角阵... 采用一次阳极氧化铝的方法分别在草酸、磷酸和柠檬酸溶液中制备了多孔阳极氧化铝膜,腐蚀掉铝片表面的氧化铝膜,铝片表面留下周期性纳米坑织构.利用扫描电子显微镜分析不同阳极氧化条件下铝膜的表面形貌,结果表明:铝片表面有序的六角阵列的纳米坑形成,坑的孔径大小随阳极氧化电压的升高而增大.铝片阳极氧化电压为300V,在浓度为4%柠檬酸中氧化2h,坑孔径达到785nm.使用光散射仪测量样品的光散射谱并研究样品对光的散射特性,散射光的强度随着散射角的增大而减小,铝膜表面纳米坑孔径越大对光散射越强. 展开更多
关键词 多孔氧化铝膜 阳极氧化 铝纳米坑 光散射
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通过热氧化Cu制备CuO纳米线
4
作者 宋美周 高斐 +2 位作者 刘生忠 李宁 张君善 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第8期1354-1356,1371,共4页
通过在空气中热氧化Cu片制备CuO纳米线,研究了不同氧化温度对CuO纳米线形貌的影响。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)分析不同温度下CuO纳米线的结构、形貌,结果表明氧化温度对CuO纳米线的直径和长度有较大的影响,在600℃的... 通过在空气中热氧化Cu片制备CuO纳米线,研究了不同氧化温度对CuO纳米线形貌的影响。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)分析不同温度下CuO纳米线的结构、形貌,结果表明氧化温度对CuO纳米线的直径和长度有较大的影响,在600℃的条件下获得的CuO纳米线直径为140 nm、长度为4μm,600℃为CuO纳米线的最佳的生长温度。用扫描电子显微镜(SEM)和能量色散X射线光谱仪(EDX)分析样品的横截面,得到氧化产物呈层状分布,分别为CuO纳米线、CuO层、Cu2O层。 展开更多
关键词 热氧化 Cu片 CuO纳米线 Cu20O
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多层Ge纳米晶镶嵌Si基薄膜制备与光学特性
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作者 刘晓静 高斐 +4 位作者 赵卓斋 孙文超 张君善 宋美周 李宁 《陕西师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2012年第5期23-26,共4页
采用超晶格方法,利用射频磁控共溅射及在N2气氛中退火技术,制备了多层Ge纳米晶(Ge-ncs)镶嵌Si基复合薄膜(Ge-ncs+SiO2/GeO2).同时采用椭圆偏振光谱法,研究了Ge-ncs的光学性质,并用sp3紧束缚理论模式,解释了Ge-ncs带隙宽化现象.结果表明... 采用超晶格方法,利用射频磁控共溅射及在N2气氛中退火技术,制备了多层Ge纳米晶(Ge-ncs)镶嵌Si基复合薄膜(Ge-ncs+SiO2/GeO2).同时采用椭圆偏振光谱法,研究了Ge-ncs的光学性质,并用sp3紧束缚理论模式,解释了Ge-ncs带隙宽化现象.结果表明:用超晶格方法制备的多层Ge-ncs具有密度高、尺寸和位置分布均匀的优点,纳米晶平均尺寸为9.8nm.复合薄膜(Ge-ncs+SiO2/GeO2)具有正常色散的特性,且在1 340nm处具有较强烈的吸收特性;Ge-ncs的光学带隙为0.82eV,与块体Ge材料相比,Ge-ncs吸收谱显示出0.16eV的带隙宽化.这种现象主要是由Ge-ncs中的量子限制效应导致的,采用sp3紧束缚理论模式可得到很好解释. 展开更多
关键词 多层Ge纳米晶 磁控溅射 椭圆偏振光谱法 光学特性 量子限域效应
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