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高亮度LED中ODR反光镜反射率温度特性研究
1
作者
宋欣原
邹德恕
+2 位作者
张剑铭
刘思南
沈光地
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第3期396-399,共4页
对Al/SiO2、Al/ITO、Au/SiO2、Au/ITO构成的ODR(Omni-directional reflector)结构,对应400～800 nm的不同波长,在不同温度下,对于反光镜的反射率的影响,进行了研究。提出了在460 nm的蓝光波段,Al/SiO2合金温度在500～700 K时,反射率会...
对Al/SiO2、Al/ITO、Au/SiO2、Au/ITO构成的ODR(Omni-directional reflector)结构,对应400～800 nm的不同波长,在不同温度下,对于反光镜的反射率的影响,进行了研究。提出了在460 nm的蓝光波段,Al/SiO2合金温度在500～700 K时,反射率会达到最小值,温度在700 K以上时,又到常温值,且略微增加;Al/ITO反射率是随着温度变化单调下降的,因此要在Al反光镜的表面采用Ti/Al/Ti/Au的结构,改善反光镜的特性;620 nm的红光波段,Au/SiO2和Au/ITO的合金温度在700 K时,具有最理想的反射率,且Au/SiO2结构的反射效果要优于Au/ITO结构。用实验的方式进行了验证,分析了可能造成反射率变化的原因。
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关键词
退火
反射率
全方位反光镜结构
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职称材料
AlGaInP发光二极管的全方位反射镜研究
被引量：
2
2
作者
高伟
邹德恕
+3 位作者
郭伟玲
宋欣原
孙浩
沈光地
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第4期537-539,共3页
全方位反射镜(ODR)AlGaInP发光二极管能够有效提高光提取效率。对全方位反射镜的设计及工艺进行优化:采用λ/4n厚的SiO2作为介质,光刻腐蚀导电孔,带胶保护,溅射AuZnAu,剥离后,再溅射300nmAu层,形成的ODR退火后在波长630nm处的反射率为72...
全方位反射镜(ODR)AlGaInP发光二极管能够有效提高光提取效率。对全方位反射镜的设计及工艺进行优化:采用λ/4n厚的SiO2作为介质,光刻腐蚀导电孔,带胶保护,溅射AuZnAu,剥离后,再溅射300nmAu层,形成的ODR退火后在波长630nm处的反射率为72.1%,而单次溅射AuZnAu的反射率退火后为63.2%。实验结果说明新工艺满足了欧姆接触的需要,反射率提高了8.8%。
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关键词
铝镓铟磷
发光二极管
全方位反射镜
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职称材料
题名
高亮度LED中ODR反光镜反射率温度特性研究
1
作者
宋欣原
邹德恕
张剑铭
刘思南
沈光地
机构
北京工业大学
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第3期396-399,共4页
基金
国家973计划(20000683-02)
北京市教委项目(2002kj018)
+2 种基金
北工大博士启动基金(kz0204200387)
国家自然科学基金(60407009)
北京自然科学基金(4032007)
文摘
对Al/SiO2、Al/ITO、Au/SiO2、Au/ITO构成的ODR(Omni-directional reflector)结构,对应400～800 nm的不同波长,在不同温度下,对于反光镜的反射率的影响,进行了研究。提出了在460 nm的蓝光波段,Al/SiO2合金温度在500～700 K时,反射率会达到最小值,温度在700 K以上时,又到常温值,且略微增加;Al/ITO反射率是随着温度变化单调下降的,因此要在Al反光镜的表面采用Ti/Al/Ti/Au的结构,改善反光镜的特性;620 nm的红光波段,Au/SiO2和Au/ITO的合金温度在700 K时,具有最理想的反射率,且Au/SiO2结构的反射效果要优于Au/ITO结构。用实验的方式进行了验证,分析了可能造成反射率变化的原因。
关键词
退火
反射率
全方位反光镜结构
Keywords
anneal
reflectivity
omni-directional reflector structure
分类号
TN312.8 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
AlGaInP发光二极管的全方位反射镜研究
被引量：
2
2
作者
高伟
邹德恕
郭伟玲
宋欣原
孙浩
沈光地
机构
北京工业大学 北京市光电子技术实验室
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第4期537-539,共3页
基金
北京市人才强教计划项目(批准号:05002015200504)
北京市科委高效高亮度单芯片半导体照明器件的研发与产业化(批准号:D0404003040221)
北京工业大学研究生科技基金(编号YKJ-2007-1586)资助
文摘
全方位反射镜(ODR)AlGaInP发光二极管能够有效提高光提取效率。对全方位反射镜的设计及工艺进行优化:采用λ/4n厚的SiO2作为介质,光刻腐蚀导电孔,带胶保护,溅射AuZnAu,剥离后,再溅射300nmAu层,形成的ODR退火后在波长630nm处的反射率为72.1%,而单次溅射AuZnAu的反射率退火后为63.2%。实验结果说明新工艺满足了欧姆接触的需要,反射率提高了8.8%。
关键词
铝镓铟磷
发光二极管
全方位反射镜
Keywords
AIGaInP
light emitting diode
omni directional reflector
分类号
TN313 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高亮度LED中ODR反光镜反射率温度特性研究
宋欣原
邹德恕
张剑铭
刘思南
沈光地
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2008
0
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职称材料
2
AlGaInP发光二极管的全方位反射镜研究
高伟
邹德恕
郭伟玲
宋欣原
孙浩
沈光地
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2008
2
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职称材料
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