期刊文献+
共找到3篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
一种超低功耗便携式高斯计的设计 被引量:6
1
作者 张军 徐海宁 +6 位作者 郑强 刘筝 刘晓松 白玉学 李玲玲 牟丹 安银姬 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2011年第11期98-99,103,共3页
从硬件和软件两个方面介绍了一种超低功耗便携式高斯计的设计方案。该方案在硬件上采用HT7130稳压芯片、STM8L152单片机、TM7709数模转换器以及HT1621液晶驱动器作为核心芯片,软件上以单片机进行电源管理,结合外围芯片的低功耗控制,最... 从硬件和软件两个方面介绍了一种超低功耗便携式高斯计的设计方案。该方案在硬件上采用HT7130稳压芯片、STM8L152单片机、TM7709数模转换器以及HT1621液晶驱动器作为核心芯片,软件上以单片机进行电源管理,结合外围芯片的低功耗控制,最终达到了1 000 h的电池寿命。 展开更多
关键词 超低功耗 便携式 高斯计 STM8L152 电池寿命
在线阅读 下载PDF
电量变送器在智能电网领域的应用 被引量:3
2
作者 李洪儒 王晓雯 +5 位作者 张军 徐海宁 刘筝 郑强 陈雷 安银姬 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2011年第12期96-98,101,共4页
介绍了智能电网建设的基本情况,电量变送器产品的技术现状、电量变送器的测量原理、性能对比和选型以及电量变送器产品在智能电网中的典型应用,对电量变送器产品在智能电网领域的应用前景进行了分析。
关键词 智能电网 电量变送器 典型应用
在线阅读 下载PDF
薄膜型锑化铟磁阻元件的研制
3
作者 于成民 安银姬 李颖 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 1991年第2期17-19,共3页
本文用相平衡理论和半导体材料内电流分布状态的理论模型分析了半导体磁阻元件制造工艺和结构设计中的问题。提出了锑化铟磁阻元件的结构设计原则和三温度源蒸镀锑和铟薄膜及制备高灵敏度锑化铟薄膜的热处理工艺条件。试制出了R_B/R_0≥... 本文用相平衡理论和半导体材料内电流分布状态的理论模型分析了半导体磁阻元件制造工艺和结构设计中的问题。提出了锑化铟磁阻元件的结构设计原则和三温度源蒸镀锑和铟薄膜及制备高灵敏度锑化铟薄膜的热处理工艺条件。试制出了R_B/R_0≥1.75的磁阻元件。主要技术指标达到了目前国际同类产品水平。 展开更多
关键词 薄膜 锑化铟 磁阻元件 半导体
在线阅读 下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部