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高性能512×2元线列InGaAs短波红外探测器
1
作者
朱琴
范明国
+4 位作者
宋欣波
齐浩泽
方莉媛
管涛
龚晓霞
《红外技术》
CSCD
北大核心
2024年第7期826-830,共5页
针对色选行业对高均匀性、低暗电流、低盲元率的线列InGaAs短波红外探测器的迫切需求,本文基于MOCVD生长的n-i-n型InP/InGaAs/InP外延材料,采用扩散、钝化膜制备、电极生长等工艺,制备了512×2元线列InGaAs短波红外探测器。通过优...
针对色选行业对高均匀性、低暗电流、低盲元率的线列InGaAs短波红外探测器的迫切需求,本文基于MOCVD生长的n-i-n型InP/InGaAs/InP外延材料,采用扩散、钝化膜制备、电极生长等工艺,制备了512×2元线列InGaAs短波红外探测器。通过优化器件结构及钝化膜制备工艺,器件暗电流得到了有效的抑制;通过对倒装互联工艺参数进行优化,实现了高可靠性、高连通率的512×2元线列探测器的制备。室温下(25℃)对探测器组件进行测试,其峰值探测率为1.13×10^(12) cm×Hz^(1/2)/W,暗电流密度为12.8 nA/cm^(2),有效像元率≥99.5%,响应非均匀性低至0.63%。
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关键词
INGAAS
钝化
暗电流
倒装互联
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职称材料
用EBIC法观察InSb半导体器件中的p-n结
被引量：
3
2
作者
孙祥乐
高思伟
+7 位作者
毛渲
龚晓霞
余黎静
宋欣波
柴圆媛
尚发兰
信思树
太云见
《红外技术》
CSCD
北大核心
2019年第8期742-749,共8页
能够直观地“看到”半导体材料中制作的p-n结,对于半导体器件的设计和制造工艺很有意义,知道p-n结的厚度及其在样品中的位置,有利于设计器件的结构、保护膜的厚度、电极的尺寸等,也可以优化离子注入、表面处理、电路互联等工艺参数。本...
能够直观地“看到”半导体材料中制作的p-n结,对于半导体器件的设计和制造工艺很有意义,知道p-n结的厚度及其在样品中的位置,有利于设计器件的结构、保护膜的厚度、电极的尺寸等,也可以优化离子注入、表面处理、电路互联等工艺参数。本文用EBIC(电子束诱生电流)法观察了InSb半导体器件中的p-n结。同时观察到了器件中的肖特基结,其中肖特基结显示出明显的温度特性:温度降低,肖特基结响应区域扩大,温度降至80K,Cr-InSb肖特基结响应区域可扩展至47μm。用离子注入法在InSb材料中制成的p-n结其空间电荷区并不呈对称的空间分布,靠n区一侧的空间电荷区较薄,电荷密度较大,靠p区一侧的空间电荷区较厚,电荷密度相对较小。作为一种常用的观察分析工具,EBIC法在观察分析半导体器件结构方面有透视和显微等优点。
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关键词
电子束诱生电流
肖特基结
P-N结
InSb半导体器件
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职称材料
题名
高性能512×2元线列InGaAs短波红外探测器
1
作者
朱琴
范明国
宋欣波
齐浩泽
方莉媛
管涛
龚晓霞
机构
昆明物理研究所
出处
《红外技术》
CSCD
北大核心
2024年第7期826-830,共5页
文摘
针对色选行业对高均匀性、低暗电流、低盲元率的线列InGaAs短波红外探测器的迫切需求,本文基于MOCVD生长的n-i-n型InP/InGaAs/InP外延材料,采用扩散、钝化膜制备、电极生长等工艺,制备了512×2元线列InGaAs短波红外探测器。通过优化器件结构及钝化膜制备工艺,器件暗电流得到了有效的抑制;通过对倒装互联工艺参数进行优化,实现了高可靠性、高连通率的512×2元线列探测器的制备。室温下(25℃)对探测器组件进行测试,其峰值探测率为1.13×10^(12) cm×Hz^(1/2)/W,暗电流密度为12.8 nA/cm^(2),有效像元率≥99.5%,响应非均匀性低至0.63%。
关键词
INGAAS
钝化
暗电流
倒装互联
Keywords
InGaAs
passivation
dark current
flip chip interconnection
分类号
TN215 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
用EBIC法观察InSb半导体器件中的p-n结
被引量：
3
2
作者
孙祥乐
高思伟
毛渲
龚晓霞
余黎静
宋欣波
柴圆媛
尚发兰
信思树
太云见
机构
昆明物理研究所
浙江大学硅材料国家重点实验室
出处
《红外技术》
CSCD
北大核心
2019年第8期742-749,共8页
文摘
能够直观地“看到”半导体材料中制作的p-n结,对于半导体器件的设计和制造工艺很有意义,知道p-n结的厚度及其在样品中的位置,有利于设计器件的结构、保护膜的厚度、电极的尺寸等,也可以优化离子注入、表面处理、电路互联等工艺参数。本文用EBIC(电子束诱生电流)法观察了InSb半导体器件中的p-n结。同时观察到了器件中的肖特基结,其中肖特基结显示出明显的温度特性:温度降低,肖特基结响应区域扩大,温度降至80K,Cr-InSb肖特基结响应区域可扩展至47μm。用离子注入法在InSb材料中制成的p-n结其空间电荷区并不呈对称的空间分布,靠n区一侧的空间电荷区较薄,电荷密度较大,靠p区一侧的空间电荷区较厚,电荷密度相对较小。作为一种常用的观察分析工具,EBIC法在观察分析半导体器件结构方面有透视和显微等优点。
关键词
电子束诱生电流
肖特基结
P-N结
InSb半导体器件
Keywords
electron beam induced current
Schottky junction
p-n junction
InSb device
分类号
TN219 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高性能512×2元线列InGaAs短波红外探测器
朱琴
范明国
宋欣波
齐浩泽
方莉媛
管涛
龚晓霞
《红外技术》
CSCD
北大核心
2024
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
用EBIC法观察InSb半导体器件中的p-n结
孙祥乐
高思伟
毛渲
龚晓霞
余黎静
宋欣波
柴圆媛
尚发兰
信思树
太云见
《红外技术》
CSCD
北大核心
2019
3
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职称材料
已选择
0
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引证文献
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