TFT-LCD中液晶取向异常亮点机理研究及改善 被引量：5

1

作者 周波 王祺 +2 位作者 宋勇志 洪永泰 陈维涛 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2020年第2期115-121,共7页

在采用摩擦配向工艺实现液晶取向的TFT-LCD显示屏中,外形不规则亮点不良主要有两种一种是由可见异物造成的亮点,可以通过加强摩擦后清洗等改善;另一种亮点不良并没有伴随可见异物发生。为提升TFT-LCD良率,亟需明确后者的形成机理并制定... 在采用摩擦配向工艺实现液晶取向的TFT-LCD显示屏中,外形不规则亮点不良主要有两种一种是由可见异物造成的亮点,可以通过加强摩擦后清洗等改善;另一种亮点不良并没有伴随可见异物发生。为提升TFT-LCD良率,亟需明确后者的形成机理并制定改善对策。经分析发现,此种不可见异物亮点位置处液晶取向异常,通过进一步对不良区域微观结构和成分的分析,确认该区域表面有厚约7.5~10 nm的杂质区,造成液晶取向异常;然后通过液晶和配向膜取向异常的再现性测试,锁定摩擦布中背胶和柔顺剂残留是造成液晶取向异常的主要因素,明确了此不良的发生机理;最后,在生产线实际测试了减少背胶和柔顺剂的摩擦布,非异物亮点不良由0.6%降至0%,验证了我们的机理推测和实验室测试结果的有效性。 展开更多

关键词 摩擦布 亮点 柔顺剂 背胶

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配向膜对LCD对比度的影响 被引量：5

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作者 王丹 马国靖 +4 位作者 任锦宇 徐长健 宋勇志 袁剑峰 邵喜斌 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2015年第1期47-50,共4页

目前,LCD行业已经趋于成熟。各大面板企业都在提升自身产品的竞争力:高分辨率、高色域、轻质化、窄边框化以及高对比度等等。本文从聚酰亚胺取向层材料方面着手提高对比度进行了研究与阐述。研究过程中利用实验室与产线进行了实际测试,... 目前,LCD行业已经趋于成熟。各大面板企业都在提升自身产品的竞争力:高分辨率、高色域、轻质化、窄边框化以及高对比度等等。本文从聚酰亚胺取向层材料方面着手提高对比度进行了研究与阐述。研究过程中利用实验室与产线进行了实际测试,通过对比不同性质的取向膜材料所制作的平面电场宽视角(ADS)模式液晶面板,证明了配向能力越高的取向材料得到的面板对比度越高。高配向力的取向层可以使液晶分子的排列更加有序化,在常暗模式的FFS显示器中,初始位置的液晶分子预倾角越低,液晶面板的暗态越好,在亮态相同的情况下,对比度将会提高。 展开更多

关键词 聚酰亚胺 取向膜 平面电场宽视角技术 对比度

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印刷型设备产生配向膜Mura研究 被引量：5

3

作者 王丹 马国靖 +2 位作者 宋勇志 袁剑峰 邵喜斌 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2014年第6期881-885,共5页

薄膜晶体管行液晶显示(TFT-LCD)面板制造行业中,取向膜涂布方式主要有2种:一种为传统印刷方式辊式涂布法,另一种为新型印刷方式喷墨印刷法。本文通过对这2种印刷方式的比较,着重介绍了新型喷墨印刷法容易产生的三大主要不良(直线形不良... 薄膜晶体管行液晶显示(TFT-LCD)面板制造行业中,取向膜涂布方式主要有2种:一种为传统印刷方式辊式涂布法,另一种为新型印刷方式喷墨印刷法。本文通过对这2种印刷方式的比较,着重介绍了新型喷墨印刷法容易产生的三大主要不良(直线形不良、印刷头宽线形不良以及云状灰度不良)及产生原因。在对三大不良产生的原因进行详细的实验测试、数据分析和理论研究工作下,通过工艺调整并结合设备科学管控,最终使不良发生率大幅下降,极大地提高了产品的品质,并为今后新产品的开发及相关理论的研究提供了很好的基础。 展开更多

关键词 聚酰亚胺 取向膜 喷墨打印 Mura缺陷

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液晶显示器侧视角发红机理分析及改善 被引量：4

4

作者 万冀豫 冯贺 +7 位作者 汪栋 张思凯 杨同华 陈南 宋勇志 李升玄 张亮 邵喜斌 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2018年第1期38-42,共5页

针对于液晶显示器出现的侧视角发红不良,本文从定性及定量角度进行机理分析。初步实验定性确定影响侧视角发红的主要因素为材料R_(th)和颜料颗粒分布。定量分析方面,通过对R_(th)、膜层厚度、上偏振片偏振方向与主观察方向的夹角(A-UPMO... 针对于液晶显示器出现的侧视角发红不良,本文从定性及定量角度进行机理分析。初步实验定性确定影响侧视角发红的主要因素为材料R_(th)和颜料颗粒分布。定量分析方面,通过对R_(th)、膜层厚度、上偏振片偏振方向与主观察方向的夹角(A-UPMO)、透过光主波长4个方面的分析,得到侧视角不良程度的理论计算公式。根据上述结论,通过减小R_(th),减薄膜层厚度以及缩小A-UPMO可以有效改善不良程度。给出通常情况下,新材料开发过程中Red/Green/Blue R_(th)的阈值分别为6.0nm/5.4nm/4.0nm,为未来新材料开发及不良改善提供有益的参考。 展开更多

关键词 侧视角 位相差 液晶显示 光学分析

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阵列基板设计对配向膜印刷的影响 被引量：4

5

作者 赵成明 王丹 +3 位作者 马国靖 罗会月 申载官 宋勇志 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2016年第2期138-141,共4页

目前,TFT-LCD行业已经趋于成熟。各大面板厂都在提升自身产品的竞争力:高分辨率、高色域、轻质化、窄边框化以及高对比度等等。配向膜作为LCD面板的主要构成起着重要的取向作用,其印刷的质量对产品良率起很大影响。喷墨打印作为大世代... 目前,TFT-LCD行业已经趋于成熟。各大面板厂都在提升自身产品的竞争力:高分辨率、高色域、轻质化、窄边框化以及高对比度等等。配向膜作为LCD面板的主要构成起着重要的取向作用,其印刷的质量对产品良率起很大影响。喷墨打印作为大世代线配向膜印刷方法被越来越广泛的应用,但是其带来的印刷性不良也多种多样。本文重点介绍了阵列基板的设计对配向膜的影响。通过实验验证得出,阵列基板深孔设计对配向膜扩散起到了阻碍扩散的不良影响。从此结论出发,从配向膜印刷工艺和设计提出改善方案并取得了改善效果。 展开更多

关键词 聚酰亚胺 配向膜 喷墨打印 深孔

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配向膜材料与面残影的关联性研究 被引量：4

6

作者 刘晓那 宋勇志 +6 位作者 徐长健 周波 马国靖 陈松飞 袁剑峰 林承武 邵喜斌 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2014年第3期317-321,共5页

利用mini-cell作为评价平台,从配向膜材料自身特性角度,对配向膜材料与面残影之间的关联性进行了综合研究。一方面,配向膜材料自身优异的稳定性有助于维持电压保持率(VHR);另一方面,配向膜材料自身的低电阻率特性有助于存储电荷的释放,... 利用mini-cell作为评价平台,从配向膜材料自身特性角度,对配向膜材料与面残影之间的关联性进行了综合研究。一方面,配向膜材料自身优异的稳定性有助于维持电压保持率(VHR);另一方面,配向膜材料自身的低电阻率特性有助于存储电荷的释放,利于实现较低的残余电流(RDC)。而当配向膜材料的RDC和高低温间VHR变化值同时处于较低水平时,可以获得面残影水平较低的TFT-LCD模块。因此,利用mini-cell对配向膜材料进行评估,通过比较RDC以及ΔVHR数值,可以间接实现对TFT-LCD的残影结果评估,为实际生产中产品残影的改善提供了基础理论指导,具有重要的指导性作用。 展开更多

关键词 配向膜 电压保持率 残余电流 残影

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氮化硅的ECCP刻蚀特性研究 被引量：5

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作者 白金超 王静 +5 位作者 赵磊 张益存 郭会斌 曲泓铭 宋勇志 张亮 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2017年第7期533-537,共5页

本文对氮化硅的增强电容耦合等离子刻蚀进行研究,为氮化硅刻蚀工艺的优化提供参考。针对SF_6+O_2气体体系,通过设计实验考察了功率、压强、气体比、氦气等对刻蚀速率和均一性的影响,并对结果进行机理分析和讨论。实验结果表明:功率越大... 本文对氮化硅的增强电容耦合等离子刻蚀进行研究,为氮化硅刻蚀工艺的优化提供参考。针对SF_6+O_2气体体系,通过设计实验考察了功率、压强、气体比、氦气等对刻蚀速率和均一性的影响,并对结果进行机理分析和讨论。实验结果表明:功率越大,刻蚀速率越大,与源极射频电力相比,偏置射频电力对刻蚀速率的影响更为显著;压强增大,刻蚀速率增大,但压强增大到一定程度后,刻蚀速率基本不变,刻蚀均匀性随着压强增大而变差;在保证SF_6/O_2总流量保持不变下,O_2的比例增大,刻蚀速率先增大后减小,刻蚀均匀性逐步变好;He的添加可以改善刻蚀均匀性,但He的添加量过多时,会造成刻蚀速率降低。 展开更多

关键词 氮化硅 增强电容耦合等离子刻蚀 刻蚀速率

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周边配向膜Mura改善研究 被引量：3

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作者 徐长健 陆顺沙 +6 位作者 马国靖 王丹 任锦宇 周波 宋勇志 陈维涛 冯莎 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2018年第10期831-835,共5页

在大世代线液晶面板厂,因产品切换便捷、产能高等优势,配向膜材料涂布多采用喷墨印刷方式。但随着高分辨率、无边框等技术升级,喷墨印刷方式面临的挑战也随之增加,产生了很多新的配向膜不良。本文研究了一种周边配向膜Mura,分析原因为... 在大世代线液晶面板厂,因产品切换便捷、产能高等优势,配向膜材料涂布多采用喷墨印刷方式。但随着高分辨率、无边框等技术升级,喷墨印刷方式面临的挑战也随之增加,产生了很多新的配向膜不良。本文研究了一种周边配向膜Mura,分析原因为阵列基板上的配向膜固化时,在基板周边过孔处出现堆积,造成周边显示区配向膜厚不均匀,导致显示区边缘形成暗线不良。文章从配向膜边界位置、预固化温度、预固化环境气压和配向膜膜厚4个方面进行分析实验,证明了外扩配向膜边界、降低预固化温度、降低预固化环境气压和降低配向膜膜厚,可以有效减轻配向膜在周边过孔处堆积,进而成功解决此不良,获得优异的显示品质。 展开更多

关键词 液晶屏 配向膜 喷墨印刷 周边过孔 固化

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4-Mask工艺Cu腐蚀分析及改善研究 被引量：2

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作者 白金超 李小龙 +6 位作者 韩皓 张向蒙 左天宇 吴祖谋 丁向前 宋勇志 陈维涛 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2019年第2期125-129,共5页

针对4-Mask工艺铜数据线腐蚀造成的锯齿状不良现象进行系统研究,发现铜腐蚀发生的工艺步骤和机理,并找到有效的措施。首先,通过显微镜对每道刻蚀工艺后铜数据线形貌进行观测,确定铜腐蚀发生的工艺步骤。接着,通过扫描电子显微镜和X射线... 针对4-Mask工艺铜数据线腐蚀造成的锯齿状不良现象进行系统研究,发现铜腐蚀发生的工艺步骤和机理,并找到有效的措施。首先,通过显微镜对每道刻蚀工艺后铜数据线形貌进行观测,确定铜腐蚀发生的工艺步骤。接着,通过扫描电子显微镜和X射线电子能谱测量腐蚀生产物成分,对腐蚀机理提出合理解释。最后在铜腐蚀发生机理基础上,提出有效的改善措施。铜腐蚀是在有源半导体层干刻和光刻胶的灰化综合作用下发生,其主要产物为氧化铜、氯化铜。通过先进行灰化工艺然后进行有源半导体层干刻的工艺措施,在铜数据线两侧形成氧化铜保护膜,可以彻底改善铜腐蚀。改善措施可以解决铜腐蚀的问题,彻底消除铜数据线锯齿状不良。 展开更多

关键词 4-Mask 铜腐蚀 线不良

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小尺寸TFT-LCD GOA显示屏不良横纹的研究 被引量：1

10

作者 高英强 陈华斌 +2 位作者 李兴亮 刘洋 宋勇志 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2019年第5期501-507,共7页

随着GOA(Gate On Array)技术的不断发展,在小尺寸TFT-LCD窄边框显示屏上的应用也越来越频繁,但是由于GOA电路的复杂性和TFT器件自身的稳定性,以及外界温度、湿度的影响,显示屏还存在显示不稳定的问题。本文针对小尺寸TFT-LCD GOA显示屏... 随着GOA(Gate On Array)技术的不断发展,在小尺寸TFT-LCD窄边框显示屏上的应用也越来越频繁,但是由于GOA电路的复杂性和TFT器件自身的稳定性,以及外界温度、湿度的影响,显示屏还存在显示不稳定的问题。本文针对小尺寸TFT-LCD GOA显示屏在高温高湿环境下产生的异常显示横纹,进行了深入分析与改善研究。通过对GOA区域ITO过孔电阻测试、显微镜检查以及修复实验验证,找出了不良产生的直接原因为ITO发生腐蚀,过孔电阻增大,导致GOA驱动信号无法上下导通。接着进一步研究ITO腐蚀发生的条件、ITO腐蚀情况、驱动信号对应关系以及腐蚀成分,证明了ITO发生腐蚀原因为产品长期工作(200h左右)在高温高湿环境下,由于水汽的不断渗入,使GOA区域ITO发生了电化学腐蚀效应。最后根据电化学腐蚀原理,通过采用隔水性强的封框胶、增加ITO膜厚以及降低ITO电位差等措施对工艺进行了改善,结果表明改善后的显示屏超过1 000h,未发生ITO腐蚀。 展开更多

关键词 TFT-LCD 窄边框 GOA ITO电化学腐蚀 横纹不良

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光配向技术在TFT-LCD中的应用 被引量：1

11

作者 马国靖 王丹 +4 位作者 陆顺沙 卢梦梦 郭庆森 宋勇志 陈维涛 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2021年第5期694-698,共5页

本文重点研究了降解型光控取向技术的制作工艺及其对产品性能的影响。通过分析不同光配向工艺参数下配向膜各向异性的数值可知,随着UV光光积量的增大和二次固化时间的延长,配向膜的各向异性值都有先升高后降低的趋势。测试材料在550 mJ/... 本文重点研究了降解型光控取向技术的制作工艺及其对产品性能的影响。通过分析不同光配向工艺参数下配向膜各向异性的数值可知,随着UV光光积量的增大和二次固化时间的延长,配向膜的各向异性值都有先升高后降低的趋势。测试材料在550 mJ/cm^(2)和30 min的条件下,配向能力最优;配向膜材料二次固化温度在250℃以内时对配向性的影响是随温度升高,配向膜的各向异性值有直线上升趋势。通过改变光配向的工艺条件测试TFT特性的变化,发现完整的光配向工艺对TFT特性无明显影响。本文还分析了光配向形成的配向膜的低预倾角(约0.2°)对产品性能的影响,从结果可知,低预倾角下产品的对比度可达到1500以上,与摩擦型产品对比提升了约50%。 展开更多

关键词 光配向 紫外光 配向膜 各向异性 TFT特性

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阵列基板铜工艺不良研究

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作者 吴祖谋 白金超 +6 位作者 丁向前 刘明悬 李小龙 王勋 刘海鹏 宋勇志 陈维涛 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2021年第4期560-565,共6页

本文结合产品开发过程中遇到的铜相关不良现象进行研究,提出了有效的改善措施。结果表明,在第一次氮化硅刻蚀中的后灰化工序有高含量的氧气,会使过孔内部铜发生氧化而发黑。使用氢等离子体处理,可以将氧化铜还原成铜,在生产线光学设备... 本文结合产品开发过程中遇到的铜相关不良现象进行研究,提出了有效的改善措施。结果表明,在第一次氮化硅刻蚀中的后灰化工序有高含量的氧气,会使过孔内部铜发生氧化而发黑。使用氢等离子体处理,可以将氧化铜还原成铜,在生产线光学设备测量时过孔反射出金属白色。在氧化铟锡刻蚀过程中,高温退火会造成裸露的铜发生严重氧化,需要去掉退火步骤或者更改设计来规避。在第二次氮化硅刻蚀步骤中,高含量的氧会氧化过孔处的铜,造成过孔连接异常,降低刻蚀步骤中氧气含量可以解决该不良。 展开更多

关键词 阵列工艺 铜腐蚀 铜氧化 黑孔不良 退火 垂直黑线不良

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RGBW彩色滤光片技术开发与应用

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作者 姜晶晶 万冀豫 +6 位作者 汪栋 郭杨辰 宋勇志 张国华 肖晖 王琳琳 齐鹏煜 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2019年第3期254-260,共7页

为了扩大公司产品布局,尽快将RGBW产品推入市场,本文对该类产品关键的RGBW彩色滤光片(Color filter,CF)技术进行开发,并结合公司产线特点,对RGBW CF技术应用能力提升进行研究。首先通过产线测试,从高平坦保护膜(Over coating,OC)材料特... 为了扩大公司产品布局,尽快将RGBW产品推入市场,本文对该类产品关键的RGBW彩色滤光片(Color filter,CF)技术进行开发,并结合公司产线特点,对RGBW CF技术应用能力提升进行研究。首先通过产线测试,从高平坦保护膜(Over coating,OC)材料特性、OC厚度设计、OC工艺条件等角度出发,对该技术的关键特征参数RGB-W段差进行优化,建立像素尺寸、OC厚度与段差关系的数据模型,并进行产品验证。接着,建立段差与液晶盒厚、色温、透过率的关系,对OC Mura的影响因素进行分析及优化,降低新技术应用可能造成的产品品质风险。最后,针对产线特点造成的OC异物高发问题,通过异物检查机、SEM、显微镜等分析设备对异物发生率及发生原理进行分析,从材料、工艺参数、设备参数及设备状态等角度制定改善对策,提升产品良率。最终实现RGB-W段差0.6μm以下,CF良率99.5%以上。该技术满足产品品质及量产稳定性要求。 展开更多

关键词 RGB-W段差优化 产能提升 良率提升 设计优化

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网状斑点不良分析研究

14

作者 白金超 王勋 +6 位作者 吴祖谋 丁向前 张向蒙 李小龙 左天宇 宋勇志 陈维涛 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2019年第3期273-277,共5页

针对网状斑点(Emboss Mura)不良现象进行系统研究,确定不良发生的机理,并找到有效的改善措施。首先通过半导体参数测试设备和改变电压、频率等方法测试Mura电学特性,然后采用扫描电子显微镜、椭偏仪对栅极绝缘层进行测量,最后采用扫描... 针对网状斑点(Emboss Mura)不良现象进行系统研究,确定不良发生的机理,并找到有效的改善措施。首先通过半导体参数测试设备和改变电压、频率等方法测试Mura电学特性,然后采用扫描电子显微镜、椭偏仪对栅极绝缘层进行测量,最后采用扫描电子显微镜、X射线电子能谱对玻璃基板背面Mura形貌和成分进行测试,对Mura产生的原因提出合理的解释,并给出有效的改善措施。结果表明,Emboss Mura是干刻反应腔下部电极的阵列凸起划伤玻璃基板背面和凸起碎屑粘附在划伤处形成的。通过更改电极凸起的形状、结构、材质以及下部电极清洁方式、优化电极温度、增加PI膜厚等方式可以极大降低不良的发生率。 展开更多

关键词 网状斑点不良 下部电极 划伤

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