运用工作在亚阈值区的MOS管产生了一个温度系数良好的基准电压,同时在输出支路使用共源共栅结构,使该基准电压源的电源抑制比得到有效提高。基于0.18μm CMOS工艺,使用Cadence中Spectre环境进行仿真,在标准TT工艺下,该基准电压源在-40~...运用工作在亚阈值区的MOS管产生了一个温度系数良好的基准电压,同时在输出支路使用共源共栅结构,使该基准电压源的电源抑制比得到有效提高。基于0.18μm CMOS工艺,使用Cadence中Spectre环境进行仿真,在标准TT工艺下,该基准电压源在-40~125℃的温度范围内,基准电压的变化仅为1.627 m V,温度系数为9.56×10;/℃,电源抑制比为-72.11 d B,使用5 V电源电压供电时,此基准电压源整体只消耗了164.8 n A的电流,功耗仅为0.824μW。该基准电路不仅结构简单,还具有低功耗、高电源抑制比、无运放结构的优点。展开更多
文摘运用工作在亚阈值区的MOS管产生了一个温度系数良好的基准电压,同时在输出支路使用共源共栅结构,使该基准电压源的电源抑制比得到有效提高。基于0.18μm CMOS工艺,使用Cadence中Spectre环境进行仿真,在标准TT工艺下,该基准电压源在-40~125℃的温度范围内,基准电压的变化仅为1.627 m V,温度系数为9.56×10;/℃,电源抑制比为-72.11 d B,使用5 V电源电压供电时,此基准电压源整体只消耗了164.8 n A的电流,功耗仅为0.824μW。该基准电路不仅结构简单,还具有低功耗、高电源抑制比、无运放结构的优点。
