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反应溅射 Ge_XC_(1-X) 薄膜的沉积速率
被引量：
1
1
作者
刘正堂
朱景芝
+1 位作者
宋建权
郑修麟
《材料工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998年第2期6-8,共3页
系统地研究了射频磁控反应溅射中工艺参数对ＧｅＸＣ１－Ｘ薄膜沉积速率的影响。结果表明，当气体流量比超过某值后，沉积速率有较大的下降。沉积速率随射频功率的增大而增大。某工作气压下有沉积速率的最大值。薄膜厚度随时间的增长规...
系统地研究了射频磁控反应溅射中工艺参数对ＧｅＸＣ１－Ｘ薄膜沉积速率的影响。结果表明，当气体流量比超过某值后，沉积速率有较大的下降。沉积速率随射频功率的增大而增大。某工作气压下有沉积速率的最大值。薄膜厚度随时间的增长规律在出现靶中毒及未出现靶中毒的情况下略有差别。
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关键词
磁控反应溅射
沉积速率
靶中毒
碳化锗
薄膜
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职称材料
题名
反应溅射 Ge_XC_(1-X) 薄膜的沉积速率
被引量：
1
1
作者
刘正堂
朱景芝
宋建权
郑修麟
机构
西北工业大学材料科学与工程学院
出处
《材料工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998年第2期6-8,共3页
基金
航空科学基金资助项目
文摘
系统地研究了射频磁控反应溅射中工艺参数对ＧｅＸＣ１－Ｘ薄膜沉积速率的影响。结果表明，当气体流量比超过某值后，沉积速率有较大的下降。沉积速率随射频功率的增大而增大。某工作气压下有沉积速率的最大值。薄膜厚度随时间的增长规律在出现靶中毒及未出现靶中毒的情况下略有差别。
关键词
磁控反应溅射
沉积速率
靶中毒
碳化锗
薄膜
Keywords
GeXC1-X films magnetron reactive sputtering deposition rate target poisoning
分类号
TN304.24 [电子电信—物理电子学]
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
发文年
被引量
操作
1
反应溅射 Ge_XC_(1-X) 薄膜的沉积速率
刘正堂
朱景芝
宋建权
郑修麟
《材料工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998
1
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